Большая просьба: оставляя свои результаты здесь, постите по шаблону например:



Также указывайте какие микросхемы стоят на модулях памяти;

Вопрос: Если тайминги будут низкими при запуске теста, то каков шанс что она помрет?
Ответ: Никакой. Оперативную память может убить только повышенное напряжение и перегрев в следствии этого.


В конференции запрещается:

3.12. Размещение в теле сообщения одной или нескольких картинок (в тегах [img]url[/img]), общим объёмом превышающих 150 кб; шириной более 800 и высотой более 480 пикселей каждая. В случае превышения размеров заменяйте картинки ссылками, с указанием их объёма.

Вы не там тестируете faw.
Запустите testmem5 с faw=16 и faw=24, посмотрите на время прохождения теста.
tRAS=25
tREFI смело поднимайте в 4 раза, а если планки холодные, то и в 6 раз.
Планок у вас сколько и какие ?
Двухранковые или одноранковые?

Добавлено спустя 10 минут 52 секунды:
RDRDdr=RDRDdd=5 (при преамбуле 1) или 6 (при преамбуле 2)
WRWRdr=WRWRdd=аналогично
WRRDdr=WRRDdd=CL-CWL+5 (при преамбуле 1) или 6 (при преамбуле 2)
RDWRdr=RDWRdd=RDWR=CL-CWL+6, может нужно будет +8 или больше
WRRD=CWL+WTR+6

anta777
Это мне ответ? :)
С тестом - ок, позже.
Две планку двуранг и две - одноранг.

Добавлено спустя 7 минут 9 секунд:
...и memtest5 какой?.. я последнее время пользуюсь от 1usmus (TM 5 0.12 1usmus V3 config Процессоры AMD Ryzen 3000-й серии (Matisse\Zen2\7nm\AM4) #16354879)

Берите мой лайт и тяжелый конфиг.

а есть какой-нить 1тест(из конфига), на котором его можно затестить - типа Test Sequence=1(или ещё какой) и Time (%)=1000 например, а то долго ждать всю последовательность.
ты их как замиксовал 2+1 в одном канале и 2+1 в другом каналe?

Любой simpletest.

вобщем мутится и уже замутилось в +-финалку у меня такое(выбивающееся из правил)↓
+ WR снижается чуть ли не до 3(и результаты по фотоворксу растут), но ошибок нет ток на 6↑(что тоже вне правила WR(6моё)>=CL(8моё), но есть соблюдение по RTP(2)+WTR(4)=WR(6) ).
1 цикл для 24 гиг занял 1ч:25м:+-сек ,+гдет c 1:05 по браузеру я лазить начал(может чего и накидывает в + к времени тестирования)
+ вопрос(ы)
1. что ставить, для 3 канала с 3х8GB(двурангами) по следующим параметрам
Сhannel Interleaving(6 у меня стоит) И Rank Interleaving(4 у меня стоит)?
2. Cколько соотв одна двуранговая плашка может одновременно потоков давать в канал(2? и соотв там расчёт, что в канале может быть макс две двуранговые =4(Rank Interleaving))?
3. а на разброс по L2write, что влияет?
______________

+ есть наблюдение, что для двурангов СL=CWL выдаёт больше по фотоворксу(на DDR4 в том числе если CL чётный либо CL-1 при нечётном) просто тут накидывает совсем чутка(+-10) и меняет tWTR(Diff Rank и DIMM) c 6->7, а tRTW c 10->9 , ну и соотв я думаю эт не стоит того чтоб не следовать правилу:
CWL=5 при CL=6; 6 при CL=7,8; но так как 6(при CL=8) у меня не заводится, поставил 7(по правилам(не от вас) CWL=CL-1)

Всем привет. Может быть кто-то подскажет, разгон DDR4 уже стал массовым, и по таймингам расписано на данный момент многое.
В то же время, по DDR3 инфы по таймингам не так уж много... Хотелось бы узнать, какие формулы расчёта таймингов (в т.ч. первичных) актуальны для DDR3? Можно смело брать от DDR4, или есть отличия?
Или работает схема "чем меньше, тем лучше", как все раньше и гнали?

а что на предыдущей странице те мало показалось инфы чтоль

BOBKOC благодарю, не думал, что всё настолько просто
Теме определённо не хватает нормальной шапки)

CL ставишь желаемый, RCD = RP = CL или CL + 1,2; RAS = CL + RCD + 2,4, а насчет вторичных на другой странице anta777 написал
p.s. китай плашкам норм там с 1.72v?

WalterWhite китай плашки на 1.84 работали у меня, ничего им не делается) Чипы самсунг б-дай, по даташиту до 1.9 можно на них давать, но у меня КП не позволяет, а на моей платформе есть правило, что разница между напряжением КП и оперативной памятью должна быть не более, чем 0.5 вольт (возможно, что оно и не актуально, но рисковать на себе и проверять не стану). Так бы и до 1.9 гонял, если бы было нужно, но смысла нет, там упор в КП идёт, он не даёт больше взять(

Олды, насколько хороший разгон моего ведра? Что еще можно подтянуть/опустить малой кровью?

tRC=26

78963214 плашки памяти неодинаковые по объему? слабые скоростя, у меня на ддр2 775 почти такие же.

Спасибо, tRC исправил на 26, тестировал сразу после запуска



Да, разные, 2 Гб двуранковый самсунг, 4 Гб низкопрофильный двуранковый кингстон, при следующем множителе (частота 1716МГц) нестабильна даже на cl11, поэтому решил, что лучше опустить тайминги насколько это возможно.

можно выставлять любые частоты на память, разгоняя шину

78963214 по идее если плашки будут одинакового объема то будет работать шустрее. если есть плашка 2гб то можно проверить.

А подскажите по моей системе, пожалуйста. Настроек в ней не столь много, увы, но всё же постарался более-менее отстроить по правилам с последних страниц (хоть и не всё понял).

1. Среди настроек есть пункт Back-To-Back CAS Delay, при установке его в авто, судя по тому, что пишется в биосе, параметр равен нулю. Вручную 0 поставить нельзя, иное не пробовал. Я так понимаю, его и трогать незачем, пусть себе в авто стоит?
2. Если что, tRFC не регулируется (максимально доступное значение в биосе 160, при такой частоте памяти система на 160 в жизни не заведётся, так что оставил в авто).
3. Что ещё можно покрутить из третичек и есть ли в уже выставленных параметрах какие-то ошибки? И какие параметры у тех же RTP, RTW, WTR и WTW крутить? Там ведь по 3 значения, Different DIMM, Different Rank и Same Rank?

Фото доступных к регулировке в BIOS параметров прикладываю в спойлере, как и скрин аиды с текущими таймингами (увы, асрок конфигуратор на такой древней системе при запуске выдаёт ошибку и во всех полях пишет 65536).

Да, но из-за максимальных множителей CPU-15/HT-10/NB-10 и шины которая сейчас выставлена практически на максимум выбирать особо не приходится(


Есть точно такая же плашка самсунга, вот только с 4Гб на win10 х64 все очень плохо (даже фотошоп фотку не хочет сохранять, лол), попробовать можно, но только ради спортивного интереса

А что мешает уменьшить множитель на CPU ?