Также указывайте какие микросхемы стоят на модулях памяти;
Вопрос: Если тайминги будут низкими при запуске теста, то каков шанс что она помрет? Ответ: Никакой. Оперативную память может убить только повышенное напряжение и перегрев в следствии этого.
В конференции запрещается:
3.12. Размещение в теле сообщения одной или нескольких картинок (в тегах [img]url[/img]), общим объёмом превышающих 150 кб; шириной более 800 и высотой более 480 пикселей каждая. В случае превышения размеров заменяйте картинки ссылками, с указанием их объёма.
Последний раз редактировалось Overclock[er] 14.04.2012 19:56, всего редактировалось 3 раз(а).
TSC! Russia member
Статус: Не в сети Регистрация: 13.05.2015 Откуда: Томск
Всем привет! имеют вот такую память в 4 канале на частоте 2133 МГц, процессор i7-3930K@4,6 ГГц. Можно ли ещё подкрутить память, чтобы улучшить результаты? смотрел гайды разные, вот и получилось так.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 01.10.2004 Откуда: Саранск Фото: 25
Refresh interval 99% можно апнуть "безнаказанно", так сказать Только желательно значения кратные 7.8к на сколько я знаю. Уж точно без всяких десяток и единиц...
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 30.03.2017 Откуда: Москва/Вешняки Фото: 11
STELF_PRO писал(а):
чтобы улучшить результаты?
ну помимо вышеозвученного и подразумевая, что первички твои ниже не идут, то можешь tRTP=tWTR=6 и х2 =tWR=12; tRRD=4, а tFAW=16; если память двуранговая, то подымай tWCL к 10(11 по обстановке) =к tCL, tRFC(275)=272 и в самом конце пробуй снижать по 8 прям во время теста и как зависнешь прибавить к полученному числу +16/24 или 32 и снова затестить всё это хозяйство. ну и ещё третички у тебя остануться на повестке дня нетронутыми.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 13.05.2020 Откуда: Мытищи
BOBKOC писал(а):
то подымай tWCL к 10(11 по обстановке)
Write CAS Latency (tWCL) - задержка между подачей команды на запись и сигналом DQS (синхросигнал, полезен при использовании двух и более модулей памяти). Аналог CL, но для записи. Означает количество времени (в тактах) на запись открытого банка памяти. Типичное значение WCL устанавливается равным CAS (CL). Эта задержка важна для стабильности, и может оказаться, что лучше работают меньшие значения.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 13.05.2020 Откуда: Мытищи
anta777 , А я не то же самое сказал? -) Для операций WRITE сигналы строба (DQS) используются как такты для захвата соответствующих входных данных. Так больше лучше или меньше? Нет ведь однозначного ответа, не так ли? Или?
Submoderator
Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2011
WR=2*RTP RTP=WTRL
Добавлено спустя 2 минуты 32 секунды:
Bigsun писал(а):
anta777 , А я не то же самое сказал? -) Для операций WRITE сигналы строба (DQS) используются как такты для захвата соответствующих входных данных. Так больше лучше или меньше? Нет ведь однозначного ответа, не так ли? Или?
Совсем не то. Однозначный ответ есть, так как от CWL зависит и время между записью и чтением, и время между чтением и записью , и время между записью и предзарядом. Оптимум CL=CWL.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 13.05.2020 Откуда: Мытищи
anta777 писал(а):
Оптимум CL=CWL
Я понимаю твой опыт и знания. Но позволь задать тебе вопрос. Везде пишут CWL<=CL, и что "Это не означает, что другие значения работать не будут." Например: Тайминги и частота DDR памяти (строка 15)
Еще пример из DDR3 SDRAM Specification by Samsung:
Вложение:
tCWL DDR3.png [ 150.11 КБ | Просмотров: 1049 ]
Что скажешь?
Да, типичное значение CWL=CL, но вроде как не факт что оно окажется лучшим. Более того, результат в тесте PhotoWorxx, выше у значения CWL=9 (CWL=CL-1).
TSC! Russia member
Статус: Не в сети Регистрация: 13.05.2015 Откуда: Томск
В общем, пока что так. Я думаю, что нет смысла ставить 2400 на cl14 и пытаться стабилизировать систему. Планки - китайские klissre (или как они там называются).
Вложение:
x01llJ2b3LY.jpg [ 244.81 КБ | Просмотров: 1049 ]
Добавлено спустя 2 минуты 25 секунд: Напругу пробовал 1,7 В, может, настройки питания ковырять? Было бы неплохо стабилизировать 2400. Хотя, с другой стороны - осенью поставлю 8700к и уже с ним пердолиться..
Пробовал 2400, берет, запускается. Но производительность ОЗУ уже похоже упирается в частоту контроллера памяти, и, соответственно профит - совсем небольшой. А напряжения приходится задирать существенно. Пока отказался. Модули Patriot Viper 3 Series DDR3 PV316G160C9K (Black Mamba).
Submoderator
Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2011
Bigsun писал(а):
[quote="anta777"Оптимум CL=CWL[/quote Я понимаю твой опыт и знания. Но позволь задать тебе вопрос. Везде пишут CWL<=CL, и что "Это не означает, что другие значения работать не будут." Например: Тайминги и частота DDR памяти (строка 15)
Еще пример из DDR3 SDRAM Specification by Samsung:
Вложение:
tCWL DDR3.png
Что скажешь?
Да, типичное значение CWL=CL, но вроде как не факт что оно окажется лучшим. Более того, результат в тесте PhotoWorxx, выше у значения CWL=9 (CWL=CL-1).
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 2
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения