Большая просьба: оставляя свои результаты здесь, постите по шаблону например:



Также указывайте какие микросхемы стоят на модулях памяти;

Вопрос: Если тайминги будут низкими при запуске теста, то каков шанс что она помрет?
Ответ: Никакой. Оперативную память может убить только повышенное напряжение и перегрев в следствии этого.


В конференции запрещается:

3.12. Размещение в теле сообщения одной или нескольких картинок (в тегах [img]url[/img]), общим объёмом превышающих 150 кб; шириной более 800 и высотой более 480 пикселей каждая. В случае превышения размеров заменяйте картинки ссылками, с указанием их объёма.

А ты менял значения RDWR при изменении CWL?
Или оставлял прежними?

Кроме CWL - ничего не менял. Читерство - это не мое -)

И у меня так не работает. У меня работает WR = (RTP*2)+2. Как только я снижаю WR на 2T, сразу BSODы появляются при нагрузке. А если +2T проходит все тесты (LinX, TM5 экстрим, игры).
Т.е. Write Recovery Time (tWR) = 16T, и не ниже.
Для чистоты эксперимента, перемерил еще раз.
Здесь, я лишь изменил RC = 46T (было 44) и FAW = 26T (было 24) - по причине почему-то чуть бОльших результатов в тестах (видимо стабильность выше).

Patriot доказал, что на нем теория отдыхает -)

Пробовал 2200мгц 10-12-11-26. но пропускная способность и латентность хуже.
2400 ни в какую, даже с поднятием напряжения.

i7 4770 - давай до свидания -)

тогда понятно, что из всего тебе написанного ты по уму ничего не применил . Соотв просвещайся пока за будущее Статистика разгона памяти DDR-4 на платформах INTEL. Обсуждение результатов. Советы.

Добрый день,имеются в наличии две планки https://www.regard.ru/catalog/tovar151336.htm ,работают в двухканале с i7 4770 и Asrock Z97 Anniversary,выше 2000Mhz не стартует,повышение таймингов и напряжения ничего не дает. До этого на системе с i7 2600 и msi z77 mpower было все так же. Кто нибудь сталкивался с подобным?

Это память Dual rank, она обычно не расположена к разгону...

То есть для стабильности ее лучше использовать без разгона?

Sid115 именно так. Её двухранговость сама по себе даёт прирост скорости, и модули на 1600 работают примерно как одноранговые модули на 1866.

у меня 1333 дуал ранк 4гб модули пашут 2133мгц на 10 таймингах при 1,55.

Приветствую. Есть 16 планок DDR3 ecc, Samsung 4gb 1600 Mhz чипы CK0, Плата PlexHD X79. Цель взять 2133 Mhz.
Особенность: на плате только в одном слоте все планки берут 2133, проходят Memtest. Только ставишь в другой слот = 2133 не берет ни одна планка.
Мож чего в биосе ковырнуть ? Варианты есть ?

_SRG_ ,
PLEXHD X79 Turbo - Bios и разгон
Отдельная ветка: Китайский LGA2011

Corsair CMZ16GX3M4X2133C1, штатный XMP1 профиль, 4x4GB, 4 канала LGA2011/X79

2133 11-11-11-27 CR2. 1.5V

Пока удалось разогнать до:

2400 11-12-12-25 CR1. 1.65V

C настроенными вторичными и (частично) третичными таймингами:

Тайминги показать полностью не могу(не запускается asus memtweakit), но вот что AIDA64 показывает:


CPU photoworxx - чуть-чуть не хватает до стока 6850K с DDR4/2400 :

CPU Queen:

CPU Zlib:


Можно ли еще что-то выжать?
2133 идет только с 10-11-11-..., latency получается выше(вторичные тайминги тогда не были настроены).
2666 не стартует даже: вырубается комп, напругу на память поднимал до 1.68-1.7 примерно - не помогло.

Если понадобится, могу скрины из БИОСа с таймингами памяти сделать.

те↓ для начала. + в зависимости от памяти, 248 можно будет снижать(обычно такое у двуранговых к 8гиговок, а у двуранговых 4гиговок +- 120-152) + по шине могёшь чутка погнать насколько эти тайминги смогут без повышения.

BOBKOC Сразу несколько вопросов:
tRAS разве 25 не лучше, чем 27?
tRFC 248 - не то же самое, что 250? я уже пробовал 240 - вроде идет, но нет уверенности в 100% стабильности, поэтому повысил немного. 230 - уже не проходит даже memtest86, то есть снижать особо некуда.
Откуда оно берет tRTR different rank 6T, Different DIMM 7T - не знаю, у меня в БИОСе стоит tRRDD = 1.(было 2 на авто) different rank мне не актуально скорее всего, т. к. память одноранговая вся.
То же самое касается tWTR и tWTW - у меня нигде в БИОСе таких высоких значений как 6,7,8 нету. То ли оно некорректно определяется аидой, то ли у меня какие-то другие значения там - не знаю.
tWCL - у меня называется tWL(write latency) - почему 10 лучше, чем 5?(на авто было вообще 8)
tREFI - ставил максимум=32767, оно же чем больше, тем лучше - зачем снижать?(если стабильно)

"По шине" - имеется ввиду поднять BCLK выше 100? Но тогда и проц будет выше 4 Ггц, а он не особо стабилен выше, да и охлад слабоват у меня, поэтому BCLK боюсь трогать. Разве что совсем чуть - на пару Мгц.

хмм а так Статистика разгона памяти DDR-4 на платформах INTEL. Обсуждение результатов. Советы. #17064497 + Статистика разгона памяти DDR3. Обсуждение результатов. Советы. #16737538 , но в принципе на однорангах поэкспериментить вниз с tWCL могёшь(также в самом конце)
ни что тебе не мешает опустить множитель и подойти шиной под теже 4 Ггц
0=5 по типу как здесь↓

так как в твоём биосе нет регулировки tRC, то регулируется через tRAS,tRP ибо tRC≥tRAS+tRP т.е как бы повышать не пришлось.

BOBKOC Спасибо. По поводу tREFI - что имеется ввиду под "размер окна"(4)? Потом, это же для DDR4 таблица или для DDR3 ничем не отличается? Если поставлю как рекомендовано 32512(а не макс. 32767) - что будет?

- это обязательно? Если работает более низкий - это разве плохо?
Про tRC не совсем понял - почему из-за него придется повышать tRAS? Если не будет стабильности? При tRAS=27 результаты photoworx например чуть хуже, чем при 25, то есть чем ниже tRAS, тем лучше все-таки. О повышении стабильности я пока не говорил, вроде и с 25 все работало, да и не влияет оно особо, как мне показалось. Намного важнее первые 3 первичных тайминга.
По третичным вроде так и есть, при tRRDD=0 в биосе Аида показывает tRTR DR, DD = 5 - а известно, откуда там берется это смещение (+5)? Вообще эти третичные тайминги хоть на что-то влияют? Пока что-то не особо заметно...

если собираешься на повышение по частоте памяти то - да, сначала всё делаешь по правилам , а потом по обстановке . Третичные влияют чутка, + там у асуса ещё DRAM clk period есть можешь попробовать =4 например, а на однорангах может и 2 пойдёт.

RAS >=RCD+CL+4. Формула хорошо работает до 1866 МГц. Начиная с 2133 МГц это 28 минимум. Чем выше частота - тем больше стабильное RAS, даже если расчетное меньше.
RC >= RAS+RP. Тут работает всегда, с учетом нюанса по RAS

photoworx плохо отслеживает ошибки памяти, поэтому часто показывает лучшие результаты на нестабильных таймингах. Но если при тесте photoworx все виснет или уходит в ребут - все совсем плохо и неправильно.

Для стабильности, все тайминги важны в равной степени. Самый важный для скорости первый, CL. Но преимущество в скорости можно легко убить, нарушая теорию соотношения таймингов.

RAS to RAS Delay (RRD), Read to Precharge delay (RTP), Write to Read Delay (WTR) - нужно ставить как у тебя в стоке, либо как в JEDEC (если есть такая частота), либо +1 к каждой ступени по частоте от предыдущего значения. Все зависит от частоты.
RTW (RDWR) = CL-CWL+6

И на скорость и на стабильность влияют.
WR = CL или хотя бы RTP×2. Так вот, если больше чем нужно - в скорости заметна просадка.
FAW <= RC/2, минимум 4 × RRD. Сильно влияет на стабильность. Поэтому, предельно низкие значения выставлять сразу - не стОит.
RFС сильно влияет на стабильность. Не используй минимальное значение, добавляй ~20-40.
REFi - Больше - лучше.

tWCL<=tCL. Но чаще всего либо WCL= CL - 1, либо WCL = CL (хотя это кажется более худшим, но в этом случае можно выставить RRD более низкий, что скажется на скорости сильнее). Вот так вот все неоднозначно -)

Из БИОСа. В SPD не все записано. Некоторые параметры лучше оставлять в auto.

МП сама подставляет кое-какие значения, которых ты в БИОСе не видишь. Это нормально.

Максимум у каждого чипа - свой.

Многие тайминги отзываются и на температуру, и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, важно вовремя остановиться.
Есть тайминги, которые масштабируются напряжением (остается то же значение при более высокой частоте), а есть которые надо повышать (не масштабируются совсем).
Есть чипы памяти, у которых происходит отрицательное масштабирование с напряжением по некоторым таймингам. И, начиная с какого-то большого значения напряжения, например, выше 1,75 В - будет только хуже а не лучше.
Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить их до упора с первого прохода.
Одноранговая память гонится лучше, но у двухранговой преимущество физическое изначально. Скажем так, по скорости 1866 двухранг = 2133 одоранг, примерно.
Чем больше частота памяти и больше каналов, тем больше надо добавлять напряжения на контроллер памяти. В рамках дозволенного!

Bigsun BOBKOC Спасибо. То есть tRAS лучше повысить до 28 даже? (если у меня DDR3 2400, штатный для 2133 кстати был 27) С ошибками понятно, что не все так просто - сначала делаю прогон memtest86(кстати реагирует на изменения нек-рых таймингов, судя по отображению мб/c для памяти) потом tm5(extreme1). И все равно нет уверенности в стабильности. По поводу напряжений - какие рекомендуете Vccsa, Vccio (и еще возможно есть какие-то) для 4х канального LGA2011/X79? Попробовал тронуть BCLK - тут полный ... какой-то, поднял всего на 2 Мгц(без снижения множетелей пока) и система вообще не стартует даже, точнее пытается стартовать, выключается, потом опять включается и так несколько раз. На тайминги такой резкой реакции никогда не было, даже tCL слишком низкий к такому не приводил. Не думаю, что надо поднимать еще и Vcore, ведь это всего + 80 Мгц к частоте проца, хотя...все может быть.