Большая просьба: оставляя свои результаты здесь, постите по шаблону например:



Также указывайте какие микросхемы стоят на модулях памяти;

Вопрос: Если тайминги будут низкими при запуске теста, то каков шанс что она помрет?
Ответ: Никакой. Оперативную память может убить только повышенное напряжение и перегрев в следствии этого.


В конференции запрещается:

3.12. Размещение в теле сообщения одной или нескольких картинок (в тегах [img]url[/img]), общим объёмом превышающих 150 кб; шириной более 800 и высотой более 480 пикселей каждая. В случае превышения размеров заменяйте картинки ссылками, с указанием их объёма.

Если переходишь на 12-е тайминги, то 36, в лучшем случае 32.
При RAS = 32 -> RC = 44, RRD = 5..6, FAW = 22..26, WTR = 7, RTP = 7, WR = 14, CCD = 4, CKE = 5, WCL = 10, tREFi - смотри что у других стоит на таких же модулях либо auto, RFC - зависит от емкости чипов (280..300 (возможно даже 350)), емкость смотри в Thaiphoon Burner.

BCLK = 100 МГц и частота DDR3 контроллера = 133 МГц, тогда частота памяти = 2400 МГц (1.3х100х9х2 = 2400 МГц), т.к. контроллер памяти в Sandy Bridge-E работает на частоте, в 1,3 раза больше частоты шины.

Для разгона по BCLK в процессорах SB-E существует коэффициент CPU Strap, увеличивающий базовую частоту для процессорных ядер. Доступные значения 1 (100 МГц) 1.25 (125 МГц) 1.66 (166 МГц).
Так же доступен разгон непосредственно по BCLK, однако использовать его не рекомендуется - поскольку тактовый генератор интегрирован в процессор и задает частоты всех основных узлов, незначительное поднятие базовой частоты может привести к значительной нестабильности.

Оставить в auto. Ты всего на 1 ступень разгоняешь.
VCCIO (QPI/VTT) — напряжение на интегрированный в процессор контроллер памяти. Номинал обычно 1.05 В. Безопасный максимум 1.25 В.
VCCSA (IMC/System Agent). Увеличение напряжения поможет стабилизировать систему при разгоне памяти и/или BCLK. Максимально допустимое значение — 1.1 В.
Напряжение на модули (DRAM Voltage (DDR Voltage, VDIMM)) - начни с 1,65 В (если было 1,5 В) и снижай постепенно до 1,6 В, проверяя стабильность.

Оставить в auto.

Bigsun Вот мой отчет из тайфуна:

Какие tRFC/tREFI для такой памяти оптимальны на 2400? Причина нестабильности как будто стала выявляться вторым проходом 13-го теста memtest86(первый проход всегда заканчивался без проблем, остальные тесты тоже проходили): hammer test. Ухудшая tREFI/tRFC добился появления только "примечаний" в этом тесте, но вроде убрал ошибки(за 4 цикла без остальных тестов, чтобы уменьшить общее время)...tRFC поднял до 280, tREFI опустив до 15 тыщ примерно(было близко к максимуму). Подозреваю, что причина скорее всего в tRFC и надо еще чуть поднять(до 300?), чтобы ушли даже эти предупреждения. "Штатно" кстати было 298 (до начала моих экспериментов). tRAS пока оставил 27, по моим наблюдениям он не особо влияет на стабильность. По поводу auto - у меня нельзя тайминги по одному ставить в auto в большинстве случаев, там нужны конкретные значения. Возможно при выставлении XMP они и поменяются автоматически, а может и нет, т. к. в XMP профиле не прописаны обычно вторичные тайминги явно? Остальные вторичные тайминги пока по рекомендациям выставил лишь частично, похоже причина ошибок была не в них (и можно было оставить как было)

эт ты решил сам с собой поговорить прилюдно? если нет, то без всего таймингового ряда + частот что ты там намудрил в итого малоинформативный диалог выходит
+ если хочешь погонять trfc&tREFI вот https://yadi.sk/d/-KAUfvX3q6V41Q те вариант в разработку.
+ гляди +- за темпой плашек может на 2 проходе они у тебя чутка прогреваются, хотя эт будет удивительно для однорангов и планок с радиаторами.

Большее tREFI облегчает режим работы памяти.
При большем значении tREFI заработает меньший tRFC.
tREFI нужно снижать только на бракованной памяти, которая не может держать заряд.
Можно попробовать дополнительно охладить память.

Снижать относительно штатного? Я ведь сначала повысил его до максимально возможного значения: 32767. Оно же не обязано так работать, насколько я понимаю, даже в штатном режиме(XMP), а тем более на повышенной частоте? Изначально значение было ~ 10 тыщ с чем-то, 10400 что ли. Есть таблица для DDR3 2400 с допустимыми tREFI/tRFC для разных чипов? В теме по DDR4 только по DDR4 есть таблицы вроде...И как кстати надо tRFC/tREFI менять - всегда в паре или можно по одному - сначала найти макс. tREFI, а потом снижать tRFC (или наоборот)?

От максимального.

DDR3 Corsair Vengeance Pro 2x8GB KIT CMY16GX3M2A2400C11R ver.5.23
XMP 2400 11-13-13-31 1.65v
(проц i7 5950 почти аналог i7 5775c )



Результат в сандре
https://ranker.sisoftware.co.uk/show_ru ... 9cbac9f4c4

Добавлено спустя 14 минут 26 секунд:

RAS to RAS снижать до 4, как получится
FAW (Four act win)=4x (RAS to RAS)
Read to Pre снижать пока возможно
Dram REF cycle снижать пока возможно

Получилось до 4 и FAW 16(4х)


Read to Pre 6
Dram REF cycle 300

Теперь пройти тесты на стабильность.

После 30 секунд 4 ошибки и я закрыл.

сделал 6-24

Вернул 320
Ща не было ошибок

Добавлено спустя 10 минут:
1 ошибка в 4 минутном тесте
https://ibb.co/XxtRnv5
Тайминги
https://ibb.co/bNXczJC

Я бы снизил RRD до 4 и FAW до 16, а tRFC (dram ref) оставил в авто и протестировал.
Еще можно пробовать RRD=5 FAW=20.

6 ошибок за 30 секунд. tRFC Auto (361)

Ща буду пробовать 5-20 и тд

Добавлено спустя 8 минут 28 секунд:
up.
5-20. tRFC Auto (361) - 5 минут без ошибок

Добавлено спустя 11 минут 47 секунд:
up.
RRD=5 FAW=20.
tRFC=321
5 минут без ошибок

Итог
https://ibb.co/L0Wy8N5

А в биосе больше никакие тайминги нельзя изменять?

Добавлено спустя 1 минуту 9 секунд:
Еще можно попробовать
RRD=4 FAW=20, если не будет ошибок, то
RRD=4 FAW=18

Ещё 2 раздел:
1. RTL IOL
2. Skew control
https://ibb.co/YTxZfFk
https://ibb.co/9pBd26W

Основное
https://ibb.co/TbjQ1J4
https://ibb.co/DrC7qMX
https://ibb.co/Yh9symv
https://ibb.co/cLK4Lgg

WRRD и RDWR можно снижать.

Добавлено спустя 4 минуты 41 секунду:
WRWRdr=6

прошёл мемтест 4 минуты

Добавлено спустя 1 минуту 55 секунд:
сейчас напряжение 1.678 V

anta777 В общем не катит у меня макс. значение tREFI: при одном и том же tRFC (300) на макс значении tREFI=32767 получаю 25 ошибок за 4 прохода в 13м тесте memtest86 (появляются не сразу, а начиная со 2-го цикла), при tREFI=15600 ни одной, но 1-2 предупреждения(обычно на цикле 3-4), что тоже говорит о неполной стабильности памяти. Другие вторичные тайминги поднимал и пока влияния их конкретно на этот тест не заметил никакого(остальные тесты memtest86 проходили вообще без проблем с нестабильными таймингами даже, правда все 4 цикла не гонял, но 2 точно), то есть наверное можно вернуть обратно без какого-либо ущерба стабильности? tREFI очень коварный тайминг - нестабильность крайне редко проявляется в обычном использовании, да и в tm5 Extreme1 у меня не было ошибок вообще, пару раз прогонял (3 цикла по 2 часа в сумме) на тех настройках.

Тестируй testmem5 вместе с фурмарком - мгновенно найдет ошибочный tREFI.

А если поднять напряжение до 1,75 В? И RFC и REFi - неплохо масштабируются напряжением.
Насколько я понял, KIT CMY16GX3M2A2400C11R - УЖЕ разогнан в XMP-профиле при 1,65 В. Это DDR3-1333 с отборными чипами.
Пытаться там еще что-то разогнать и получить стабильность при этом - сильно вряд ли...