это применимо к 1 кристаллу! а не к 500 000 000 кристаллам!
посчитай сам. делим 100вт на 500 000 000 кристаллов (условно примем что половина не участвует в силовых схемах)
итого 0,000 000 2 вт = 200нВт на транзистор!
и считаете что это приведет к деградации?
1 вы посчитайте объем этих кристаллов во внешнем силовом транзисторе и в процессоре и вы поймете что удельный нагрев(на объем и даже на единицу площади намного меньше! )
435 кв. мм у i7 3820 @ 130вт
и
10 кв. мм у внешнего транзистора в усилителях мощности
при 100вт начинается спад бета(коэфф усиления у биполярного транзистора)
и
при 200вт начинается спад крутизны(у полевого транзистора)
даже если.
в 44 раза меньше площадь должна быть для того чтобы началась эта деградация. в 44!!!
и это даже с запасом температуры перехода более чем в 2 раза!(2010-2011г)
175гр - допустимая температура для современных технологий.(1997-2000г, а реально древнее)