Есть ли смысл брать за место самсунга 1333 http://www.ulmart.ru/goods/206685 1600 http://www.ulmart.ru/goods/251561 Или это вообще по сути одно и тоже??

StarSkream смысла нету

BAND1C00T Объясните почему нет смысла, ведь 12800 дает больший потенциал для разгона? Или я не прав?

И еще такой вопрос: Есть ли разница между односторонней (чипы только с однйо стороны) памятью и двухсторонней?

Jasper кто сказал что дает?
производитель дает гарантию что на таких частотах сбоев не бьудет и все.
это могут быть те же чипы что и в 1333 но уже в разгоне.
разница есть но вас это волновать не должно.

BAND1C00T Ясно. Спасибо.
Если в QVL к моей материнке не указано:
SAMSUNG M378B1G73AH0-CH9 8GB DS
значит ли это я мне следует покупать память только с такой маркировкой и именно DS (на сколько я понял это значит Double side) и память с другой маркировкой не факт что подойдет?

Jasper
M378B5273EB0-CK0 - эти худшие из предложенного тобой
могут 2400 11-12-12-30 при 1,65в, лучше не получается

gungstar 2400 при таких таймингах это супер да и НИКТО НЕ ДАЕТ ГАРАНТИИ НА РАЗГОН!
кому как повезет!
Jasper да, лучше брать из списка рекомендованых модулей и никак иначе, а то может не заработать

народ кто нибудь видел планки Хюникс 4гб 1600мгц на черном текстолите

Metall4
А маркировка как здесь? http://www.paradox.ua/product/33952

вроде начинается с НМТ451 и чипы стоят только на одном стороне,я еще не получил их но уже знаю что один зеленый а другой черный ппц.жду когда принесут

Metall4
HMT451U6MFR8C ?

А есть реальные владельцы свежей M378B5273EB0 памяти? Какие результаты по сравнению с DH0?

заказал комплект Crucial CT51264BA1339, посмотрим как она. сейчас у меня geil enhace plus 1500 на elpida b-die, не очень память, даже на 1600 с 1т не хочет.

купил,пожалел,верну.

2000 взяла с натугом с таким вольтажом...

Есть еще и M378B5173СB0-CK0, односторонняя. Взял такую на днях, 3 шт по 4ГБ. http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/product/computing-dram/catalogue?iaId=693. Типа, пишут CustomerSample. 623 руб штука - дешево и приятно .
зы. попадалась инфа, что DH0 - 40 нм техпроцесс, СH0 - 30нм техпроцесс...Какой же тогда техпроцесс у односторонних 4Гб модулей СВО и ВНО? 22нм? По теории, чем меньше техпроцесс, тем меньше должна грется, вроде так?

и каковы результаты в разгоне?

1920 при 9-10-10-27. Дальше пока не гнал, не разбирался и не подбирал тайминги. Будет времени побольше, еще подразгоню. Думаю, 2100-2200 должны легко взять.

Рекомендую Samsung, т.к. хорошо гонится и цена небольшая:) Если ставить в двух/трех/четырех канальный режим, как сказано выше, следи чтоб маркировки на планках были одинаковые (DH/BH)

ps: Свои разогнал до 1866 (9-8-9-24)

У меня СB0, односторонняя. Спокойно взяла 1920 на 1.5 В, тайминги писАл (поставил, что народ рекомендует) Не греется, хоть и без радиаторов. Может правы "злые языки", утверждающие, что радиаторы всего лишь, прикрывают фирму производителя чипов памяти?


Какая скорость?

Samsung EB0-CK0 (M378B5273EB0-CK0), сделано в Китае , 2*4ГБ, двухсторонние , без радиаторов, разгон 2500Мгц, нарпяжение 1.55v, без вылетов
http://rghost.ru/42442470.view
http://rghost.ru/42442479.view

на новой мп, хуниксы 1333 взяли 1860 без проблем, возможно это связано с новой мп, т.к. на другом компе, 1366 сокета, не получалось взять больше 1600