Ждём Ваших отзывов о материале.

Соблюдение Правил конференции строго обязательно!
Флуд, флейм и оффтоп преследуются по всей строгости закона!
За статью можно проголосовать на странице материала.

С памятью то всё хорошо, там тепловой поток небольшой, да и структура памяти линейная, там нет точек дикого нагрева. А вот как отводить тепло от бутербродов графикой или ядрами. Есть конечно куча способов таких как:
1. Через толстые медные TSV соединения. (не факт что такой кусок меди можно будет воткнуть в нужном сильно греющемся месте)
2. Циркуляцией жидкости между слоями (сложно, надёжность меньше и высокая цена)
3. Просто увеличить расстояние между слоями и заполнить это место проводником тепла (недорого но и не ахти как эффективно)
4. Уменьшение выделения тепла с помощью некой популярной технологии которую называют "тёмный кремний". Суть в том что скажем один транзистор работающий под высокой нагрузкой заменяется на два в более щадящем режиме. Скорость почти полностью сохраняется, а тепловыделение очень существенно падает. Помните когда FSP стали ставить в блоках питания дублированные детали работающие ниже нормальных режимов и радиаторы стали маленькими, а блоки питания лёгкими. Но недостаток в расходе транзисторов и отсюда площади микросхемы... а производители вроде как пытаются в то же время сделать площадь минимальной.
Вот такие противоречия. Интересно к чему это всё приведёт и как в итоге решится.

Мне понравилось про взрывающиеся микрухи. Взрывающиеся кондёры уже прошлый век, теперь куски кремния из блока вытряхивать.

"что уменьшило её бюджет на разработки." - это кто так бурно фантазирует? Источник укажите пожалста...
Смотрим тут и выводы делаем сами...

В заметке не стал детализировать. Опытный чип содержит два металлических слоя по обе стороны бутерброда. Медь по TSVs-каналам частично отдаёт тепло на них. Но эффект деформации кристалла всё равно присутствует. Пока не научаться делать достаточно тонкие TSVs-соединения, будут бороться толщиной подложки, которую трудно взломать неравномерным расширением и управляя "структурой" медного проводника. Т.е. пытаясь контролировать коэффициент теплового расширения.

Добавлено спустя 2 минуты 41 секунду:


А что, весь бюджет идёт на техпроцессы? В заметке речь о конкретном направлении.

ЗЫ. Был бы благодарен за информацию по бюджету завода IBM в East Fishkill.

Может я придираюсь, но текст заметки "IBM перестала играть достаточно заметную роль на рынке контрактных полупроводников, что уменьшило её бюджет на разработки." - где там про конкретное направление то?
Есть такой документ, правда за 2010 год - там более ясно всё указано...бюджеты вроде только растут нет?

Добавлено спустя 7 минут 8 секунд:

Может это?

Ага, гляну, сенкс, актуальность правда, не ахти. О направлении - это и есть полупроводниковое производство контрактных полупроводников. Десять лет назад она была третьей в мире, а раньше - первой. Сейчас где? В пятёрку попала? Сомневаюсь. В десятке контрактников осталась? Может быть, но не уверен, искать данные сейчас не буду. Свои объёмы - так себе. Xbox и PS3 - дыры затыкают, но в масштабах TSMC и GlobalFoundries - пыль под ногами. Об этом и речь.

Спасибо, а то у меня уж фантазия разыгралась про 3 и более слоев. С 2-я справятся.

Учитывая вложенные в исследования бабки, кучу патентов и всякие нобелевки мой ХШ подсказыает что Big Blue будет всех жестоко троллить, когда те-же GloFo, Intl, TSMC в очередной раз упрутся в какой-нить очередной субатомный барьер

А где многослойные процессоры с микроканалам под СВО, про которые IBM уже несколько лет рассказывает?

Такие тоже есть, но это уже другая история! ;о)

Добавлено спустя 1 минуту 18 секунд:


Одно другому не мешает, наследие можно долго проедать. Но ведь всё хорошее когда-то заканчивается?

Ну, учитывая что все это получено за последние годы, и вроде деньги на R&D продолжают поступать - можно предположить что троллинг будет долгим и плодотворным

С одной стороны у IBM 45нм эт мало, а с другой у intelя сща ток 10% в год

если и в правду слои делать дешевле чем переходить на 22нм
то даёшь нам 10 нет 20 слоёв
минимум 40 нет 100 CPU

ВОПРОСНЯК: какая вам разница или розница - >>> как они делают CPU ведь главное скорость и энерго потребление

Может тупо теплопроводностью? Слои то тонкие. Слой термопасты наверное и то большее сопротивление имеет. Температуры GPU, CPU и RAM будут одинаковы, пусть даже 80 градусов, не смертельно. Про воду между слоями чипа совсем уж фантастика, гидравлическое сопротивление будет астрономическим.

чтоб СPU не грелся - снизить с 4 Гц до 2Гц скорость
допустим будет 40 CPU работающих на скорости 2Гца

у интеля заявлено - что новые CPU будут потреблять 10 ват на чистоте 2Гц - умножаем на 10 слоёв = 100 ват
а 20 слоёв = 200 ват

в дороге будет работать допустим один слой - эт 10 ват, а от розетки 20 слоёв - скорость возрастёт в 20 раз

уже представляю как этот бутерброд перекосит от неравномерного нагрева

30 не будет как не крути минимум 40-45. после 100 включений и выключений шанс трупа очень высок все равно, хотя могли бы вместо меди платину использовать надёжность выросла но стоимость

Многослойные кристаллы, новые материалы, новые принципы построения логики (из принципиально новых логических элементов), интеграция в графеновые полупроводники квантовых кубитов (новые логические элементы, опять-таки), революционная система охлаждения на основе микрокапилляров, принципиально иные интерфейсы человек-машина...

А что у остальных? А у остальных кукурузные 14нм и 5-10% прироста скорости на каждые два шага прогресса.

Вы уверены, что правильно называете кандидатов на свалку истории?

Tiger.711 У остальных хотя бы реальные продукты есть, в отличии от.