Соблюдение Правил конференции строго обязательно! Флуд, флейм и оффтоп преследуются по всей строгости закона! За статью можно проголосовать на странице материала.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 10.08.2015 Откуда: Молдова
не думаю что делать разводку на плате на 512 bit будет сильно дешевле. так что на топах и пред-топах - наверняка будет стоять HBM1/2, да и на топовых АПУ скорее тоже. а мидл со 128-256-битной шиной - поимеют GDDR-X. имхо , конечно.
Generally, the 14nm FinFET process has 50 to 60 percent higher energy efficiency and 20 to 25 percent higher performance than the 28nm planar process. AMD’s new product is also expected to have the similar level of performance improvements.
Generally, the 14nm FinFET process has 50 to 60 percent higher energy efficiency and 20 to 25 percent higher performance than the 28nm planar process.
вероятно имелось ввиду что на 14 nm при той же площади (на которой уже x2 число транзисторов к 28 nm) энергопотребление ниже на 50-60%, а если оставить его на том же уровне , то можно поднять частоту на 20-25% .
Lexagon писал(а):
AMD’s new product is also expected to have the similar level of performance improvements.
скорей всего эти дятлы из businesskorea.co.kr сами не знают что пишут
itmanager85 Там все же подразумевается двухкратное снижение энергопотребления при переходе на новых техпроцесс. Интель Энвидиевич Это уже придирки, всем понятно что я сказал.
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 13
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения