Ничего не жирно. "Северник" (PCH), встроенный в процессор Ivy Bridge, выполняется по нормам 65 nm, а не 22nm как ядра. В Haswell его срезали до 32 nm.
И не стоит забывать об архитектурных улучшениях, на которые тоже потребовалось доп. пространство кристалла

И вообще, миниатюризация и конъюнктура рынка подводит всех производителей к одному чипу - SoC. Собственно, Haswell U-модели уже и есть System-on-Chip равно как и AMD Kabini...

эти "дыры" участвуют в цифре количества транзисторов в кристалле? вроде нет. значит они нас не волнуют.

а вы хотели теоретическую зависимость, когда плотность увеличивается пропорционально квадрату уменьшения технологических норм? а было ли так до 2002 года?! это легко проверить. поищите данные.

Koschey Bessmertniy "дыры" это проблемы дизайна чипа а плотность это уже к техпроцессу но ваше среднее побольнице это конечноже показатель а дяденьки которые кунают хасвелы и ивики к кислоте а потомо смотрят под электронным микроскопом видимо фигнёй занимаются

как вы это себе физически представляете?! одну и туже пластину обрабатывают сначала в оборудовании для 22 нм, а потом перемещают на оборудование для 32 нм?! так не бывает. а если вас интересует средний размер конечных транзисторов на пластине, то он варьируется от предназначения. к примеру транзисторы регулярных структур типа кешей имеют плотную компоновку, а транзисторы нерегулярных типа ядер и контроллеров - гораздо менее плотную. связано это не с проблемами в оборудовании, а со сложностью размещения связей на кристалле, размещения дополнительных элементов (не транзисторы), обслуживающих транзисторы, исключения взаимного паразитного электромагнитного влияния элементов (ёмкостные наводки, индуктивные наводки). а ещё нужно учесть тепловую нагрузку. вот и приходится делать как бы большие по размеру элементы (оставлять большие зазоры), чем позволяет литография.

Koschey Bessmertniy нанометры определяюстя фотошаблоном и их колвом ничего не мешает выполнить часть фотошаблона по нормам 22 а другую по нормам 90 нм (выбы это знали если бы прочитали сцыль чт оя только что дал)

да, среднее по больнице, но:

это вполне объективно. позволяет представлять кпд перехода на новый техпроцесс. в рассматриваемом случае теоретически должно было бы быть (32/22)^2=2,12 но получилось что-то около 1,53. кпд 72%. найдите более лучший кпд перехода на более тонкий техпроцесс. основная проблема нынче, ИМХО, то, что токи утечки в купе с напряжением работы (мощность) транзисторов уменьшаются медленнее, чем увеличивается плотность транзисторов. отсюда и известные проблемы 22 нм процессоров интел (удельная плотность теплового потока). этот процесс шёл не 1 поколение техпроцессов, просто при 22 нм проблема стала видна не вооружённым взглядом. а теперь представьте, что если бы плотность увеличивалась весьма близко к теоретическому показателю (высокий кпд)? кристаллы ивиков были бы в разы меньше, плотность теплового потока была бы на столько большой, что отвести его не представлялось бы возможным современными методами. пришлось бы сильно снизить напряжение и частоты. во сколько бы раз уменьшился кристалл, во столько бы раз его и затормозили бы )) при TDP до 20 Вт процессоры бы грелись до нынешних 100 гр.С под суперкуллерами. кстати, при сближении транзисторов на кремнии токи утечки возрастают. если транзисторы без сближения уменьшить, то токи утечки заметно снижаются. сближаем транзисторы - токи растут. но даже если бы они не росли, плотность теплового потока (читай проблемы с СО) всё равно увеличивается.

Koschey Bessmertniy тамже описывается технология полностью исключающая токи утечки но интел её не применяет

Добавлено спустя 4 минуты 49 секунд:
а если по теме то похоже у интела проблемы с 14 нм ибо не будь проблем то бродвелов хватилобы на всех

Конечно, глубокие знания матчасти. А то, что на приставках Линукс, а на ПС - виндоус - разницы нету что-ли?

Добавлено спустя 2 минуты 57 секунд:
Где купить можно у нас - нигде. Только из-за бугра заказывать. Поэтому "это, сынок, фантастика". Если бы подобный агрегат (IPS, 8", Интел, Вин 8.1) лежал за $330 - то понятно, что все остальное сразу отправилось бы в мусорку.

не исключено

Это не фантастика, это будущее - 8.1 в продаже только через месяц. И, естественно, за бугром их ещё тоже нет.

Сдается вы что-то путаете, PCH - платформ контроллер хаб, это не Север. Это чипсет, по сути Юг, на материнке. И он действительно у IB выполнен по 65нм, а у HSW по 32. Но он не в процессоре, внутри которого, есессно, все по 22.

в хасвеле встроенный регулятор напруги выполняется по нормам 90 нм

Foolleren
Откуда дровишки? по 90 выполнялся внешний регулятор, для прототипов еще на Конрое.

а катушку индуктивности IVR вы думали они будут шпилить на 22 нм? деньги то не лишние

Foolleren
из статьи по вашей ссылке:

а если к вышесказанному добавить то, что процессоры АМД оказались ещё с гораздо худшими архитектурными и частотными характеристиками, то АМД ещё и отпускные цены пришлось держать ниже в расчёте на единицу площади продаваемых кристаллов. сплошные убытки. где-то кто-то там сильно просчитался.

по самому пердовому техпроцессу долбят только слой транзисторов и первая парочка слоёв обвязки а то что не требует такого делается на техпроцессах по древнее
да и вобще в бейте в гугле Haswell 90nm увидитесь

какие нафиг катушки индуктивности в интегрированном преобразователе напряжения в хасвелле?! там без них должны были обойтись без вариантов.

Foolleren
На 90 у регулятора площадь 108 мм2, у всего Хасвела 170 ))

#77
вот такие
а если присмотретсья то тут можно увидеть и конденсаторы

Добавлено спустя 1 минуту 40 секунд:
Рупрехт а что мешает ивр намазать по кристаллу? в танзисторе и так овер 20 слоёв металла ещё 8 погоды не сделают

Foolleren
Не фантазируйте.