Megagad всё правильно писал, у СБ 32 нм это ширина затвора. У ИБ она соответственно 22 нм. А ещё + ширина истока и стока

2)а не проще в таком случае прямой контакт между испарительной камерой и чипом? ограничительную рамку сделать как на радеонах и чип сколоть будет проблематично.
3)в таком случае проще уменьшить частоту\напряжение. А производительность при той-же площади будет выше из-за большего количества транзисторов.

2) Это и есть прямой контакт испарительной камеры с чипом.
3) Это другой подход к той же проблеме. Не стоит забывать, что ещё одно ядро не запихать в ту площадь, которую микрокапилляры займут, особенно, если они будут в отдельном слое микросхемы. Не стоит забывать, что расчёт микрокапилляров на многослойные микросхемы, где первым слоем идёт чипсет и некая логика, вторым - видеочип, третьим - память, а четвёртым - сам проц.

Tiger.711 Вообщето "чипсет/память" идут первыми слоями. ближе к выводам. А проц/видяха - верхние, ближе к радиатору.

2)не совсем. хладогент он там испарятся должен? тогда хоть тепло будет и хорошо отводится, но только когда разница температур будет градусов 5, не меньше, а может и больше. т.е. вполне возможно, что в результате будет только лишьнее тепловое сопротивление.
3)а почему тогда площадь увеличится?

Megagad
Окей, буду знать. Думаю, мне это пригодится, когда буду проектировать собственную систему на чипе (:

Lurker-beta
1) Нижней стенки. Хотя вариант, когда испарительная камера одно целое с чипом тоже следует рассматривать.
2) Увеличится, но не так кардинально, чтобы можно было впихнуть невпихуемое.