не надо точно. надо только куда, и хотя-бы примерно-еденицы процентов или десятки, или вообще доли процента.

То что это не площадь ядра, а площадь кристалла (и вроде как там больше 25?). Но фишка в том, что в Ivy значительно увеличилось в размерах видеоядро, а гоним мы обычные, которые уменьшились сильнее, даже простое деление норм 32\22 дает 45%. хотя конечно это оч грубо. Тем более у Ivy затвор вертикальный, т.е. транзистор в планарной системе координат уменьшился еще и за счет этого.

По тому , что для нормальной работы тепловой трубки нужен перепад температур минимум градусов 5 а вы предлагаете сделать не один перепад а целых 2 что приведет к росту температуры ядра процессора градусов на 10 в результате температура останется тойже но цена на систему возрастет.К тому же испарительная камера должна иметь определенную пространственную арентацию иначе ее эффективность снижается.

Насчет определенной ориентации сомневаюсь т.к. на видеокартах охлаждаемая часть сверху. а значит капилярная система позволяет работать в любом положении(точнее может быть спроектирована для любого положения)

хм.. тогда попробую объяснить заново, что я имел в виду.
1)ставим на кристалл испарительную камеру
2)сверлим по периметру дырки.
3)в дырки вставляем тепловые трубки.
4)запаиваем.
Итого-получилась тепловая трубка сложной формы.
Правда как состыковать капиляры вопрос.. возможно от них действительно придется отказаться и будет работать только в десктопных корпусах.

Так будет точнее, да. 25%, смотря оносительно какого кристалла. Ivy меньше Sandy на 25% (216-25%=162мм2). Sandy больше Ivy на 33,3% (162+33.3%=216мм2)
Угу, увеличилось. И составляет 32% площади кристалла. У SB она была 20%. Т.е. у SB без графики (грубо) 172,8мм2, у IB 110мм2. Итого, вычислительная часть уменьшилась на 57%.#77
Не вижу кардинальных отличий.

Но не забываем об уменьшенном потреблении энергии и TDP.

Я не спорю, что IB может сильно греться или трудно охлаждаться. Но то, что описали выше - мне верится с трудом. Поэтому, чтобы не устраивать бесполезной болтовни - я подожду реальных обзоров ЦП, которые пойдут в серийный выпуск.
В целом... если всё окажется так плохо... то могу посочувствовать оверам Или порекомендовать не брать их для разгона
Ну а что касается меня, то я пока не планирую апгрейд на топовые или предтоповые железки... Не до этого мне. Да и по мощности, в основном, для моих нужд переизбыточны.

Ну как же? 1 из 3х составных элементов транзистора - затвор, раньше располагался в плоскости, а теперь он находится над стоком и истоком, 3D типа. Т.е. в плоскости, на которую мы и прикладываем куллер, площадь кристалла уменьшается даже относительно обычного, планарного 22нм т-процесса, т.к. транзисторы в 2D плоскости занимают теперь меньше места. Отсюда вытекает, что поток тепла излучаемый ядрами будет интенсивней у 3D, труднее будет эффективно его снимать.


А также об увеличенном TCase.

Coolaller
Да, вполне ясно: "меньшее тело хуже отдает тепло по сравнению с большим", куда уж яснее. А то, что пишу сам, понимаю. Правда меня не всегда понимают, к сожалению... Видимо придётся пояснять: тело - штука трёхмерная, например, 1х10х100, единицы можете выбрать сами. Ну, и сами же решите, с какой из поверхностей лучше снимать тепло, или какая его будет отдавать лучше - как угодно.

Что-то сомнительно, что на LGA 1155 с такой степенью интеграции еще пару ядер можно впихнуть.

Рупрехт
Ну, для чего затвор сделан "трёхмерным" все, наверное, знают. Хотя,строго говоря, и планарный затвор тоже трёхмерный, правда там в создании поля участвует только одна плоскость тела затвора. Однако почему-то Вы решили, что тепло передаётся через затвор, хотя он не "торчит" над всем чипом, там ещё куча слоёв с проводниками, соединяющими группы мосфетов, а сами ядра, т.е. большие группы мосфетов же, соединённые определённым образом составляют нижний слой чипа.

Не об этом речь, а о том, что с плоскости, если грубо: "выкинут" 1 элемент, соответственно площадь этой плоскости (чип) -- уменьшается. Хотя он конечно не целиком с плоскости выкинут.

Добавлено спустя 37 минут 54 секунды:
И если точнее "выкинут" не сам затвор, он и так наверху, вы правы, а проводник под затвором.

Рупрехт
Да и этот момент тоже "виноват" в уменьшении площади чипа. Вот только мне кажется, что те высокие значения TDP, которые были получены в опубликованных тестах не могут быть объяснены уменьшением площади чипа, уж во всяком случае, только уменьшением этой площади. А то уже некоторые пугают форумчан "бутылочным горлышком", хорошо ещё, что не "розочкой". Конечно, я понимаю, что не могу судить авторитетно, с полным знанием предмета. Однако, есть причины думать, что дело не только в этом эффекте, а скорее не столько в нём, т.к. в ином случае нужно предполагать, что инженеры интел полные идиоты. Впрочем, некоторые персонажи с истинно тинейджеским максимализмом судят именно так.

Слева фото: 32 nm Planar Transistor. Затвор (зелёный) аналогичен затвору на рисунке справа (который типа 3D), разница лишь в том, что на 22нм транзисторе затвор в середине наполовину поперечного сечения пересечён кремнием.
Велика разница? 3D

Не проводник, а "диэлектрик" (полупроводник). Не выкинут, а интегрирован (частично) в затвор. Очевидно для более рационального использования площади "диэлектрика".

vladvicos
Да конечно, наверняка не только в уменьшении, это лишь способствовало, думаю т-процесс еще не отлажен, этож первая в истории реализация 3D, его еще пилить и пилить.

Кстати, посмотрите до какого степинга с Ivy промучились - Е1, а ведь это даже не новая архитектура (у Санди и то меньше был) а шринк старой, за искл в-ядра. Не исключенно, что какую-то роль тут сыграл и сам т-процесс.


У меня почему-то не видно "фото" Но разница таки есть, и дело еще не только в уменьшении самого транзистора, при tri-gate они будут располагаться ближе друг к другу, со слов Интела.


Так это две разные вещи, вы уж для начала определитесь.


Там вообще-то специально сказано из плоскости, если грубо: "выкинут". ** Хотя конечно не целиком

Это многое объясняет Если бы картинка отображалась, всё бы встало на свои места.
ссылка на источник http://www.scpu.ru/2011/09/20/intel-ivy-bridge-подробности-о-микроархитектуре/
смотрите фото с заголовком Transistor innovation.
Это Вы сначала определитесь.. что же там в конце концов выкинуто.. или всё же не выкинуто
Смотрите фото, речь идёт о кремние.
Дубль 3. Смотрите фото.

Это тот самый случай, когда: "Лучше один раз увидеть, чем сто раз услышать (прочесть)"

Ну так и? Процентов до 10% транзистор в плоскости потеряет, в сравнении с планарным, а сколько вы хотели 50 что-ли? + более высокая плотность размещения элементов в схеме, сколько то даст.

Рупрехт, А теперь, перечитайте диалог отсюда Увеличенный TDP процессоров Ivy Bridge – ложная тревога? #9580958
Итого: 1. Уменьшение транзистора. 2. Следствие из первого - увеличение плотности размещения транзисторов. 3. Уменьшение тп (32=>22), что ещё ведёт к первому и второму.
Уж всяк больше 10+%

Intel делает очень сильный шаг. И с теми трудностями, с которыми сейчас сталкивается Intel, всё равно столкнутся другие производители, когда достигнут подобной миниатюризации.
Сейчас бы им в 1,5-2 раза увеличить видео, и выкинуть пару ядер - получился бы отличный конкурент для Llano.

Рупрехт, писал (а)
- вот, предположим, здесь может скрываться причина каких то утечек, обусловленных неточностями возникшими при массовом производстве, могут быть ошибки в литографии или ещё в чём-то. Не мне судить об этом, я в одном уверен, если бы нагрев чипа был "штатным" т.е.близким к полученному в лаборатории (что. вероятно, и было основнием для заявлений о меньшем TDP и других преимуществах 22 нм технологии), то таких проблем не возникло бы. Скорее всего дело в ошибках, допущенных при переходе к массовому производству, что иногда случается и в менее требовательных отраслях.
P.S. Короче, проблема, как я понимаю, не в ошибочности самого метода, или хуже того, в бездарности и жульничестве инженеров интел - в чём тут некоторые безапеляционно их обвиняют, а в банальных ошибках на пути лаборатория > производство.

Зачем?

Скорее следствие из tri-gate.

Не понял, это к чему?

vladvicos
Кстати, для Интела то все хорошо. Процы потребляют чуть меньше, площадь ядра маленькая 160мм2 у квада! с в-ядром +DSP, у 2х ядерников вообще наверное только площади и хватает, чтоб все ноги развести, маржа будет дикая. Гонятся они под азотом только в путь, каждую неделю обыватель будет удивляться нов рекордам. Все замечательно.)

А то что они под воздухом нифига особо не гонятся, а только замороженные в усмерть -- так кого это волнует?

DigiMakc Да это вам похоже, перечитать надо. Посыл был в том, что транзистор 3D в плоскости уменьшится -- он верен. Еще вопросы?