Согласно информации, опубликованной на сайте Physorg , первые микросхемы, в которых будут использоваться данные транзисторы появятся при переходе полупроводниковой индустрии на 7нм техпроцесс.

галлия арсенид-один из осн. полупроводниковых материалов для интегральных микросхем, фотоприемников, СВЧ- и фотодиодов, транзисторов, инжекционных лазеров, оптич. фильтров и модуляторов лазерного излучения, солнечных батарей и др.

Лит.: Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, под ред. Ф.П. Касаманлы и Д. Н. Наследова, М., 1973; М ильвидский М. Г., Пелевин О. В., Сахаров Б. А., Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений. (На примере арсенида галлия), М., 1974. П. И. Федоров.

молибден - красивое слово.

надо придумать название/определение достаточно распространенным личностям - которые как школоло, только наоборот - "старперы", чтоли... не то.... Набегает такая горделивая плесень - и начинает - вот мы, да еще в сссссссср, в одна тысяча восемьсот-таком-то году все это изобрели, произвели и поломал....

Название: Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления
Под ред. Д.В. Ди Лоренцо, Д.Д. Канделуола
Издательство: Радио и связь
Год: 1988
Книга ведущих специалистов из многих стран охватывает широкий круг вопросов, отражающих современное состояние проектирования и технологии изготовления полевых транзисторов на арсениде галлия, а также интегральных схем на их основе.