Ждём Ваших отзывов о материале.

Соблюдение Правил конференции строго обязательно!
Флуд, флейм и оффтоп преследуются по всей строгости закона!
За статью можно проголосовать на странице материала.

два варианта:
1) сейчас набежит школота и начнёт кидаться своими никчёмными довыдами
2) школота ничего не поймёт и пройдёт мимо (а этот комментарий будет единственным)

по теме:
Коробку пора уже выпускать, а кто делает еДрам для неё не понятно %)

ам... два раза слово "ОНИ"
....по площади они они меньше в разрезе....

грамар нацы...
по теме есть чего ? или только низкопробные наезды ?
автоправка хрома ничего подозрительного в этом слове не нашла

по теме:
привели бы все ТТХ ибо только маркетинг размеры\потребление
у кеша много других ТТХ, без которых сравнение не полное

Fixed! Сенкс.

Каникулы начались...

Борьба за повышение быстродействия продолжается. Теперь на поле еДРАМ. Это гут!


За что вы так не любите школьников? Вас бьют в классе?

Тем не менее, даже если скорость ниже, то преимущество в виде меньшего потребления энергии хорошо скажется на ноутбучных и мобильных процах.

Добавлено спустя 57 секунд:

Его бьют на работе те, кто бил в классе =)

бывшие одноклассники уже своих в школы водят

з.ы. школота - это не возраст, а недоразвитость сознания...
у некоторых и к внукам не проходит
всякие фанбои и фанатики - явный пример

по теме:

без понимания задержек и пропускной способности не понятно, сколько же реальная экономия (ибо проц ждущий данные тратит энергию)

Нагнали загадочности, и кто же тогда едрам для ящика выпускает?

Для XBOX ONE еДРАМ может выпускать NEC как и для XBOX 360

Интересно будет посмотреть тесты встройки hd5200 с этой едрам

Тесты Ириски давно уже есть. Гугл в помощь.

Я не знаю, кто здесь пишет эти новости, но в очередной раз убеждаюсь, что автор явно не совсем разбирается в теме. Поэтому не могу пройти мимо и не прокомментировать



В любой книжке по VLSI вы найдете, что ячейка SRAM состоит, как правило, из 6 транзисторов: два инвертера и два пасс-гейта. А ячейка DRAM, как в данном случае, обычно состоит из 1-го (хотя может и из большего количества, что для eDRAM проще, чем использование trench-capacitora). Поэтому не мудрено, что eDRAM плотнее, чем SRAM. Я хочу этим сказать, что банальные вещи описываются в статье как какое-то новшество. У IBM эта технология была уже в 2006 году на 65 нм процессе.

Если мы полистаем вашу книжку дальше, то мы узнаем, что ячейка обычной DRAM примерно в 6 раз меньше по площади ячейки eDRAM. Но это не значит, что DRAM - это шаг вперёд по отношению к eDRAM. То же самое с SRAM. Этот тип памяти является полигоном для каждого нового техпроцесса, поскольку имеет простую регулярную структуру. Так что хитрость была сделать в 22-нм техпроцессе именно встроенную DRAM (eDRAM) и Intel его решила, на мой взгляд, очень элегантно. Практически из подручных средств. Хотя основной вопрос, не который она не даёт пока ответа (обещает зимой), что используются за материалы .

Ну, я думаю задержки и пропускная способность будут нечто средним между статической памятью и нынешним DDR, что в общем-то не плохо. А может даже и лучше.
А зная задержки, наверняка можно что-то придумать, чтоб проц не кочегарил ожидая память, какой ни-ть специально следящий блок для этого добавить например.