Ждём Ваших отзывов о материале.

Соблюдение Правил конференции строго обязательно!
Флуд, флейм и оффтоп преследуются по всей строгости закона!
За статью можно проголосовать на странице материала.

Корейцы молодцы, давно пора потестнить зажравшуюся TSMC. Вот только мощности у них не те.

Ну чо сразу зажравшуюся. Работают на совесть. Вкладывают в НИОКР почти столько же, сколько Samsung (неск. меньше). У них всё же разные профили. TSMC фактически голый контрактник, а Samsung разработчик, в некотором плане вынужденно ставший контрактником.

Мы не знаем всех деталей, но 28нм (в виде Радеонов и Джифорсоф) нам кушать еще до 2016, с 2012. Как для Эппл, так 20 нм мощностя нашлись, хотя там не такие уж и простенькие чипы - 160 кв.мм.

Так потому, что Samsung обслуживает себя, им не было смысла прогибаться под Apple. Они, кстати, всё равно поставляют 20-нм A8 для Apple. От 30% до 40% A8 - это Samsung. TSMC вынуждена была ускориться, чтобы перехватить заказы, но зато они рискуют пролететь с 16 нм. А 28 выгодна тем, что большинство слоёв при проекции использует всего один фотошаблон. При переходе на 20-нм будет минимум два фотошаблона. Это ощутимо дороже плюс растёт уровень брака.

Что значит "освоит FinFET"? Эту технологию "освоил" практически любой чипмейкер, вопрос только в том, в какой стадии. У FinFET литографии куча проблем с которыми при изготовлении планарных схем даже никогда ранее не сталкивались и качество их решения собственно и определит технологического лидера. Обратите внимание, что даже самые последние Core i7 и Xeon фактически производятся по технологии 22-26 Нм (о маркетинговых преуменьшениях технологических норм Intel говорят много и многие), т.е. даже 16Нм станет серьезным камнем преткновения, особенно в части производства больших SoC и GPU.

плюс лишний.

Почему?

ЗЫ. В оригинале речь идёт об уровне брака 16-нм FinFET+. Но может у вас сомнения в другом?

Как-бы потому что 16нм FinFET - слегка модифицированная версия 20нм техпроцесса, с трехмерными затворами, но сохранением других особенностей - ширины дорожек, расстояний между дырками и гейтами (pitch hole/pitch gate). А вот 16 нм FinFET+ - как раз таки уже действительно "16нм класса" - там и расстояния поменьшее. Посмотрите сами - вот же ваша новость: http://www.overclockers.ru/hardnews/64442/Tehprocess_20_nm_mozhet_okazatsya_nevostrebovannym.html
И картинка оттуда:
#77

Реально только 16нм FinFET+ имеет отличие в топологии от 20 нм, 16нм FinFET - не имеет. Оба они отличаются вертикальными затворами, но масштаб незначительно изменён только применительно к 16нм FinFET+.

Я то согласен. Но посмотрите что я процитировал из статьи, которую мы обсуждаем:

Тут же явно речь о просто 16нм FinFET, так как именно этот вид техпроцесса модифицированная версия 20нм. 16нм FinFET+ - уже более серьезная модификация. Я вот смотрел Интеловские материалы по 14нм техпроцессу, при переходе с 22нм. Там те самые "плавники" (fin) пришлось делать более высокими, чем для 22нм. Т.е. вполне вероятно, что и переход с 16нм FinFET на 16нм FinFET+ тоже будет более серьезным, чем просто уменьшение расстояния между гейтами. http://www.intel.ru/content/www/ru/ru/silicon-innovations/intel-14nm-technology.html

Интел первым

На мой взгляд, в данном случае получается спор на тему три банана - это куча, или куча - это четыре банана. ;о)

Хех... оно с одной стороны так. Но если бы TSMC не занимались.... рукоблудием с названими, а честно написали бы 20nm planar и 20nm FinFET - было бы проще и понятнее всем. А так приходится, собственно говоря, заниматься гаданием на кофейной гуще - на каком на самом деле техпроцессе все выпущено. Ибо 16FF будет лишь немногим плотнее 20P, а вот 16FF+ из-за уменьшившихся расстояний между гейтами и длины интерконнектов (а, возможно, ещё и сами фины транзисторов будут плотнее) - будет действительно более плотным и "менее жрущим"(хотя, возможно, и с более плотным тепловым потоком). Вот именно поэтому меня так и резануло упоминание, что 16FF+ является "незначитальной модификаций 20P"

aasheron, на сайте TSMC в разделе 20nm finfet не значится, а вот 16nm уже идет как finfet+.

Естественно что не значится, они "20нм" называют только планарный. А про 16FF (без плюса) они предпочитают поменьше упоминать. Но факт остается фактом - 10нм EUV они считают третьим поколением FinFET http://www.tsmc.com/english/dedicatedFoundry/technology/future_rd.htm
Да и в новости о освоении упоминают 16FF - http://www.tsmc.com/tsmcdotcom/PRListingNewsAction.do?action=detail&language=E&newsid=9001

Просто их PR-щики не хотят показывать того, что есть на самом деле.

aasheron, к выпуску видеокарт может что-то и поменяться. Похоже они там сами еще не определились.