Соблюдение Правил конференции строго обязательно! Флуд, флейм и оффтоп преследуются по всей строгости закона! За статью можно проголосовать на странице материала.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 02.06.2012 Фото: 2
mr.maestro писал(а):
Предел около 5 нм, максимум 3 нм.
Интересно, что будут делать все эти Интелы и TSMC, когда, лет через 5-7 достигнут предела ( если вдруг графен или что-то другое не оправдает себя)? Полная стагнация?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 06.10.2008 Откуда: НВ/ХМАО
Simba ya писал(а):
Интересно, что будут делать все эти Интелы и TSMC, когда, лет через 5-7 достигнут предела ( если вдруг графен или что-то другое не оправдает себя)? Полная стагнация?
А разве это плохо? Раньше за пять лет средний ПК превращался в тормозной хлам. Сейчас можно пять лет сидеть на одном "железе" и никуда не дергаться.
_________________ Я стою, как перед вечною загадкою, Пред великою да сказочной страною
И больше того, что то я не понимаю как оно вообще работает последнее время. Параметр решетки Si = 0,543 нм. При техпроцессе 14 нм, это кубик из 25 [атомов]x25x25=15625 атомов. Добавление 1 (одного) атома примеси делает полупроводник вырожденным. КАК ОНО РАБОТАЕТ!?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 03.03.2011 Фото: 7
ну, после достижения потолка по техпроцессам, самое разумное, на мой взгляд, это увеличение числа ядер и совершенствование методов программирования под многопоточность. А касательно конкретно камней - многослойная компоновка и интеграция всего и вся в один чип.
При техпроцессе 14 нм, это кубик из 25 [атомов]x25x25=15625 атомов.
14нм это расстояние, а не размер. Я не зря сказал что кодовое имя имеет смутное отношение к реальности.
Кроме этого обычно все смотрят даже на кодовое имя техпроцесса как на двухмерную структуру, но при сверхсверх малых размерах от чисто двухмерных структур скорее всего полностью откажутся. Сейчас рассматриваются варианты вплоть до 1.5нм, так что в ближайшие 10-20 лет за технологию литографии можно не волноваться, вопрос только стоимости изготовленных изделий.
14нм это толщина слоя транзистора, вот как раз он уже очень тонкий получается.
И то что уже пошли огромные проблемы в освоении новых техпроцессов, мы все видим. Прогресс резко затормозился. Причём похоже, что проблемы начнутся так рано, а не после 5нм, никто не ожидал даже среди инженеров Интела, Нвидии и тд.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 16.03.2010 Откуда: оттуда
Yalg писал(а):
14нм это расстояние, а не размер.
Это не расстояние, это именно размер. И не просто размер, а самого маленького элемента.http://nit.miem.edu.ru/sbornik/2009/plen/images/html_m3e5059ba.png
_________________ **здесь могла бы быть ваша реклама** ^___^
w1zzard Возможно для ячеек памяти это и верно, но для элементов логики это не размер, а half-pitch, да и то после внедрения FinFET начались накладки и с этим. Если почитаете отчеты ITRS то убедитесь в этом сами.
Ну все же, есть реально понимающие люди? Как работает тринзистор с количеством примеси более 10^19 - 10^21 на 1 см3? А число Авогадро, как известно 6,02*10^23. Т.е. примесь на уровне 100 - 10000 атомов на см3 делает полупроводники вырожденными. А простой пересчет этих 2-4 порядков на число атомов в транзисторе, исчисляемое 15625 как раз и дает искомый 1 атом примеси. Вырожденный полупроводник имеет свойства металла. Кроме случая, полностью скомпенсированных полупроводников. https://ru.wikipedia.org/wiki/%C2%FB%F0 ... 4%ED%E8%EA
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 12.09.2009 Откуда: здесь двоеточие
Alex_023 писал(а):
Ну все же, есть реально понимающие люди?
На руоверклокерсах? Да ещё забесплатно?? Молодой человек, уровень вопросов, которыми Вы интересуетесь - доступен только в библиотеке или на кафедре соответствующего профиля хорошего университета. И скорее всего забесплатно Вас никто консультировать там не будет. Ну или сами копайтесь где-то тут.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 16.03.2010 Откуда: оттуда
Yalg писал(а):
w1zzard Возможно для ячеек памяти это и верно, но для элементов логики это не размер, а half-pitch, да и то после внедрения FinFET начались накладки и с этим. Если почитаете отчеты ITRS то убедитесь в этом сами.
- здесь 10 нм и менее именно ширина вставки тела, тоесть длинна канала. При этом та же электрическая длинна канала будет порядка 25-27 нм, а затворный диэлектрик так вообще 2.2-2.5 нм.почитайте хотя бы журнал Электроника чтоли, или еще профильных изданий.Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН очень интересные статьи публикует на эту тему.
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 18
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения