Ждём Ваших отзывов о материале.

Соблюдение Правил конференции строго обязательно!
Флуд, флейм и оффтоп преследуются по всей строгости закона!
За статью можно проголосовать на странице материала.

Напоминаем о том, что на сообщения новых участников распространяется действие системы премодерации сообщений.

О нарушениях можно сообщить модератору, нажав синюю кнопку #77 справа над спорным сообщением.

Пипец прогресс. 60% плотности это фейл. Надеюсь что другие производители такого не допустят и сделают стандартные х2.

это не честный 7 nm техпроцесс, как и 14/16 nm

В рекламных материалах TSMC освоили 16нм техпроцесс ещё в 2014. В реальности же, high power 16FF+ чипы в коммерческое производство запустились в 2016-ом, мобильные - в о второй половине 2015.
Так что доверять звездобольству их пиарастов нет оснований.

когда Интел и Нвидия с АМД - станут их клиентами?

Шел 2016-ый год, а на оверах все находились индивидуумы, которые считают, что с уменьшением минимальной ширины металлизации, точно так же уменьшатся минимальные расстояния между дырками, минимальные интерконнекты и т.д.

может хватит уже нормы уменьшать? надоела эта бессмысленная гонка.

щаз из за одного нищеброда весь техпрогресс замрёт

Это из-за Экономия. Сделаем недо-7нм, зато опередим Интел.

VRoman Обычно два поколения техпроцессов идут почти на одном оборудовании, так было и раньше.
Остается надеяться что другие производители такой фигни делать не будут, а TSMC техпроцесс доработает. Впрочем мы еще гпу даже на 14\16нм не видели, не говоря уж о 10нм.

судя по вашему уму и юмору, вы победнее меня. и даже техпрогресс тут непричём, увы.

william blake
Ты типичный потребитель и мыслишь потребительски. Развитию технологий от тебя требуется только денежная масса и твоё размножение, ты как та человек-батарейка из "матрицы"
Yalg
Пипец у тебя между ног, а плотность 60%, это отличный результат.

Вот только 7нм на иммерсионке уже практически никак. А для EUV - другие материалы, фоторезисты, маски и т.д. чем для нынешней иммерсионной 193нм литографии.

Добавлено спустя 4 минуты 4 секунды:

И все бы ничего, но уменьшать скоро будет невозможно - слои металлизации и так уже шириной в несколько атомов. Вместо гонки за уменьшением техпроцесса, лучше бы действительно занялись улучшением качественных характеристик: улучшение диэлектрика (уменьшение токов утечек и уменьшение расстояний между дырками и гейтами без "утоньшения" ширины металлизации), повышение частотного потенциала и т.д.

А ещё ручной оптимизацией "триггеров". Повыкидывали бы 100500% лишних транзисторов.