Соблюдение Правил конференции строго обязательно! Флуд, флейм и оффтоп преследуются по всей строгости закона! За статью можно проголосовать на странице материала.
хотелось бы вместо чисто маркетинговых названий техпроцессов, получать цифры реальных расстояний между элементами транзистора.
И что для вас будут значить эти цифры? Вон перед выходом 650\652 все сомневались как будут работать ядра А72 на 28нм, если у 810-го на А57 проблемы с перегревом были на 20нм. А в итоге вышел годный чип. Так что надо просто смотреть на конечный продукт. А так то да... в нете масса инфы что начиная с 14\16 нм у TSMC и Samsung не совсем честные нанометры, что и позволило на бумаге обогнать Intel в освоении 10нм.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 12.05.2006 Фото: 1
_LOM_, У Intel тоже не честные.
Честный переход с 28нм на 14нм должен уменьшать линейные размеры в 2 раза, а площадь, занимаемую каждым транзистором - в 4 раза. Однако на деле имеем совсем более скромные показатели.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 20.02.2004 Откуда: Москва
_LOM_ писал(а):
позволило на бумаге обогнать Intel в освоении 10нм.
Вот прямо так на бумаге?) ИНтел только с третьего поколения выкатила годный 14нм, который действительно показал прирост по сравнению с 32nm sandy, к тому моменту уже и самсунг и TSMC делали сложные GPU.
Честный переход с 28нм на 14нм должен уменьшать линейные размеры в 2 раза, а площадь, занимаемую каждым транзистором - в 4 раза. Однако на деле имеем совсем более скромные показатели.
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 20
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения