Ждём Ваших отзывов о материале.

Соблюдение Правил конференции строго обязательно!
Флуд, флейм и оффтоп преследуются по всей строгости закона!
За статью можно проголосовать на странице материала.

Напоминаем о том, что на сообщения новых участников распространяется действие системы премодерации сообщений.

О нарушениях можно сообщить модератору, нажав синюю кнопку #77 справа над спорным сообщением.

SLC режим чтоль снова будет обеспечивать указаное быстродействие ?

Egik72-2
Естественно. В первом абзаце мною специально добавлены ссылки на мои соответствующие обзоры вариантов на планарной памяти.

И еще маленький вопросик а как влияет на износостойкость массива памяти подобный режим если кратко ?

Egik72-2
Кратко ответить нельзя, ибо схемы работы SLC-режима разные: все данные можно всегда "уплотнять" после записи (самое суровое к ресурсу и вроде как уже почти не встречается), можно "уплотнять" периодически, ориентируясь на счётчики перезаписи секторов, можно "уплотнять" только когда исчерпывается свободное место. Под SLC-режим может быть выделенный участок NAND, а может быть и свободное расположение в массиве. Под SLC-режим может выделяться и фиксированный малый процент объёма (причём процент может меняться в зависимости от объёма накопителя, т.е. у 256 Гбайт - 1 Тбайт выделяется столько-то, у 128 Гбайт - столько-то), и треть свободного объёма, и половина. Всё это может ещё и комбинироваться между собой в той или иной степени. Соответствующим образом это сказывается и на ресурсе.
А с переходом на 3D V-NAND возникает ещё и ёмкость кристаллов. Например, у Micron/Intel 3D V-NAND кристаллы TLC имеют объём 384 Gbit. Т.е. физически скрытый резерв у номинально 256 Гбайт накопителе на планарной NAND и на 3D V-NAND разный: у первого в скрытом резерве ~17.5 Гбайт, у второго - аж ~50 Гбайт.

Но у вас получилось спасибо. Получается чем капризнее память, тем больше резерва, для того чтобы она хотя бы гарантийный срок отработала, делают что логично.