Ждём Ваших отзывов о материале.

Соблюдение Правил конференции строго обязательно!
Флуд, флейм и оффтоп преследуются по всей строгости закона!
За статью можно проголосовать на странице материала.

Напоминаем о том, что на сообщения новых участников распространяется действие системы премодерации сообщений.

О нарушениях можно сообщить модератору, нажав синюю кнопку #77 справа над спорным сообщением.

Только вот я уверен, торопиться с 7 нм после провального внедрения 10 нм, Интел не будет, и станет последним игроком из трех, который перейдет на этот процесс, когда TSMC уже начнет козырять 5++ процессом, и только знатоки будут в курсе, что 7 нм Интела по геометрии = 5++ конкурентов.

Ну Рузен, ну погоди!

Главное чтобы эти транзисторы шли в нужное русло. А не:

ходила же инфа, что по плотности транзюков 7нм от ТСМС это примерно как интеловские 10нм.

А интеловские 10 нм уже где-то измеряли? Ведь как раз к ошибкам, повлекшим за собой текущую задержку с освоением 10 нм, и причисляли завышенные требования к плотности в пределах этого техпроцесса.

Интеловские 10нм вроде чуть-чуть менее плотные, чем 7нм ТСМС.
Рефреш(на котором будут уже не только мобильные цп) же 10нм будет ещё менее плотным.
Так что в лучшем случае по плотности 10нм для настольных цп будут равны(+-) 7нм тсмс.
В худшем же будет заметно менее плотным.

"Согласно данным Intel, однобитовая шеститранзисторная ячейка SRAM, произведённая с соблюдением её 10-нм норм, занимает 0,0312 квадратных микрометра площади кристалла. Конкурирующая одноразрядная шеститранзисторная ячейка SRAM, производимая по 7-нм техпроцессу Samsung, TSMC и GlobalFoundries, занимает соответственно 0,026, 0,0272 и 0,0296 квадратных микрометра."

Упс, перепутал с GF.
поправка Интеловские 10нм немного менее плотные, чем 7нм ТСМС.

Вспоминается старый анекдот: Отряд милиции особого назначения разогнал группу студентов до 10 Гигагерц