3 нм меньше 7 нм более чем в 2 раза

Для меня до сих пор загадка в современной методике подсчета нанометров.

Для меня до сих пор загадка в современной методике подсчета нанометров

3 нм - это погрешность при формировании элементов транзистора, а не размер транзистора ..

Ещё можно сказать: - точность рисунка структуры равна 3 нМ.

чё думаешь, 1 nm - предел ? или смогут и ниже ?

0,54307*10+0,24=5,6707 нм Это минимальный размер ноды который реально а не теоретически достижим.

Для меня до сих пор загадка в современной методике подсчета нанометров. 3 нм меньше 7 нм более чем в 2 раза, но кол-во элементов может быть размещено всего на 45% больше....

В данный момент техпроцесс обозначает не размер самого маленького элемента (длины канала), а полагаемый размер длины канала, который выводится из размера ячейки памяти. Например, если был техпроцесс 60 нм, а площадь ячейки уменьшилась в 4 раза, то полагаемая длина канала уменьшилась в 2 раза, и такой техпроцесс назовут 30 нм. При этом в реальности длина канала могла не уменьшиться или уменьшиться незначительно.

Как итог, при 7 нм техпроцессе размер самого маленького элемента — где-то 30 нм (у Intel ниже, на 14 нм — 24 нм), что далеко от размера атома.

Нужно отметить, что уменьшение размера ячейки и уменьшение статических токов утечки тоже очень важно. Тем не менее по техпроцессу в данный момент больше нельзя судить о потреблении, а только о площади. Потребление уменьшается, но если раньше при уменьшении техпроцесса в 2 раза все размеры тоже уменьшались в 2 раза, то можно было однозначно сказать, что потребление уменьшилось в 4 раза (2²). А теперь при уменьшении техпроцесса в 2 раза не все элементы уменьшаются в 2 раза.

Также это, вероятно, причина, почему техпроцесс Intel где-то на один техпроцесс лучше. Площадь может быть такая же, но потребление ниже из-за размера отдельных элементов и, возможно, своего устройства транзистора. Также это, вероятно, причина, почему 7 нм TSMC показывает такие плохие результаты. В этот раз, видимо, площадь уменьшилась, а потребление не так сильно. Хотя надеюсь, что в будущем результаты всё-таки будут.

PS. Но на самом деле у Intel на 14 нм самый маленький элемент — не длина канала, а ширина конца "плавника", которая равна 8 нм (даже меньше, чем техпроцесс, и, кстати, Intel вполне могли назвать его 8 нм, но прогадали). А 8 нм уже ближе к размерам атома. Плавник из кремния (размер атома 132 пм).

PS. 10 нм Intel равны 7 нм TSMC.

Приведу цитату одного из комментариев на 3дньюсе https://3dnews.ru/987512

Вам выше написал miklebat правильный ответ. PS перестаньте искать минимальных размеров элемент так уже давно не работает. PS2 в рамках того же техпроцесса можно ухитряться делать транзистор меньших размеров, но грабли Intel с 10 нм показали что это та ещё дорога в ад.

Это минимальный размер апертуры, проще говоря, мин. диаметр "кисточки", которой можно рисовать на кристалле.

PS. 10 нм Intel равны 7 нм TSMC.

Нигде не говорится в каком параметре всё таки эти 7нм (14/16).

Но на самом деле у Intel на 14 нм самый маленький элемент — не длина канала, а ширина конца "плавника", которая равна 8 нм (даже меньше, чем техпроцесс, и, кстати, Intel вполне могли назвать его 8 нм, но прогадали). А 8 нм уже ближе к размерам атома. Плавник из кремния (размер атома 132 пм).

Всё дело в методике подсчёта. Универсального параметра нет. Маркетинг рулит. Уже бы год продавался 9900к на 8нм. Вот это да. Вау! АМД вылазила бы из ещё большего дна. Хотя по факту нет.

Маркетинг рулит.