Соблюдение Правил конференции строго обязательно! Флуд, флейм и оффтоп преследуются по всей строгости закона! За статью можно проголосовать на странице материала.
Звезда унитаза
Статус: Не в сети Регистрация: 01.01.2017 Откуда: Екатеринбург
Маркетологи Самсунга научились переименовывать техпроцесс каждый год. TSMC отстаёт. Интел по-прежнему не может переименовать 14 в 10. GF оставила попытки переименовать 12 в 7. Сколково планирует в 2020 году переименовать 65 в †.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 21.04.2005 Откуда: Москва Фото: 57
LAVRADAR писал(а):
ну так и интеловские 10нм, плотнее чем 7нм TSMC.
Нет никаких интеловских 10нм (и похоже что не будет). Их плотность маркетинговая и на бумаге.
Цитата:
При этом довольно любопытен тот факт, что Samsung планирует придерживаться плана постепенного перехода к 3 нм техпроцессу, попутно осваивая 6, 5, 4 и, в конце концов, 3 нм техпроцесс. Сроки выхода готовой продукции на 3 нм техпроцессе довольно размыты, однако, уже к середине 2020 года нас ждут решения на базе 5-нм FinFET-технологии.
https://en.wikipedia.org/wiki/3_nanometer Понятно, что это не скоро. У TSMC тоже там всякие 7нм->7нм ЕУВ ->6нм->5нм. И между собой они будут сопоставимы. И синий аутсайдер где-то в 2022 освоит таки 7нм, возможно не без помощи самсунга.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 24.11.2002 Откуда: New Mexico, USA Фото: 42
А теперь оценим честность наименований. Плотность транзисторов должна увеличиться в (7/3)^2, т.е. в 5.44 раза Названные 50% (или в 2 раза) совсем с этим не сходится.
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 3
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения