Просветите же вы нас, чего же конкретно, они там меряют в 22 нм.
"22 nanometer" refers to the average half-pitch (i.e., half the distance between identical features) of a memory cell at this technology level.
Про "узкий круг людей" кому это известно, это вообще норм... слышали про ITRS/SIA?
Я очень хочу послушать про "потерять свойства" (мы же говорим о полупроводниках да?) и про "пробить затвор" (ток пробоя или что там?) и как это связано с "разрушением пластины". Всех кому интересно кстати отправляю читать ту замечательную заметку на хабре.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 02.07.2010 Откуда: Волгоград Фото: 1
Чего-то не пойму никак. Взял на днях себе i5 4440 3.1Ghz. У знакомого i5 4670K в разгоне до 4.3Ггц, видеокарта HD7970 Ghz Edition(и она у него тоже в небольшом разгоне). Понижали частоту его ЦП с 4.3ггц до 3.1ггц и никакой разницы в играх(тесты) мы не увидели. Ну плюс/минус 1-3fps, в пределах погрешности. Тестировали примерно в 5 играх (батла, крайзис 3 и не только) - это нормально, что нет разницы при повышении частоты на 1200мгц? Судя по тестам из инета там ситуация примерно такая же, причем даже в тандеме с Титаном... Думал на днях сдать свой i5 4440 и взять проц. с индексом К, но теперь призадумался - а есть ли смысл доплачивать 2500 рублей, если в итоге я по сути ничего и не получу? p.s., Видеокарты уже пол года как нет, но планирую к январю брать r9 270 или gtx760. Кроме как для игр мощь этого процессора мне девать некуда.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 05.08.2011 Откуда: г.Зеленоград Фото: 0
Envу писал(а):
Чего-то не пойму никак. Взял на днях себе i5 4400 3.1Ghz. У знакомого i5 4670K в разгоне до 4.3Ггц, видеокарта HD7970 Ghz Edition(и она у него тоже в небольшом разгоне). Понижали частоту его ЦП с 4.3ггц до 3.1ггц и никакой разницы в играх(тесты) мы не увидели. Ну плюс/минус 1-3fps, в пределах погрешности. Тестировали примерно в 5 играх (батла, крайзис 3 и не только) - это нормально, что нет разницы при повышении частоты на 1200мгц? Думал на днях сдать свой i5 4440 и взять проц. с индексом К, но теперь призадумался - а есть ли смысл доплачивать 2500 рублей, если в итоге я по сути ничего и не получу? p.s., Видеокарты уже пол года как нет, но планирую к январю брать r9 270 или gtx760. Кроме как для игр мощь этого процессора мне девать некуда.
естественно. Если игра будет дико-страшно процесорозависимая, то увидишь. Ну или если у вас будет 3-4 топ карты стоять в связках, тогда разгон тоже нужен)
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 27.03.2012 Откуда: Россия
plastic писал(а):
"22 nanometer" refers to the average half-pitch (i.e., half the distance between identical features) of a memory cell at this technology level.
Извините, английским не владею. Обьясните по простому по русски для народа, конкретно какого сферического коня в вакууме они меряют. Если и с картинками, то вообще
plastic писал(а):
слышали про ITRS/SIA?
Слышал и что? Нет ,я понимаю, это международный план по развитию. А где конкретно технологии производителей.Их нет и не будет, ибо коммерческая тайна. И что конкретно они( Интел и ТСМЦ) меряют в 22 нм, пока что, мне лично не понятно.
plastic писал(а):
Я очень хочу послушать про "потерять свойства" (мы же говорим о полупроводниках да?)
Вы меня поразили своими знаниями Не надо передергивать, я пишу по простому. Мы говорим об одном разными словами. Если вкратце,то это я имел в виду http://www.heuristic.su/effects/catalog ... index.html и т.д. Теперь что? Будем в физику углубляться, рассматривать свойства полупроводников, что-ж там на них влияет. В данном случае, если у вас есть что сказать по теме, говорите. Если не по теме , прошу в ЛС.
plastic писал(а):
"пробить затвор" (ток пробоя или что там?)
Естесственно в данном случае, ток и напряжение пробоя. Пробой p-n-перехода.
plastic писал(а):
и как это связано с "разрушением пластины".
Если вы о токе пробоя, то никак.
_________________ Старый стал, в железо уже не играюсь.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 02.10.2013 Откуда: Питер
Sushila Не обращай внимание ну малолеток ...
Добавлено спустя 1 минуту 28 секунд: TwinkE Нагрев кристалла интегральной схемы (ИС) в процессе ее функционирования - факт очевидный и неизбежный. Протекание тока в проводнике (полупроводнике) обязательно сопровождается выделением в нем тепловой мощности, и поскольку сам проводник (полупроводник) имеет конечную теплопроводность, его температура оказывается выше температуры окружающей среды. Корпус микросхемы и различные внутренние защитные/изолирующие слои, которые, как правило, обладают меньшей теплопроводностью, чем проводниковые или полупроводниковые материалы, еще более затрудняют теплоотвод от кристалла ИС, существенно увеличивая его температуру.
В принципе, очень высокие (или наоборот, экстремально низкие) температуры были бы совсем не страшны, если бы не четкая зависимость правильного и надежного функционирования транзисторов ИС и структуры их межсоединений от температурных условий. В результате рабочий температурный диапазон для "среднестатистической" ИС составляет, как правило, от -40 до 125°C. Ограничение снизу является следствием различия коэффициентов теплового расширения кремниевой подложки, изолирующих/защитных слоев, слоев металлизации и т.п. (при низких температурах возникают внутренние механические напряжения - термомеханический стресс, что оказывает влияние на электрофизические свойства ИС и может привести даже к физическому разрушению кристалла). Ограничение сверху обусловлено ухудшением частотных и электрических свойств транзисторов (уменьшение тока, понижение порогового напряжения и т.п.). Для современных процессоров (в частности, отличающихся гораздо более тонкой микроструктурой и более комплексными корпусами, диапазон рабочих температур оказывается еще строже - от 0 до 100°C.
При работе компьютера температура нагрева процессора может составлять до 90-95°C с очень слабой системой охлаждения, что укладывается в рассмотренный выше диапазон работы процессоров. Однако нормальная работоспособность процессора при высоких температурах не желательна, т.к. в металло-кремниевом процессоре компьютера имеют место не только чисто электрические явления, но и огромное количество электрохимических процессов и реакций, которые являются термоактивационными (их скорость исключительно сильно зависит от температуры). С течением времени они могут не только затруднить корректное функционирование процессора, но и даже привести к его полному отказу, хотя рабочие температуры при этом могут находиться во вполне безопасных пределах, если смотреть с электрической точки зрения.
Добавлено спустя 3 минуты 56 секунд: TwinkE И скажи мне дорогой ,чего я отдал за z87 Deluxe 300 баков , должен 2 месяца сидеть мля биосы выправлять, от твоей любимой компании Асус? Отстой, а не компания повелся на рекламу !
Добавлено спустя 4 минуты 46 секунд: Пора бы давно сделать обновы в автомате или хотя-бы, чтобы эта хрень приходила рабочей , а не заставлять втыкать часами по настройке, с их кривым софтом, рядового пользователя !
Добавлено спустя 21 минуту 46 секунд: Ну вам повезло, что вы память взяли 2200 ,а не 2400 и не знаете что такое DramLed ,и WiFi наверно не пользуетесь, когда жена 2 месяца кричит пропал интернет на ноуте.... А так че, классная компания Асус за...батус!
Sushila грубо говоря, измеряют они среднее 1/2 расстояние между элементами - в данном случае - memory cell. Иными словами: меньше тех. процесс = плотнее упакованы транзисторы.
Sushila писал(а):
А где конкретно технологии производителей.Их нет и не будет, ибо коммерческая тайна.
Это было сказано о том что "никто не знает как и что они измеряют" - технологии там поверьте у всех одинаковые. Наличие у Intel собственных заводов дополнительных методов производства полупроводников им не добавляет.
Sushila писал(а):
Будем в физику углубляться
Сколько угодно. Ток пробоя возникает когда напряжение большое, а пачка проводников упакована слишком плотно... в общем возвращаясь к прошлой странице, при 120 градусах я не думаю что что-то будет, а если будет то только от того что на ферму подается слишком много напряжения и (причина-следствие) возникает ток пробоя... и это не значит что при отрицательных температурах 1.8V на плантацию - хорошо.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 02.10.2013 Откуда: Питер
miwa Скальп ,а что дальше не пробуете толкнуть?
Добавлено спустя 4 минуты 12 секунд: 100-200 еще можно навернуть запас вроде есть ...
Добавлено спустя 10 минут 14 секунд: miwa А вообще-то, тролите вы нас -при скальпе темп. падает, а не растет ,даже если и подняли на 0,04 предыдущий тест- это доказывает .
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 27.03.2012 Откуда: Россия
plastic писал(а):
измеряют они среднее 1/2 расстояние между элементами - в данном случае - memory cell. Иными словами: меньше тех. процесс = плотнее упакованы транзисторы.
Дак это жеж про память (я так понимаю-кэш), а про ядра что? НЕизвестно.
plastic писал(а):
технологии там поверьте у всех одинаковые.
Не поверю. У интела фин-фет транзисторы, у ТСМЦ планарные. Уже разный техпроцесс.
plastic писал(а):
Ток пробоя возникает когда напряжение большое, а пачка проводников упакована слишком плотно... в общем возвращаясь к прошлой странице, при 120 градусах я не думаю что что-то будет, а если будет то только от того что на ферму подается слишком много напряжения и (причина-следствие) возникает ток пробоя... и это не значит что при отрицательных температурах 1.8V на плантацию - хорошо.
Совершенно согласен.Причем при увеличении температуры ток пробоя возрастает. И допустим при одном и том-же напряжении ,но разной температуре , шанс пробоя возрастает у процессора с большей температурой. Поэтому производители и страхуются введя температуру отключения проца с запасом (что-бы проц выжил при перегреве). Но вот отсечку по напряжению пробоя еще не сделали. Вот это и написано для простых людей по простому, не углубляясь в дебри (чем проще, тем лучше народ понимает):
Sushila писал(а):
а вот транзисторы в кремнии разрушаться начинают при 150-160гр. и это зависит от техпроцесса.
А блистать знаниями, мы с вами, можем и в других местах.
_________________ Старый стал, в железо уже не играюсь.
Дак это жеж про память (я так понимаю-кэш), а про ядра что? НЕизвестно.
Это не про память... это про любые элементы и расстояние между ними. Подумайте, всё достаточно логично, нет? Я надеюсь это послужит ответом на вопрос про 22нм от Intel (и развороты чтобы обмануть честных потребителей - корпорация зла блин).
Sushila писал(а):
Не поверю. У интела фин-фет транзисторы, у ТСМЦ планарные. Уже разный техпроцесс.
И опять, это в контексте про измерения тех.процесса - я вам целую страницу пытаюсь донести что как бы принято измерять X и все так и измеряют X, где X значение представленное в виде average half-pitch...
Sushila писал(а):
Но вот отсечку по напряжению пробоя еще не сделали.
Транзисторы не разрушаются при 150градусах, это просто при 1.8V подается слишком толстый ток который может начинать ломать всё то что находится между элементами.
Да ребят, без обид но хватит народ смешить На 125-135 градусов даже если отрубить TM1/2 (или если они не справятся) сработает аутошатдаун и проц просто выключится...его отрубить нельзя...и скорость реакции логики работы аутошатдауна+цифровые термодатчики внутри ядра порядка пары-тройки сотен наносекунд...Поэтому так сложно убить современный проц температурой (напругой можно).
Sushila писал(а):
Ни у одного производителя, НИКОГДА не было и НЕ БУДЕТ честного любого техпроцесса.Ибо это понятие условное. Что вы предлагаете мерять в 22 nm? Транзистор? Так он трехмерный.Его условную высоту, ширину, длину? Затвор? Расстояние между ними? и т.д. Причем эту условную величину производители меряют по своим мерялкам,широкому кругу людей не известным.
...техпроцесс это не только размеры элемнтов...в общем я так понял вы это и хотели сказать выше. Так что +1
plastic писал(а):
"22 nanometer" refers to the average half-pitch (i.e., half the distance between identical features) of a memory cell at this technology level.
Про "узкий круг людей" кому это известно, это вообще норм... слышали про ITRS/SIA?
Да, если говорить о конкретных цифрах, то они мерят определенное расстояние именно при производстве ячеек памяти SRAM (так как на них отрабатывается техпроцесс еще до производства сложных и разнородных процессорных схем) выполненных по данному техпроцессу.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 27.03.2012 Откуда: Россия
plastic писал(а):
Это не про память... это про любые элементы и расстояние между ними.
Теперь ясно, 20 нм это шаг между элементами, а сами элементы могут быть любых размеров. Другими словами, техпроцессы в нметрах никакого отношения к размеру самих элементов в процессоре не имеют. И каждый производитель, какой размер элемента хочет, такой и делает. В итоге и техпроцессы тоже разные, в смысле формирования и размера самих элементов в проце. Также применяются и разные технологии, например, формирования материала подложки , материала затвора и т.д.
KT писал(а):
...техпроцесс это не только размеры элемнтов...в общем я так понял вы это и хотели сказать выше.
plastic писал(а):
Транзисторы не разрушаются при 150градусах, это просто при 1.8V подается слишком толстый ток который может начинать ломать всё то что находится между элементами.
Я вроде бы в курсе, если вы еще не поняли. Но я вижу, не поняли.
plastic писал(а):
Sushila писал(а): А блистать знаниями, мы с вами, можем
...там где нужно.
И тут не поняли.Ну что-ж, счастливо самоутвердиться.
_________________ Старый стал, в железо уже не играюсь.
И каждый производитель, какой размер элемента хочет, такой и делает.
Тут на самом деле обычно иначе мыслят, есть определенная площадь которую выгодно пилить - вот её обычно и пилят. Сколько туда чего поместится - это уж как раз разговор про эти самые нанометры.
Sushila писал(а):
Я вроде бы в курсе, если вы еще не поняли. Но я вижу, не поняли.
Sushila писал(а):
для простых людей по простому, не углубляясь в дебри (чем проще, тем лучше народ понимает)
Я просто не держу участников конференции за дураков.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 05.08.2011 Откуда: г.Зеленоград Фото: 0
miwa круто. Как делал скальп? А что в 0.6.5 линпаке? На что заменил термопасту?
Artur007 писал(а):
И скажи мне дорогой ,чего я отдал за z87 Deluxe 300 баков , должен 2 месяца сидеть мля биосы выправлять, от твоей любимой компании Асус? Отстой, а не компания повелся на рекламу !
ну компания не несет ответсвенности за кривые руки и неумение разгонять
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения