Внимание: оффтоп, флуд, вопросы модернизации,обсуждение покупки, фанатство строго наказуемы в соответствии с Правилами Конференции! Читать Правила форума "Процессоры" обязательно. Тема находится под особым присмотром, в связи с частыми нарушениями правил в ней
Последний раз редактировалось donnerjack 21.04.2010 21:44, всего редактировалось 12 раз(а).
astrix в данной конференции следует оперировать только фактами. раз вы претендуете на большие знания в квантовой механике, квантовой физике, радиофизике и других разделов физики, то: будьте так добры описать формулами свою цитату и ссылками на лабораторные опыты, которые могут подтвердить ваши комментарии относительно физики процесса работы CPU при повышенных напряжениях; а так же предоставить графики зависимости деградации кристаллов от повышенного напряжения при достаточном для работы кристалла охлаждении. было бы очень интересно посмотреть на данные исследования и их результаты.
_________________ фанатов Intel'а сильнее процессоров греют только синтетические тесты производительности...
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 22.08.2006 Откуда: 43 Фото: 22
Dead Warrior что-то это
Dead Warrior писал(а):
в данной конференции следует оперировать только фактами.
никак не вяжется с этим
Dead Warrior писал(а):
процессор деградирует при перегреве и точка.
и с этим
Dead Warrior писал(а):
а так же предоставить графики зависимости деградации кристаллов от повышенного напряжения при достаточном для работы кристалла охлаждении. было бы очень интересно посмотреть на данные исследования и их результаты.
а если вас интересует
Dead Warrior писал(а):
знания в квантовой механике, квантовой физике, радиофизике и других разделов физики
относительно работы CPU, то ознакомтесь хотя бы с этим
При еще более высоком напряжении происходят внутриядерные межтранзисторные пробои и замыкания приводящие к выводу процессора из строя
еще раз повторяю, покажите лабораторные исследования, которые выявят зависимость деградации процессора не от повышенных температур, а от повышенного напряжения при нормальной температуре процессора. не чьи-то теоретические рассуждения, а исследования.
Цитата:
При поднятии напряжения сверх нормы, могут возникать локальные микроперегревы до 200 и более градусов, которые приводят к постепенной деградации процессора.
200 градусов - это еще рабочая температура для процессоров на Si. поэтому опять пожалуйста исследования и графики где будет показано какие перегревы где в процессоре возникают и как влияют на его время жизни. действительно ли эти перегревы связаны с поднятием напряжения или же они возможны и при стандартном напряжении (epic fail, они действительно возможны не только при разгоне, но и при недостаточном охлаждении процессора при стандартном напряжении).
специально для вас: процессор деградирует из-за перегрева в первую очередь. снимите охлаждение и вы без всякого поднятия стандартного напряжения получите понижение срока жизни процессора. разгон, не разгон - это дело десятое. те напряжения, которые обычные пользователи используют при разгоне не приводят к тем эффектам, о которых написано в вашей цитате.
_________________ фанатов Intel'а сильнее процессоров греют только синтетические тесты производительности...
Agito Makishima эмм.. а температура при нагрузке какая была и время работы в таком режиме, если не секрет?
P.S. на процессор можно и 220 вольт при желании подать. просто есть 2 большие разницы между - спалить процессор повышенным напряжением и деградация процессора...
_________________ фанатов Intel'а сильнее процессоров греют только синтетические тесты производительности...
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 22.08.2006 Откуда: 43 Фото: 22
Dead Warrior писал(а):
специально для вас: процессор деградирует из-за перегрева в первую очередь
спецально для вас: я этого не отрицаю, до вас все никак не доходит смысл сказанного. Попробую еще раз: завышеные напряжения сверх нормы (каким? индивидуально для каждого) чреваты не деградацией процессора, а практически быстрым выходом его из строя вследствие электрического пробоя внутри кристалла. Повышение температуры ускоряет этот процесс. Учите матчасть.
astrix повышение напряжение питания выше заданных производителем спецификаций есть умышленное уничтожение процессора, а не разгон. а методы уничтожения имущества выходят за рамки обсуждения данного форума, разве нет?
приведу пример из авто, если мы меняем в авто КПП, вид топлива на более высокооктановый, пересматриваем работу ЭБУ и меняем прошивку, гильзуем двигатель более прочными вставками и меняем поршневую - это разгон. а если мы заливаем в стоковый заводской двигатель авиационное топливо, то мы конечно сможем полететь, но только сразу на тот свет. для того чтобы решать на сколько можно повышать напряжение выше заданных спецификаций - нужно знать техпроцесс на уровне технолога, который эти процессоры производит. а если учесть разброс в качестве каждого отдельного камня, то можно с уверенностью сказать, что на одном повышение напряжения и до 1 вольта выше нормы не повлияет на нормальную работу, а у другого и 0,5 хватит чтобы просто выжечь процессор. цифры написаны от балды, опять же, чтобы говорить о реальных допусках - нужно точно знать ТТХ используемых в данном процессоре транзисторов, допуски по работе и даже архитектуру процессора, потому что даже сам характер нагрузок на процессор может влиять на результаты используемых повышенных напряжений.
вы не отличаете деградацию при разгоне и сжигание процессора - это плохо.
P.S. я не прав, что сразу не написал человеку, что использование напряжения которое выходит за рамки спецификации - это уже умышленное уничтожение процессора, а не разгон.
_________________ фанатов Intel'а сильнее процессоров греют только синтетические тесты производительности...
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 22.08.2006 Откуда: 43 Фото: 22
Dead Warrior писал(а):
повышение напряжение питания выше заданных производителем спецификаций есть умышленное уничтожение процессора, а не разгон.
плохо то что вы действительно ничего не смыслите в рагоне CPU если утверждете это. Изучите хотя бы тот ресурс что я вам дал выше и было бы неплохо (а скорей всего нужно) почитать о полупроводниках и их свойствах
astrix куда уж мне... вы таки выкладки по физике процесса приведите наконец. только без ссылок на ресурсы сторонние, сами. а то может вы принцип работы транзистора даже не понимаете полупроводникового, а меня в невежестве обвиняете...
Agito Makishima честно говоря не понимаю зачем нужно было напряжение подымать на столько. у меня сейчас работает 965 BE на множителе 19.5 и частотой по шине 211. напряжение поднял до 1.325. частота 4.1 ГГц. до этого была частота шины 207 и стандартное напряжение 1.3 с тем же множителем - 4 ГГц. Система прошла короткий 100% тест на S&M.
_________________ фанатов Intel'а сильнее процессоров греют только синтетические тесты производительности...
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 22.08.2006 Откуда: 43 Фото: 22
Dead Warrior да я вас не обвиняю в невежестве, вы просто отказываетесь почему-то видеть кроме воздействия температуры на процессор при его разгоне, другие факторы, не мене важные, причем температура это следствие именно их протекания в кристалле. Если вам так нравится это дело ваше. Объяснять "на пальцах" физику процесса здесь действительно не стоит, но тем не менее если это вам так нужно для самообразования то мне не жалко (хотя гугл никто не отменял) Деградация процессора(коротко и ясно) Нагрев кристалла интегральной схемы (ИС) в процессе ее функционирования — факт совершенно очевидный и неизбежный. Протекание тока в проводнике (полупроводнике) обязательно сопровождается выделением в нем тепловой мощности, и поскольку сам проводник (полупроводник) имеет вполне конечную теплопроводность, его температура оказывается выше температуры окружающей среды. Корпус микросхемы и различные внутренние защитные/изолирующие слои, которые, как правило, обладают меньшей теплопроводностью, чем проводниковые или полупроводниковые материалы, еще более усугубляют ситуацию, затрудняя теплоотвод от кристалла ИС и существенно увеличивая его температуру.
тык
В принципе, очень высокие (или наоборот, экстремально низкие) температуры были бы совсем не страшны, если бы не четкая зависимость правильного и надежного функционирования транзисторов ИС и структуры их межсоединений от температурных условий. В результате рабочий температурный диапазон для "среднестатистической" ИС получается довольно узким — как правило, от -40 до 125°C. Ограничение снизу является следствием различия коэффициентов теплового расширения кремниевой подложки, изолирующих/защитных слоев, слоев металлизации и т.п. (при низких температурах возникают внутренние механические напряжения — термомеханический стресс, что оказывает влияние на электрофизические свойства ИС и может привести даже к физическому разрушению кристалла). Ограничение сверху обусловлено ухудшением частотных и электрических свойств транзисторов (уменьшение тока, понижение порогового напряжения и т.п.), а также возможностью возникновения необратимых пробойных явлений в обратносмещенных p-n-переходах. Для современных процессоров (в частности, Athlon XP и Pentium 4), отличающихся гораздо более тонкой микроструктурой и более комплексными корпусами, чем "среднестатистическая" КМОП ИС, диапазон рабочих температур оказывается еще строже — обычно от 0 до 100°C.
Что ж, если процессор может более или менее нормально функционировать при температуре 100°C, то к чему тогда все эти мониторинги и термоконтроли, ведь его температура редко дотягивает до 90-95°C даже с очень слабой системой охлаждения?! На самом деле, нормальная работоспособность при высоких температурах весьма иллюзорна, поскольку в глубинах металло- кремниевого сердца компьютера имеют место не только чисто электрические явления, но и огромное количество электрохимических процессов и реакций, которые являются по своей сути термоактивационными (их скорость исключительно сильно зависит от температуры). С течением времени они принципиально могут не только затруднить корректное функционирование процессора, но и даже привести к его полному отказу, хотя рабочие температуры при этом могут находиться во вполне безопасных пределах, если смотреть с чисто электрической точки зрения. Нельзя сказать, что поголовно все эти явления оказывают пагубное воздействие на жизнедеятельность процессора — наоборот, некоторые из них могут даже улучшить электрические и частотные свойства транзисторов. Но все-таки большая часть термоактивационных процессов им на пользу явно не идет.
Наиболее "влиятельны" по своему вредоносному воздействию две группы таких процессов. Первая — электрохимическое разрушение металлизации (электромиграция). Под воздействием электрического поля и повышенной температуры атомы металла срываются со своих насиженных мест и мигрируют в прилегающие области. С течением времени толщина проводника может значительно уменьшиться (с резким увеличением активного сопротивления на этом участке), так что даже при относительно малом токе в условиях локального перегрева вполне вероятен обрыв (выгорание) участка дорожки и последующий за ним выход из строя группы транзисторов, функционального узла и всей ИС в целом. Несмотря на то, что 0.18-ти микрометровая технология производства процессоров Pentium 4 и Athlon XP закладывает достаточно неплохой иммунитет к электромиграции и делает этот процесс практически равновесным, обеспечивая благоприятные условия для обратной диффузии, уже при температурах 75-85°C и выше равновесие нарушается со всеми вытекающими отсюда последствиями.
Вторая группа явлений — деградация окисла. Технологически невозможно обеспечить идеальную чистоту пленки двуокиси кремния, используемой в качестве диэлектрика под затвором транзисторов. В ней всегда присутствуют примеси (обычно донорного типа), которые сосредотачиваются вблизи внутренней поверхности пленки (на границе раздела между диэлектриком и кремнием). Ионы примесей способствуют образованию побочных инверсных или обогащенных слоев (паразитных каналов) у поверхности полупроводника под диэлектриком, которые оказывают влияние на обратный ток p-n-переходов и величину пробивного напряжения. Под воздействием поля (в 0.18 мкм транзисторах напряженность поля достигает 106 В/см) и градиентов температуры происходит дрейф и диффузия ионов в диэлектрике, что приводит к изменению свойств самого диэлектрика и существенным изменениям электропроводности и протяженности паразитных каналов в полупроводнике (следовательно — к нарушению нормального функционирования транзистора за счет значительных флуктуаций тока), а в самом "запущенном" случае — к пробою диэлектрика или p-n-перехода стока даже при относительно низких температурах. Ситуация еще более усугубляется из-за немалого количества дополнительных ионов, которые мигрируют в окисел из других областей транзистора (высоколегированные исток и сток, омические контакты, поликремниевый затвор), причем, опять же, это происходит под воздействием высокой температуры.
Даже беглого описания только двух основных электрохимических процессов в современных ИС, вполне достаточно, чтобы понять: высокая температура — враг №1 для процессора и один из наизлейших противников его надежного и долговременного функционирования. Это подтверждают не только теоретические выкладки, но и практические исследования.
По различным данным (результаты ускоренных испытаний нескольких серий зарубежных ИС), средний срок службы относительно примитивной в технологическом отношении ИС составляет 50-75 лет при температуре 60°C и всего лишь 1000-1500 ч при температуре 125°C. Масштабные испытания сложных ИС (процессоров) не проводились, однако некоторые полуэкспериментальные оценки их среднего срока службы оказываются гораздо пессимистичнее, чем в случае простых ИС — не более 1000-1500 ч при температуре всего 85-90°C.
Итак, необходимость корректного температурного мониторинга, позволяющего оценить температуру кристалла с наилучшей точностью, а также механизмов термоконтроля, направленных на поддержание температуры современных процессоров в допустимых пределах, просто очевидна! Однако по-прежнему умами многих пользователей владеет дух сомнения, который в случае "тепловой" проблемы не только не приводит к истине, но даже может стать провокатором весьма плачевных последствий для жизнедеятельности процессора.
Dead Warrior писал(а):
Система прошла короткий 100% тест на S&M.
это еще не показатель стабильности. Попробуйте прайм на несколько часов.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 18.02.2010 Откуда: Минск Фото: 0
astrix писал(а):
а подтекст, котороый несет в себе приведенная мной цитата, в том что отвод тепла компенсирует только часть негативного эффекта от поднятия напряжения, почему и нельзя поднимать его выше дозволенного (указанного в спеках от производителя)
Получается, что если напряжение не подымать, но при использовании плохого охлаждения, то всё-равно проц. деградирует от:
astrix писал(а):
локальные микроперегревы до 200 и более градусов, которые приводят к постепенной деградации процессора.
_________________ AMD FX-8350/ASUS SABERTOOTH 990FX R2.0/HyperX Fury Black 2x8GB PC3-14900/Sapphire Radeon HD 5770 1GB GDDR5/Plextor M9PeY 256GB/Chieftec CFT-650-14CS
так это что они на одном уровне, а говорили что на 15% быстрее бульдозера, не говоря уже о фене 2, значит смысла нет менять, а следующее поколение будет совместимо с ам3+?, надо ж специально купил соблезубую под этот проц
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 22.08.2006 Откуда: 43 Фото: 22
Advokatvlad совершенно верно. Производитель не зря указывает диапазон допустимых температур и температурный порог при соблюдении которых он гарантирует безошибочную работу устройства в течении определенного времени (ну сколько там.. лет 10?). Естественно это усредненные данные на основе статистических выборок. Но в большинстве случаев (мы с вами уже как-то дискутировали на эту тему), 10ти процентное повышение напряжения выше номинального при хорошем охлаждении относительно безопасно, хоть и сокращает срок службы процессора. Вообще подобные зависимости в основном идут по экспоненциальному закону.
Здравствуйте. Подскажите пожалуйста, есть конфиг: AMD Phenom II x3 720 Black Edition (heka) 2+2Gb Silicon Power DDR3 + 4Gb Hynix DDR3 MSI 770-c45
У проца разлочил четвертое ядро (превратился в Phenom II X4), потом разогнал до 3.4Ггц. Вот такой результат подтверждает стабильность или надо еще что-то тестить?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 26.12.2012 Откуда: VRN
Joey лично я вообще 5 проходов делаю, для меня пару-тройков часов пошпилить главный тест, бывает так что линкс гоняет ппц скала, а запустил UT и через пару минут вылет
Добавлено спустя 4 минуты 24 секунды:
Advokatvlad писал(а):
Я думаю нет 100% Поэтому FX-8350 - это последний вагон на AM3+ так что брать надо по любому.
ранее уже обсуждалось, что стимролер будет на ам3+
_________________ ARM64 Новая легенда: Внимательный Пад 2022
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 22.08.2006 Откуда: 43 Фото: 22
Joey писал(а):
Вот такой результат подтверждает стабильность или надо еще что-то тестить?
стабильность, как говориться понятие относительное т.к одному достаточно и часа линкса чтобы себя убедить в стабильном разгоне, другому - сутки. Каждый для себя решает сам. Лично я отдаю предпочтение прайму, так как из личной практики он наиболее реально грузит процессор. Сколько часов его гонять - дело сугубо индивидуальное: если вы любите рубиться в тяжелые игрухи часами, то по крайней мере не менее 12ч, если же играете (кодируете, архивируете и пр.) полчаса-час -думаю будет достаточно (ориентировочно) пару-тройку часов в тесте бленд. ЗЫ: с десяток лет назад когда еще сидел на атлоне была очень зачетной садамаза(S&M). Для современных процессоров она вроде как-то не очень (могу и ошибаться, но лучше об этом спросить автора самой программы - уважаемого serj) так как ее мой проц проходит при 100% нагрузке при дефолтном напряжении (1.35-1.36в), а прайм сказал ставить 1.42
Сейчас этот форум просматривают: AAVasil, Google [Bot] и гости: 23
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения