4 pin pwm , в биосе тоже стоит pwm , да все я перепробовал.... может сутки работать нормально а потом взвыть , даже пробовал в биосе ставить температуру повышения оборотов на 75 гр ... , щас еще попробую вовсе отключить контроль управления вентиляторами в биос , пусть аисьют регулирует ... мож поможет

1usmus, я правильно понимаю, что с новым биосом можно такие плашки покупать M391A2K43BB1-CPBQ, или лучше тестов обождать?

ребят, что-то туплю. можете ссылку кинуть на новую агесу для С6Н?

1usmus
Простите, в профильной ветке молчат, так что здесь продублирую: "Вот в непонятках весь: то ли заказывать G.Skill FlareX Black 16GB DDR4 Kit 3200 CL14 (2x 8GB Module) с СU, то ли в родном городе взять Crucial Ballistix Elite [BLE8G4D34AEEAK] CL16 ...? Цены практически одинаковые ..."?

chessbuilder
держи https://www.mediafire.com/file/6s48n1vm ... S-0020.zip

alienware
У меня такая чехарда была на PWM , я выбрал DC и выставил 80% максимум, после этого проблемы пропали

Лучше с CU, там точно стоят чипы памяти Самсунг, а вот в городе, Хьюникс.

WSM
Однозначно G.Skill FlareX Black 16GB DDR4 Kit 3200 CL14 (2x 8GB Module), будет работать на ура.

а это официальный?

бета

Так вроде на Crucial Ballistix Elite BLE8G4D34AEEAK тоже правильные чипы самсунг распаяны. Или я путаю? У меня уже рука сейчас тянулась заказать, хорошо сюда заглянул.

teasnap
дело лично каждого, но у меня именно hwinfo приводил к ребутам... не помню какая была версия
у других AI suite то же самое творил, а у меня нормально работал

Я перепутал с Ballistix Elite BLE2K8G4D34AEEAK. Разница в маркировке всего 2 буквы и одинаковые характеристики, вот и тупанул.
Kingston HyperX Predator HX436C17PB3K2/16, какие чипы?

Наконец добился стабильности со своими Самсунг ОЕМ чипами (Samsung M378A1K43BB1-CPB) на 3466мгц, черный экран был один раз в HCI memtest (раньше было около 10 раз к 50-60% уже, в играх спустя некоторое время нвидиа драйвер падал).
Напряжения в биосе/винде

Vcore - 1.35V/1.36V
SOC - 1.05V/1.068V
DRAM - 1.4V/1.41V
CAD_BUS = 30
ProcODT/RTT_NOM/RTT_PARK/RTT_WR = auto

Почему слот В2 имеет преимущество в разгоне или как АМД запорола разгон ОЗУ

Немножко предыстории. Началось с того что программы мониторинга постоянно показывали температуру плашки в слоте В2 на 2-3 градуса большую чем для А2. Я попробовал сменить плашки местами. И. И ничего не изменилось, слот В2 снова показал температуру большую. Я решил сделать замер вольтажа в слотах и вот что выяснилось. На слот В2 подается напряжение на пол шага-шаг большее чем на А2! При базовом выставленном вольтаже 1,415 на слот А2 подается 1,415-1,430 ,а на B2 бомбит вплоть до 1,46 (меряется это очень просто, один щуп землю втыкаем в землю молекса, вторым щупом тыкаем в дырку разъема модуля озу, который находится рядом с пластмассовым ключом).

Данный дефект допущен специально дабы сдержать искусственно разгон ОЗУ и понтануться перед фирмой-оппонентом в разгоне одного модуля (что не все так печально). Теперь собственно небольшие пояснения почему это так.

Передача данных с высокой скоростью между устройством DRAM и контроллером памяти требует тщательной разработки драйверов ввода-вывода для обеспечения того, чтобы были достигнуты требуемые уровни электрической сигнализации. Изменения в напряжении и температуре могут изменять электрические характеристики схемы выходного драйвера, что приводит к отклонениям от желаемых уровней сигнализации. Кроме того, изменения в других элементах системы, таких как трассировки импеданса, опорное напряжение (Vref) и терминации напряжения (Vterm) также могут влиять на уровни сигнализации.
Краткий вывод: переизбыток вольтажа на одном из слотов будет всегда нарушать сигнализацию на шине.

Существует термин "Data eye", он является показателем качества сигналов в высокоскоростных цифровых передачах. Я думаю эту картинку с презентаций NVIDIA видели многие, но многие не задумывались что она означает. Давайте немного разберемся.



На правой части картинки отчетливо видно отверстие "Data eye" овалопододной пожеванной формы, оно имеет четкие очертания, это и есть зона в которой передается сигнал. На левой же картинке данный глаз имеет очень маленькую площадь + сигнал имеет множественные деформации из-за шумов. По бокам наш глаз всегда сопровождается джиттером "эффектом дрожания". В цифровой схеме все сигналы передаются по отношению к тактовым сигналам. Отклонение цифровых сигналов в результате отражений, межсимвольных помех, перекрестных помех, вариаций PVT (температура-напряжение-температура) и других факторов составляет джиттер. Некоторые дрожания просто случайны. Переводя на простую речь, что чем выше напряжение, частота, температура тем больше будет эффект дрожания. Соответственно чем больше площади будет занимать джиттер тем меньше площади останется для нашего глазика с данными.

Возвращаясь к нашему перевольтажу на слоте мы получаем просто припаскуднейше несинхронизированное соотношение полезного сигнала к шуму между двумя модулями оперативной памяти. Но это еще не все, перевольтаж вызывает овершуты/андершуты на фронтах сверху и снизу (искажения сигнала которые можно наблюдать на следующей картинке) которые не в состоянии обрабатывать наш контроллер памяти.



Оранжевым помечен - овершут , красным - андершут.

На благо дабы бороться с джиттером и прочей ересью были разработаны технологии калибровки драйвера вывода (RTT + procODT + CAD_BUS). Казалось бы круто, молодцы АМД, столько фишек и плюшек в биосе. НО. Но всегда будет НО одно большое и жирное. Оно заключается что все эти параметры просто брошены на самотек. Ими никто не занимался, никто не занимался тестами памяти. Именно по-этому пришлось поднимать мануалы, месяца долбаться чтоб создать калькулятор который бы смог частично помочь людям с разгоном.

Исправить "Data eye" настройками которые нам предложены в биосе мы нам не удастся. И предел разгона ОЗУ как выяснилось просто не столь зависит от качества контроллера памяти или качества чипов памяти как от качества разводки шины и балансе напряжений которые раздаются на слоты. Самсунг память имеет изначально более лучший показатель Data eye чем любые другие марки. Это объясняет феномены работы ОЗУ даже на 3733 мгц при относительно невысоком вольтаже. Я более чем уверен что на январской выставке будут предложены новые чипсеты АМД с пофиксенной проблемой разгона. Это мелкое подлое деяние мне напоминает микротранзакции в играх, когда купил вроде бы уже готовый продукт, но его постоянно нужно обновлять коробочками с лутом в виде новых материнских плат ну и процессоров тоже.

Чуть не забыл почему разгон в B2 лучше чем в других слотах:

1) дополнительный вольтаж относительно выставленного (мониторинг соврет а пользователь будет счастлив разгоном)
2) модуль находится на конце линии, что существенно уменьшит переотражения на линии (качество сигнала будет куда лучше чем в других слотах)
3) могу предположить что procODT (терминация импеданса всей линии) скорее всего настроен именно по-этому слоту , последнему. У интела в этом случае все наоборот, потому и проблем меньше с ОЗУ.

Возможно не успели доделать чипсет, возможно не хватило денег на исследования, а возможно обычная дойка своих клиентов.Кто виноват а кто нет решать Вам. С Вами был я, еще непроплаченный 1usmus

P.s. так же возможен индивидуальный дефект моего экземпляра материнской платы

P.p.s добавлю на всякий случай как стоят плашки,обдув совершается сверху вниз (временно пока не поставил воду на видюху) и результаты замера температуры соответственно

Еще чуть-чуть и возьмут на работу в АМД. Пока наверное в качестве тестера, но все же

Если серьезно, то жопошники они конечно. Может слухи не врут, и АМД до сих пор фиктивная компания для Интел, чтобы дурить антимонопольщиков?!

А землю вот вот захватят рептилойды сионисты

раз бета, тогда подожду официальную версию. сейчас память 3333 и добился отсутствия фризов, так что не горит.

Выставил 1.4В - на Б2 бомбит до 1.43В. Дело точно в АМД?

Означает ли это, что если в слоте А2 протестировать каждую планку памяти одной штукой, выявить более слабую по разгону и ее надо ставить в В2, а более хорошую в А2 ?

Прочитай хотя бы википедию, о том что касается разработки микропроцессоров и зарождениии корпорации Интел.
И да, над оставить специальный тег, как в HTML 5( <sarcasm>your content here...</sarcasm> ), чтобы ты понял что это сарказм?