ну я напрример учусь сетевой академии на админа и на железячника

Ладно....Всё. Закрываем тему. Пока её во флейм не перенесли. Она уже содержания заголовка не отражает.

---------------------------------------------------------------------------------------------------
Ушёл делать курсовик- "генератор тактовой частоты, стабилизированный кварцем на ТТЛ-логике"

OK!

Gregoryk
НГТУ - это бывший НЭТИ?
Отличный ВУЗ. Это случайно не физико-технический факультет (был когда-то такой).
ИФП - это институт физики полупроводников, как я понимаю. Когда-то был сильный институт, надеюсь, что и сейчас остается на уровне. Я в свое время проходил практику в ИЯФ - лаборатория радиофизики, у Карлинера, правда, давно.
Теперь о сути.
Да, это деформация, как я и отмечал. Она приводит к увеличению межатомных расстояний в кристаллической решетке. Проводимость возрастает. Сейчас не будем о деталях физики процесса (тем более, что они пока и не очень афишируются специалистами Intel), да и технология совсем новая. Этот эффект используется в области канала И-С КМОП-транзистора.
Технология используется в Prescott, и, кажется, в P4 линейки C.
Я постараюсь найти статьи, но чуть позже.

Усё правильно. Теперь факультете переименовали в РЭФ (радиолектронники, электронники и физики.) А моя спецальность и раньше существовала- "Полупроводники и диэлектрики" вроде называлась.
ИФП как то пришёл к разрухе...НО! Недавно ездили на экскурсию (смотреть так сказать место возможно работы). Так возраждается всё! Закуплено оборудование (установки), сделан нехилый ремонт. Да и просто компы стоят очень и очень нехилые. Так что ИФП скоро возродится. А вместе с ним, я надеюсь, и наше п\п производство. А то кремниевые пластины нам для лаб. по фотолитографии и п\п процессам лежат ещё с советских времён .

Gregoryk
Кстати, мои любимые книги - Шило. "Линейные интегральные схемы" и "Популярные цифровые микросхемы", а также Хилл "Искусство схемотехники". Может быть пригодится. Рекомендую всем!!!
Отлично сданной сессии!
Удачи.

Будет время и желание - загляни на нашу страничку. Появятся вопросы - отвечу.

Спасибо.

Имел дело с этой книгой (врод бы), когда в прошлом семестре моделировали работу цифровых схем (сумматоров, мультиплексоров и тд...) на компе.

2ALL Я действительно не уиверждаю о ТОЧНОМ техпроцессе и о кол-ве атомов на транзистор(триггер,резистор, регистр) и о НЫНЕШНЕМ производстве имею тостаточно смутное представление, да, если бы и имел, то отдаю себе отчёт, что подавляющёму польшинству читателей это ни к чему, да и не понять без спецподготовки, я в-общем-то и не претендую на истину в последней инстанции. Моеё задачей было хоть немного приблизить тот бред, который очень часто проникает на страницы от некомпетентных авторов до какого-то, хотя бы околонаучного состояния. Кроме того, абсолютно не скрываю, что мои данные СИЛЬНО устарели (изучал пр-во полупроводников в начале 80-х), однако пытался донести базисный принцип, неизменный, в-общем-то, для всего полупроводникового пр-ва на нынешний день. Вторая моя мысль, главная, правда, не относящаяся непосредственно к железу-это некомпетентность, когда кухарка допускается к управлению государством-не мне вам рассказывать, что из этого вышло.

Насчёт цвета ядра, может это и чушь, но, если у меня есть возможность выбрать Атлон, всегда стараюсь выбрать еёмный красно-фиолетовый и ни разу не ошибся, пример-мой процессор, покупал, абсолютно не зная всех этих букв маркировки- результат- 205х12х1.85В ->3000+а вообще, любопытно бы собрать такую статистику.

Overclocker
Объяснений и оправданий не требуется. Все и так вполне ясно.
Тема важная и актуальная. Поднята она вполне своевременно.
Думаю, всем понятно, что требуется институт квалифицированных экспертов, способных поставить барьер откровенно слабым статьям и рекомендациям.
Да, нужна экспертиза и редактирование статей. Это очевидно.
Без сомнения, рано или поздно, но это будет сделано.
Просто сайт еще молод, как впрочем, и большинство его активистов.
Главное - чтобы они стремились к знаниям, а то тут как-то один высказался (конечно, я помню его). Смысл его совета (мне) заключался в том, что знания часто мешают. Он действительно верит, что все гениальные изобретения создавали люди, не обремененные знаниями.
Я, например, два таких изобретения уже знаю. Это глобус Москвы и грелка для пупка (из М.Задорнова). Некоторые действительно думают, что без яблока Ньютон закон всемирного тяготения не открыл бы
И не читая документацию, готовы спорить о высоких технологиях, дают советы, и ... просят прислать решения задач будущего экзамена по алгебре.

Gregoryk




Нда. Уж не знаю, какая компетенция у тебя в твоей специализации, но вот с физикой твердого тела у тебя нелады явные. То, как себя ведет кристаллическая решетка при легировании, зависит прежде всего от валентности легирующей добавки: если она больше, чем у кремния, то образуется лишний электрон, если меньше - дырка, если такая же (т.е. 4), то никакой дырки/электрона не возникает, а решетка просто деформируется (в принципе, если атомные диаметры достаточно близки, то решетка может вообще не меняться - на этом основаны полупроводниковые лазеры - там химический состав может существенно меняться от слоя к слою, но лазер остается монокристаллом)

Rudteam Тут уже сказывается политака сайта, учиняющего конкурс, чуя, что тем для написания остаётся всё меньше, как и желания писать(людям надоедает каждый день одну и ту же рутину делать), обьявляют всякие конкурсы, а тут уже ясно, что не пустить на конкурс ту или иную статью, это уже дискриминация, кроме того, призы очень привлекают читателей, тут всё ясно, вопрос в другом, как люди, имеющие о предмете очень приблизительное представление, обладают нескромностью что-то ваять, но это уже на их совести..
Brag Приятно, что имеются ещё грамотные люди(я предупреждал, что знаю о пр-ве только в общих чертах), вот и написал бы что-нибудь на тему, дабы отбить у графоманов писать всякую чушь.

Rudteam:
0,1мкм = 10^-7 метра - это размер транзистора

0,1 (0.13, 0.15...) это проектная норма, грубо говоря, точность с которой получается объект на подложке, сам объект гораздо больше по размеру, т.е. атомов там на порядок-другой больше, другое дело что плёнки научились делать в несколько атомов толщиной.

Gregoryk:
SiGe имеет повышеную подвижность как раз из-за деформации решётки при сохранении базовой проводимости кристалла, раньше, в биполярной технологии для этого применялся кажись кислород для повышения эмиссионной способности эмиттера. Во, как склероз напряг ;О)

mse
Я, конечно, уважаю Выше инженерное положение (посмотрел Ваш профиль), но, как говорится,
"Платон, ты мне друг, но истина мне дороже".
Хотя Ваши слова и являются подтверждением моих выкладок.
Неужели Вы думаете, что я просто так сыплю цифрами, без должной подготовки?
Уверяю, я не любитель
Рекомендую ознакомиться:
http://rudteam.narod.ru/cpu/idf2/idf2_p2.html
Возможно, будет интересно ознакомиться не только с этим отрывком, но и со всей статьей, а при желании и с другими.
Для занятых и ленивых подскажу:
при технологии 0,13мкм длина затвора транзистора (КМОП) составляет 0,07мкм, а размеры именно 0,1мкм, впрочем каждый может убедиться в этом, взгянув на первую картинку приведенного отрывка статьи, сделанной по материалам IDF.

давно ждал подобных обсуждений, даже учиться опять захотелось(бросил уже два института причина - лень, отсутствие стимула. теперь думаю пойду поступлю опять, завтра же)

Brag ты никак с РТ?

HOTaBITch
Может быть это покажется странным, но я тоже
Если прельщают подобные темы, приглашаю посмотреть статьи на нашем сайте.
А в ближайшие несколько дней заканчиваем рукопись новой книги. Там будет довольно много материалов о технологиях и, как всегда, о разгоне.

Rudteam сайт дествительно редкосно компетентен. спасибо за пробуждённый во мне интерес к основам технологий.

Согласен! Позволю себе одно замечание, по поводу:

Межатомное растояние в кристалической решотке может быть только средним, разным при определенных условиях, с вариациями +/-, при этом величина данных колебаний увеличивается с увеличением заряда атома в целом. Продолжая добавлю, изменение количества электронов в атоме изменит форму электронного облака, приводящее к изменению меж атомного размера, в большей степени за счет изменения объема е-облака, при этом далеко не факт, что межядерный размер изменится в той же степени. Я к тому, что создание связки Ge-Si увеличивает объем е-облаков последнего, и как следствие его проводимость. Все новое-хорошо забытое старое!
P.S. Звиняйте шо не так. Сведенья почерпнуты во время обучения в школе 10 лет назад между строк учебника. Сейчас имею высшее нетехническое образование.

Кто как, а я не понял, что хотел сказать DrDon.
Вероятно, это потому, что слишком "обременен знаниями" (см.выше)