Мне надо попробовать понизить частоту памяти?

1. Большее напряжении позволяет ставить большую шину

До определенного предела. У памяти есть такой-же предел, после которого никакое повышение не помогает.

Надо.

поставить её на 333 и попробовать после этого поднять шину?

Угу, это понятно, больше 20% напряжения я поднимать не буду

2,5+20%=3 Вольта.

И множитель НТ убавить не забудь

Почему 2,5? 1,35. Или мы про разное напряжение?

Вроде как когда говорят про тайминги обозначают 4 параметров. Так?

CAS# Latency (tCL) – параметр, управляющий задержкой времени (по периодам синхронизирующих импульсов) которая происходит до момента когда память начинает выполнять команду считывания после ее получения. Также определяет значение "цикла таймера" для завершения первой части пакетной передачи. Чем меньше время ожидания, тем быстрее происходит транзакция. Может принимать значения: 2; 2,5 и 3.

RAS# to CAS# Delay (tRCD) – опция, позволяющая выставить задержку между сигналами RAS (Row Address Strobe) и CAS (Column Address Strobe). Проще говоря – задержка, происходящая когда что-то записывается, обновляется или считывается в памяти. Естественно, что уменьшение данного параметра приводит к улучшению производительности, а увеличение, наоборот, к ее снижению. Выбор осуществим из значений: 2; 3 и 4.

Row Precharge (tRP) – время предварительного заряда. Данная опция устанавливает количество циклов необходимых, чтобы RAS накопил свой заряд перед обновлением SDRAM. Как правило, уменьшение времени предварительного заряда улучшает производительность SDRAM. Допустимые значения: 2; 3; 4.

Cycle Time (Tras) – функция, позволяющая изменить минимальное количество циклов памяти требуемых для Tras и Trc. Tras означает SDRAM`s Row Active Time (время активности ряда SDRAM ), то есть период времени в течение которого ряд открыт для переноса данных. Также существует термин Minimum RAS Pulse Width (минимальная длительность импульса RAS). Trc, с другой стороны, означает SDRAM`s Row Cycle Time (цикл памяти/время цикла ряда SDRAM), то есть период времени в течение которого завершается полный цикл открытия и обновления ряда. В большинстве BIOS материнских плат, основанных на чипсете VIA K8T800, возможен широкий диапазон выбора между значениями от 5 до 15.

Чем меньше их значение, тем эффективнее память (но сложней гнять процессор), чем больше их значение тем лечге поднимать частоту?

тактовая частота процессора - 260, а памяти 333. Это ведь асинхрон получается. Синхрон же лучше?

Это нормально?

Если ты поставишь в биосе 400, т.е. 200 реальной частоты, он же синхрон, то при разгоне НТТ на 30%, на твоей памяти тоже будет 260 реальных мгц. Она этого вряд-ли вынесет.

частоту результирующую на памяти при нормальных таймингах - получишь хорошую производительность.

НУ да. А можно получить большую частоту (когда делитель другой используешь), но из-за этого будут тайминги вероятнее всего намного хуже (и не факт что одно лучше другого, или наоборот)

Хм... делитель? Я вроде бы делитель еще не трогал. Или трогал?

Не в обиду, но я не пойму как можно разгонять железо не прочитав FAQ о разгоне и не понимая примерно принципы разгона (как все взаимодействует)?