По словам AMD, основного внимания достойно увеличение IPC (instructions per clock, операций за такт). В презентации 2016-ого года инженер CERN Ливиу Валсан сообщил, что этот процессор будет использовать технологию SMT (одновременная многопоточность). Переход от микроархитектуры модулей, используемой в Bulldozer, к полноценным ядрам, как ожидается, может увеличить производительность на ядро в операциях с плавающей точкой за счет большего количества блоков FPU. Два потока на ядро; Кэш декодированных микрооперций; 8 МБ общей кэш-памяти третьего уровня (1 МБ на ядро, тип - victim); Большая унифицированная кэш-память второго уровня (512 КБ на ядро); Два блока с реализацией аппаратных ускорителей стандарта шифрования AES; Высокоэффективные FinFET-транзисторы.(14 нанометров) Все представители процессоров AMD Zen будут совместимы с материнскими платами, поддерживающими сокет AM4
Базовая - заявленная минимальная частота при нагрузке Типичная - частота обычно наблюдаемая при нагрузке на несколько ядер Турбо - заявленная частота при нагрузке на одно ядро XFR - частота обычно наблюдаемая при нагрузке на одно ядро
Все процессоры Ryzen 7 - это один и тот же процессор прошедший через отбор при маркировке. Отбор подразумевает его стабильность и эффективность на определённых частотах. Максимальная разница в разгоне у всех моделей Ryzen 7 невелика и составляет до 400МГц (воздух/вода) при потолке в 4.2ГГц (вода), а средняя обычно составляет не более 200МГц. Вот подробное описание отличий:
Ryzen 7 1700 - младшая модель в линейке Ryzen 7. Самая дешёвая, выгодная и энергоэффективная.
- Обычно поставляется в коробке с системой охлаждения Wraith Spire RGB (это круглая конструкция из целого куска алюминия с медной вставкой-испарительной камерой в основании и вентилятором с кольцом разноцветной подсветки, крепится к задней пластине разъёма AM4 четырьмя винтами). - Штатно имеет базовую частоту 3.0ГГц, частоту 3.2ГГц (технология Turbo Boost) при обычной многопоточной нагрузке (Blender n-cores render) и 3.75ГГц (технологии Precision Boost и XFR) при однопоточной нагрузке (Cinebench R15 single core). - Штатное напряжение питания 1.1875В. Может возрастать до 1.3В на отдельных ядрах во время работы Precision Boost и XFR. - Очень энергоэффективный, требования к СО (TDP) - всего 65W. Энергопотребление порядка 10Вт в простое и 85Вт в обычной многопоточной нагрузке (Blender n-cores render).
Ryzen 7 1700X является средним звеном среди Ryzen 7. Хороший выбор для тех, кто не может разогнать 1700, т.к. не сильно дороже, но с заметно большими частотами.
- Обычно поставляется в небольшой коробке без СО. - Штатно имеет базовую частоту 3.4ГГц, частоту 3.5ГГц (технология Turbo Boost) при обычной многопоточной нагрузке (Blender n-cores render) и 3.9ГГц (технологии Precision Boost и XFR) при однопоточной нагрузке (Cinebench R15 single core). - Штатное напряжение питания 1.35В. Может возрастать до 1.4В на отдельных ядрах во время работы Precision Boost и XFR. - Энергоэффективность средняя, требования к СО (TDP) - 95W. Энергопотребление порядка 13Вт в простое и 120Вт в обычной многопоточной нагрузке (Blender n-cores render). - По сравнению с R7 1700 имеет увеличенный промежуток XFR (100МГц вместо 50МГц), а также увеличенные технологией SenseMI показатели температуры на 20 градусов (например, 90 при реальных 70).
Ryzen 7 1800X - топовая модель в линейке процессоров Ryzen. Дорогой, для тех, кто желает получить лучшее, не смотря ни на что.
- Обычно поставляется в небольшой коробке без СО. - Штатно имеет базовую частоту 3.6ГГц, частоту 3.7ГГц (технология Turbo Boost) при обычной многопоточной нагрузке (Blender n-cores render) и 4.1ГГц (технологии Precision Boost и XFR) при однопоточной нагрузке (Cinebench R15 single core). - Штатное напржение питания 1.35В. Может возрастать до 1.45В на отдельных ядрах во время работы Precision Boost и XFR. - Энергоэффективность средняя, требования к СО (TDP) - 95W. Энергопотребление порядка 12Вт в простое и 137Вт в обычной многопоточной нагрузке (Blender n-cores render). - По сравнению с R7 1700 имеет увеличенный промежуток XFR (100МГц вместо 50МГц), а также увеличенные технологией SenseMI показатели температуры на 20 градусов (например, 90 при реальных 70).
Старшие мат.платы на чипсете X370 имеют дополнительный функционал, который поможет добиться лучшего разгона ОЗУ и ЦПУ.
Некоторые мат. платы обладают дополнительным внешним тактовым генератором, что позволяет им задавать BCLK - базовую частоту, на которую завязано всё. Это позволяет "гнать шиной" процессор и память (а также прихватывать с собой всё, что висит на PCIe). Например, Asus Crosshair 6 Hero, Asrock X370 Taichi?, Asrock X370 FATAL1TY Professional Gaming?, Gigabyte AX370 Aorus Gaming K7?.
На Asus Crosshair 6 Hero есть дополнительные отверстия в текстолите, позволяющие установить СО с укрепляющей пластиной для разъёма AM3.
Стандартной системы охлаждения R7 1700 хватит даже на небольшой разгон, но лучше всё таки раздобыть что-то с тепловыми трубками. Если ваша старая СО она крепилась к AM3 не зацепками, а винтами, то без помощи производителя, похода в магазин (если вообще бывают такие магазины, где продают комплекты креплений для СО) или колхоза вы её на AM4 не приткнёте. Зато если были зацепки, то проблем быть не должно. Если вы решили брать новое СО, то обратите особое внимание на совместимость с AM4 конкретного выбранного вами экземпляра в магазине, т.к. даже если на сайте производителя написано, что они, например, поставляют с креплением для AM4 в комплекте, у магазина может быть запас ещё с тех времён, когда они поставляли без такого крепления, и потом вам останется только просить у магазина принять товар обратно (что магазины очень не любят делать, особенно если вы его распаковали). Рабочей на Ryzen является температура до 75 градусов (реальных, а не с оффсетом SenseMI). При перегреве процессор сначала снижает множители на конкретных ядрах (некоторые называют это "троттлинг"), если это не помогает, система выключается и может не включаться, пока он не остынет, или выдавать ошибку о перегреве при загрузке (видел оба случая, но не уверен как это точно работает).
Сравнение размеров крепежных отверстий кулера под AM3 / AM4
Убедительная просьба, прячьте все (любые) картинки и видео под спойлер - [spoiler=][/spoilеr], не используйте тэг [spoilеr][/spoilеr] без знака "равно" для картинок - он для текста! Уважайте друг друга! Не у всех Интернет безлимитный и многие смотрят эту тему через телефон.
Флуд и оффтоп даже под тэгом /офф или /спойлер - награждается ЖК, как и ответы на сообщения, его содержащие. Краткие правила темы. Увидели сообщение, нарушающее правила - просто жмите СК: отвечать на такие посты не нужно!
Последний раз редактировалось 1usmus 06.07.2019 17:22, всего редактировалось 172 раз(а).
Заблокирован Статус: Не в сети Регистрация: 30.06.2008 Откуда: москва
для дуалранка это нормально? понимаю на рекорды не претендую, может что то надо изменить? а то я просто в биосе поставил эту частоту и все таймиги стоят авто.
"Jokushka у вас DR вроде, там совсем другой подход, хотя тут есть человек у которого аналогичный комплект работает на 3333.
Jokushka писал(а):
А смысл, если ни одна задача так проц не прогревает , как в этих стресс-тестах? Или я чего -то недопонимаю
Допустим на стресс-тесте у вас сейчас 85 градусов в пике, а вот при повседневных более-менее нагруженных задачах, будет температура 60~ градусов, в пике 70, это не очень хорошо. А убавь вы частоту, понизить вольтаж, температуры будут в стресс тесте допустим уже 70-75, что допустимо и смотрится более благоприятно."
Не. Синглранк у меня. А что если кулер подускорить просто? Я наскоко знаю до 75 это в принципе норма?темболее в кратковременных пиках?Ну 3.7. что это за разгон такой
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 29.10.2017 Фото: 63
derp мне просто интересно, у вас бывает что например в TM5 ошибка на n цикле, но в мемтесте без проблем крутит до 1000% и выше? Просто столкнулся с такой ситуацией, всё в системе стабильно, но TM5 нервирует, ибо обычно точен в своих показаниях, да и быстрее определяет ошибки.
Добавлено спустя 1 минуту 8 секунд: derp в моём понимании, стабильность это когда 24/7 без проблем работает компьютер, в рабочих приложениях/играх.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 30.04.2015 Откуда: Россия Фото: 632
RotedVictus, что за проценты в мемтесте? Там проходы, как и в ТМ5. По-моему и ТМ5 и мемтест примерно одинаково ошибки находят. Просто ТМ5 намного быстрее. Зато мемтест всю память прогоняет, а ТМ5 только свободную.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 29.10.2017 Фото: 63
Jokushka 3.7 довольно оптимальный разгон, разница с 3.8, минимальная. Можете подкрутить, вам решать. Лучше займитесь разгоном памяти, от неё основной прирост. Странно, довольно низкие показатели тогда, можете скинуть показания Тайфуна, что за чипы стоят?
Добавлено спустя 1 минуту 1 секунду: derp RMT 2.5 если точнее.
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 07.06.2017 Откуда: Persey omicron
DRAM CTRL REF Voltage шанс запустит/стабилизировать память
DRAM CTRL REF Voltage - позволяет задать сигнальное напряжение питания для всех каналов памяти при обмене данными между процессором и оперативной памятью. Иными словами, это своего рода указатель, по которому контроллер памяти определяет соответствие посланного сигнала значению «0» или «1». Все напряжения питания ниже значения, определенного в опции DRAM CTRL REF Voltage будут интерпретироваться как «0», а выше - как «1». Задается в виде множителя относительно напряжения питания на модулях памяти (DRAM Voltage). По умолчанию равно значению [0,500х] либо [0,500V].
Рассмотрим два случая: 1) Мой кросхейр постоянно держит 0,5 вольта, что не есть нормально. Для 1,4 вольта требуется аж 1,4*0,5 = 0,7V. Это говорит о том что далеко не всю память будет видеть контроллер памяти (не говоря уже о том насколько тяжко ему будет распознавать сигналы) при повышении вольтажа или просто изначально. И касается всех плат. 2) Не всегда коэффициент 0,5 может заставить контроллер увидеть память, в таком случае его поднимают до 0,55 либо 0,58 (по версии @Ramad , в мануале к примеру Designing_for_DDR4_Power_and_Performance на странице 25 говорится о том что правило VREF = 1/2VDRAM нарушать можно).
Ограничение: без должного охлаждения переваливать 0,8 не рекомендую
Jokushka 3.7 довольно оптимальный разгон, разница с 3.8, минимальная. Можете подкрутить, вам решать. Лучше займитесь разгоном памяти, от неё основной прирост. Странно, довольно низкие показатели тогда, можете скинуть показания Тайфуна, что за чипы стоят?
тайфен
MANUFACTURING DESCRIPTION Module Manufacturer: Kingston Module Part Number: KHX2666C16/8G DRAM Manufacturer: Hynix DRAM Components: H5AN8G8NMFR-VJC DRAM Die Revision / Lithography Resolution: M / 25 nm Module Manufacturing Date: Week 08, 2017 Module Manufacturing Location: Keelung, Taiwan Module Serial Number: A1307471h Manufacturing Identification Label: 0000007648837 Module PCB Revision: 00h PHYSICAL & LOGICAL ATTRIBUTES Fundamental Memory Class: DDR4 SDRAM Module Speed Grade: DDR4-2666 Base Module Type: UDIMM (133,35 mm) Module Capacity: 8192 MB Reference Raw Card: A2 (8 layers) Initial Raw Card Designer: Not determined Module Nominal Height: 31 < H <= 32 mm Module Thickness Maximum, Front: 1 < T <= 2 mm Module Thickness Maximum, Back: T <= 1 mm Number of DIMM Ranks: 1 Address Mapping from Edge Connector to DRAM: Standard DRAM Device Package: Standard Monolithic DRAM Device Package Type: 78-ball FBGA DRAM Device Die Count: Single die Signal Loading: Not specified Number of Column Addresses: 10 bits Number of Row Addresses: 16 bits Number of Bank Addresses: 2 bits (4 banks) Bank Group Addressing: 2 bits (4 groups) DRAM Device Width: 8 bits Programmed DRAM Density: 8 Gb Calculated DRAM Density: 8 Gb Number of DRAM components: 8 DRAM Page Size: 1 KB Primary Memory Bus Width: 64 bits Memory Bus Width Extension: 0 bits DRAM Post Package Repair: Supported Soft Post Package Repair: Supported DRAM TIMING PARAMETERS Fine Timebase: 0,001 ns Medium Timebase: 0,125 ns CAS Latencies Supported: 9T, 11T, 12T, 13T, 14T, 15T, 16T, 17T, 18T DRAM Minimum Cycle Time: 0,750 ns DRAM Maximum Cycle Time: 1,600 ns Nominal DRAM Clock Frequency: 1333,33 MHz Minimum DRAM Clock Frequency: 625,00 MHz CAS# Latency Time (tAA min): 12,000 ns RAS# to CAS# Delay Time (tRCD min): 13,500 ns Row Precharge Delay Time (tRP min): 13,500 ns Active to Precharge Delay Time (tRAS min): 29,250 ns Act to Act/Refresh Delay Time (tRC min): 45,750 ns Normal Refresh Recovery Delay Time (tRFC1 min): 350,000 ns 2x mode Refresh Recovery Delay Time (tRFC2 min): 260,000 ns 4x mode Refresh Recovery Delay Time (tRFC4 min): 160,000 ns Short Row Active to Row Active Delay (tRRD_S min): 5,250 ns Long Row Active to Row Active Delay (tRRD_L min): 5,250 ns Write Recovery Time (tWR min): 15,000 ns Short Write to Read Command Delay (tWTR_S min): 2,500 ns Long Write to Read Command Delay (tWTR_L min): 7,500 ns Long CAS to CAS Delay Time (tCCD_L min): 5,250 ns Four Active Windows Delay (tFAW min): 22,500 ns Maximum Active Window (tMAW): 8192*tREFI Maximum Activate Count (MAC): Unlimited MAC DRAM VDD 1,20 V operable/endurant: Yes/Yes THERMAL PARAMETERS Module Thermal Sensor: Not Incorporated SPD PROTOCOL SPD Revision: 1.1 SPD Bytes Total: 512 SPD Bytes Used: 384 SPD Checksum (Bytes 00h-7Dh): BC96h (OK) SPD Checksum (Bytes 80h-FDh): 53D8h (OK) PART NUMBER DETAILS JEDEC DIMM Label: 8GB 1Rx8 PC4-2666-UA2-11 FREQUENCY CAS RCD RP RAS RC RRDS RRDL WR WTRS WTRL FAW 1333 MHz 18 18 18 39 61 7 7 20 4 10 30 1333 MHz 17 18 18 39 61 7 7 20 4 10 30 1333 MHz 16 18 18 39 61 7 7 20 4 10 30 1200 MHz 15 17 17 36 55 7 7 18 3 9 27 1067 MHz 14 15 15 32 49 6 6 16 3 8 24 1067 MHz 13 15 15 32 49 6 6 16 3 8 24 933 MHz 12 13 13 28 43 5 5 14 3 7 21 800 MHz 11 11 11 24 37 5 5 12 2 6 18 667 MHz 9 9 9 20 31 4 4 10 2 5 15 INTEL EXTREME MEMORY PROFILES Profiles Revision: 2.0 Profile 1 (Certified) Enables: Yes Profile 2 (Extreme) Enables: No Profile 1 Channel Config: 2 DIMM/channel XMP PARAMETER PROFILE 1 PROFILE 2 Speed Grade: DDR4-2666 N/A DRAM Clock Frequency: 1333 MHz N/A Module VDD Voltage Level: 1,20 V N/A Minimum DRAM Cycle Time (tCK): 0,750 ns N/A CAS Latencies Supported: 18T,17T,16T,15T, 14T,13T,12T,11T, 10T,9T N/A CAS Latency Time (tAA): 12,000 ns N/A RAS# to CAS# Delay Time (tRCD): 13,500 ns N/A Row Precharge Delay Time (tRP): 13,500 ns N/A Active to Precharge Delay Time (tRAS): 29,250 ns N/A Active to Active/Refresh Delay Time (tRC): 45,750 ns N/A Four Activate Window Delay Time (tFAW): 22,500 ns N/A Short Activate to Activate Delay Time (tRRD_S): 5,250 ns N/A Long Activate to Activate Delay Time (tRRD_L): 5,250 ns N/A Normal Refresh Recovery Delay Time (tRFC1): 350,000 ns N/A 2x mode Refresh Recovery Delay Time (tRFC2): 260,000 ns N/A 4x mode Refresh Recovery Delay Time (tRFC4): 160,000 ns N/A Show delays in clock cycles
Так рагон как-никак до 3000 щас, но хз насчет таймингов. А что на 3200 большая разница будет от 3000? Я так и непойму отчего СоК прыгал до 1.5, и шина не стабильна.Так проц не спалится?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 30.04.2015 Откуда: Россия Фото: 632
1usmus, где ты такую опцию видел? Думаешь позволит снизить напряжение на память или завести выше 3600? В ТМ5 у меня обычно ошибки были 3 и 4 тест. PS снёс из безопаснго режима дрова и поставил снова. Пока больше 2 суток аптайма с процем на 3.8 и памятью с новыми таймингами без приключений, надеюсь это таки были дрова, а не видуха RotedVictus
Jokushka 3.7 довольно оптимальный разгон, разница с 3.8, минимальная. Можете подкрутить, вам решать. Лучше займитесь разгоном памяти, от неё основной прирост.
Намного лучше на 3.7 с 1.3в не стало. и фризы никуда не делись. а производительность заметно упала
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 07.06.2017 Откуда: Persey omicron
Все асусы без исключения могут получить абсолютный анлок 1) Недостающих настроек фаз питания (которые отличают младшие платы от топчика) 2) DRAM CTRL REF Voltage 3) Мануальный ввод вольтажей 4) Прочих плюшек
Все строки управления и функции в текущих биосах есть но они не выведены в меню. Поможет только подмена строк. Как это сделать знает только один человек @Reous. Я веду с ним переговоры, надеюсь согласится поделиться секретом.
Посмотрел Asrock 4.60 биос для 350тых, в нем к сожалению нет ни DQS ни DRAM CTRL REF Voltage... И не вижу теперь настроек вольтажей. В каком меню на 350той лежат настройки вольтажей?
И самое интересное, нашел формулу по которой платы рассчитывают VTT DDR и в ней указан шаг 0.005V. Каким боком мы получаем гораздо худший шаг для ручной регулировки вопрос. От сюда у меня мысль что автомат рассчитывает куда точнее чем мы можем. Тоже самое может быть и с procODT, изменения маржи возможно в обе стороны (то-есть мы можем выбрать 53 только, но плата может подтянуть в автомате и 52).
Сейчас этот форум просматривают: G.S.V, shuler37 и гости: 30
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения