На трех фазах то и без радиатора - и с 4 пин питанием -нееее не сгорит Ну если ток тротлинг питания может не даст сгореть -и то не факт

# of P-States 7
P-State FID 0x19 - VID 0x21 - IDD 9 (20.50x - 1.137 V)
P-State FID 0x18 - VID 0x0B - IDD 13 (20.00x - 1.412 V)
P-State FID 0x13 - VID 0x18 - IDD 11 (17.50x - 1.250 V)
P-State FID 0xC - VID 0x26 - IDD 8 (14.00x - 1.075 V)
P-State FID 0x7 - VID 0x2C - IDD 6 (11.50x - 1.000 V)
P-State FID 0x2 - VID 0x32 - IDD 5 (9.00x - 0.925 V)
P-State FID 0x10C - VID 0x39 - IDD 4 (7.00x - 0.837 V)

PStateReg 0x8000017D-0x00001618
PStateReg 0x80000172-0x00003013
PStateReg 0x8000015C-0x00004219
PStateReg 0x8000014F-0x00004C0C
PStateReg 0x8000013F-0x00005807
PStateReg 0x80000131-0x00006402
PStateReg 0x80000126-0x0000724C
PStateReg 0x00000000-0x00000000

Prof qefir уже завтра продолжу ,пока что на этих прошел стресс тест памяти и почти два часа играми ,замучался ..но зато все ок ,ая то уже потерял надежду что память сможет cl9 взять

andrey_mayak оставь 1,3 и 4,1 должно работать.
ffa1978 там максимум 100 ватт может чуть побольше. Если сильно не теребить то норм будет.

Пробовал, запускается, но стресс тест не проходит

andrey_mayak мультметром замеряешь напруги? или просто в биосе выставляешь?

в биосе

тогда лучше сбрось на дефолт все, и когда вольтметром обзаведешься, тогда продолжим

ок

лучше остановиться на частоте в 4 ГГц, мой 8320e берет ее при 1,27-1,28, разница в производительности с 4.1 ГГц будет небольшая, а нагрева цепей питания будет меньше

Тестмем5 и прайм95 бленд проходит?
Если плашки односторонние, то ничего удивительного для них.


Вся фишка в том, что у меня 2*8Гб двухсторонки, если его плашки односторонки на моих же чипах, то могут пойти лучше по частоте/таймингам, но быстрее моих они не будут.
Ну а на счет чипов меньшей плотности надо смотреть ту ссылку.


Это Ананербу спасибо, скинул мне неделю, другую назад. Мне самому то видимо не судьба была поискать.
А не пробовал на 2133 с еще меньшими таймами?


Согласен с этим, но это не во всех приложениях актуально.


По идее вместо 28 должно быть 33, он должен быть не меньше, чем сумма первых трех. Меньшее значение просто бессмысленно и не даст буста.
DRAM RAS# ACT Time (tRAS) – минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени. tRASmin = CL+tRCD+tRTP.
В ветке по сайберам добавлял описание всех ее таймингов и рекомендации по их выставлениям. Логично что это будет верно и для других МП, просто где-то может называться по иному.


Для апушек будет самое то, графическому ядру не так важны задержки. Им больше нужна скорость.


Без спецификации на мосфеты только гадать можно. Сфоткай мосфеты, их там вероятно два типа, найди документацию на них и скинь сюда. Ванг нету.


В обязательном порядке + обдув, но сначала сфоткай их маркировку полностью и питальник весь целиком.


Ну если там стоят такие же дохлые мосфеты как на средней и топовой линейке Гиги, то печаль. А если старые, которые мощнее, то вполне вытянут и 3 фазы легкий разгон.


Это же ам3 мать? У нее же нету отключения АРМ в биосе, ты деактивировал его софтово или разгоном по шине? А то он будет душить твой разгон!

Я уже писал, наилучший результат в линкс 2400/2400, толку поднимать 2600/2600 не вижу.

M_E_L скрин помог?

Добавлено спустя 2 минуты 59 секунд:


понял,скину сегодня и покатаю еще.

дык в профиле у него 4ггц написано же, это разве разгон?

согласен, вообще все что выше 2133 особой роли не играет, проще остаться на этой частоте с мин. таймингами.

Этого достаточно чтобы перевалить за ТДП-95Ватт и спровоцировать АРМ начать сбрасывать частоты под нагрузкой.

в принципе согласен, но еще хз какой вольтаж и тд)

Проверил на своей плате -падает если 33 ставить скорость записи в память в аиде,причем далеко не в пределах погрешности.да и в spd прошивают почему то 11-11-11-28 .а не 11-11-11-33 .Может вы путаете ,что RC должно быть не меньше суммы RP+RAS ?

1) Он не связан с записью, описание наверху для чего?
2) Погрешность в аиде до 1000 доходит, разгон памяти с 2133 до 2400 из-за погрешности может не дать прироста в 1000, а ты говоришь о каком-то одном тайминге.
Кидай скрины уж тогда


А причем тут RC, если речь о ?

Описание таймингов я собирал из уже готовых источников, а не сам сочинял.

как то странно ,я взял шаблон для своей с сайта G Skill родные 1866 1.5в 10-11-10-30,подкинул от похожей 1866 9-11-10-28 1.6в,работает отлично,до этого какие только не пробовал но cl9 не стартовал вообще,но это такое....в моем случае 4я цифра не получается от суммы трех первых...и это заводские тайминги

я не говорю что ты сочинял -я говорю про то что 11-11-11-28-39 -39 минимальное значение которое складывается из 28 + 11 последних -тайминги кто как не называет -я взял как они в аиде написаны -сто раз я не буду тайминги менять-обьясните тогда гуру .почему 33 не прописывают в spd -у меня 11-11-11-28 прописано в spd .или там дураки от балды ставят на заводах тайминги ?

Добавлено спустя 3 минуты 7 секунд:

И у менЯ не складывается сумма -не знаю откуда он взял инфу такую -первый раз услышал .Может для сайбера что то там и надо так .но заводские у меня нифига не 33 стоят 4 цифра .как по его логике должна быть.У меня тоже заработала на 1866 на 8-10-9 только память-иначе никак 8 ку не поставить было-это специфика некоторых чипов самсунг и видимо не только их