Помогите разобраться.. Материнская плата асас б350 ,винда 10, стоял проц 1600х.....сегодня поменял проц на 1700 .в винде диспетчер устройств видит все 16 процесоров, а цпу -z видит только 3 ядра-6 потоков . В Диспетчере устройств тоже 6 потоков. Биос сбросил

в винде выставь 16 ядер,msconfig доп параметры...

Там Было только максимум 6 ядер

Поставил, не завелась винда,придется переустанавливать
,уже незагружается винда..

Всем привет, при разгоне памяти, пк редко намертво зависает (иногда на post экране bios, иногда просто при работе).

Конфигурация: мать Msi b350 Krait Gaming, r5 1600@3.8, Ddr4 8x2 CRUCIAL Ballistix Sport LT BLS2C4G4D240FSE 2400.

Для разгона памяти просто выбрал профиль 3200 16-18-18-36, напряжение 1.36, раньше для стабильного запуска ставил вручную сопротивление на 60, на последней версии Bios все заводится на Auto. Напряжение Cpu Nb Soc ставил 1.05 и 1.08 все равно редко но пк зависал. Testmem5 (12 окон одновременно) проходится без ошибок.

Зависания происходят именно при разгоне озу, назависмо разогнан цп или нет.

Посоветуйте в чем может быть проблема и возможно решение.

easy_life1991
Советую приложить скриншоты:
Ryzen Timing Checker
Thaiphoon Burner
чтобы понять какие настройки памяти и чипы в модулях памяти
заодно прояснится, какие тайминги и пресеты должны быть в соответствии с чипами памяти на ваших планках
настраивали по Ryzen DRAM Calculator?

Нет, просто выбрал в bios готовый пресет 3200 cl16.

Попробуйте Ryzen DRAM Calculator:
1. Укажите Micron B-die
2. Нажмите кнопку R-XMP
3. Нажмите кнопку Calculate SAFE
4. Сравните настройки, предлагаемые калькулятором, со своими. Особенное внимание следует обратить на блоки Voltage, Misc и CAD_BUS

Всем привет. Прочитав шапку и изучив методички, с помощью калькулятора попытался сделать разгон памяти, но к сожалению, память Micron на 2400мгц даже на 2800 не завелась. При выборе готовых профилей в биос вышло запустить память на 2800 (скрины ниже). Что то можно из этой памяти еще выжать? (возможно не правильно ввожу данные в калькулятор, так как в наличии 3 плашки памяти. 2 одинаковые по 4гб, 1 отличная от первых на 8гб. Все плашки Crucial Ballistix на микронах, но по тайфуну характеристики разняться. 8гб - двухранговая B-die, 4гб - одноранговые A-die). Проц (1700) разогнан до 3.9ггц 1.385в.

ShikoBir
procODT и RTT ты выставлял какие? в подобных смесях лучше всего использовать эти настройки от dual rank

Воспользовался калькулятором, в итоге пришлось немного подкорректировать тайминги (правда tCWL поставил 16, т.к. рекомендуемое значение 15 не выставлялось), остальные выставил согласно рекомендациям.
По напряжению понизил SoC с 1.050 до 1.025, Dram Voltage с 1.36 до 1.35 (1.344).
Во вкладке mist items: PowerDown вкл, GearDown вкл, CommandRate 1T. В принципе так и было до изменений.
По вкладке CAD_BUS: во всех 4х параметрах было 24 ома, что соответствует альтернативному варианту, поставил везде 20 ом по рекомендации.
Проблемы возникли с блоком Termination. ProcODT 53 ома как и рекомендуется, RttNom 48 ом,Rtt_WR откл, Rtt_Park откл. Изменение этих параметров на рекомендуемые: 53 / 34 / откл / 48 или альтернативные 53 / 34 /120 / 48 или 53 / 34 / откл / 60; как и отключение RttNom приводит к отказу систему стартовать и сбросу разгона. Запуск идет только при 53 / 48 / откл / откл.
Проблема в том что зависания происходят абсолютно случайно и могут отсутствовать неделями. Но проблема точно в разгоне памяти, так как долгая эксплуатация без разгона озу к ним не
приводила.

Upd. Tesmem5 12 окон по 750 mb, при напряжении 1.344 выдал ошибку ~ на 85%. При 1.36 тест пройдет успешно (110-170%) без ошибок.

procODT 53, rtt в авто

easy_life1991
Ты, возможно, удивишься, но для работы с разогнанной памятью нужно повышать напряжение на ЦП.
Скрин Linx на 6Gb 10 проходов пожалуйста в студию.
Неплохо было-бы чтобы еще и HWinfo64 при этом работал и можно было бы отследить скачки напряжений и температур.
Пример:


И да, профиль заполни. Чтобы любой мог без проблем посмотреть твою конфигурацию и что-то советовать.

Добавлено спустя 3 минуты 36 секунд:
ShikoBir
Мозг себе не выноси.
Продавай/меняй 2x4Gb. Бери именно двуранг 8Gb именно на микронах B-die.
Хотя я бы конечно все бы продал/обменял и взял бы обычные OEM Samsung BB2

Да так и планирую сделать немного позже
А по разгону все нормально? Напряжение не избыточное для такой частоты? На 1.4в 4ггц не смог завести процессор. в linX комп зависал

Для такой частоты конечно избыточное.
Но это из-за твоей солянки.
Удивительно вообще то, что этот компот работает стабильно в принципе на хоть какой-то частоте)
А в целом напряжение не критичное, не парься.

UPD.
Тебе на ЦП нельзя сейчас выше напряжение давать, в Linx температура уже почти 80°
Что с кулером, охлаждением в целом?

UPD2.
Вижу большую просадку по напряжению на ЦП. У тебя номинально в районе 1,380В, а по факту ЦП на 1,300В под нагрузкой.
Если VRM не перегревается, я бы подобрал CPU LLC на шаг ниже от максимально возможного, и заодно снизил бы номинальное напряжение в район 1,325В

Вот тест LinX.

Офигеть какое низкое напряжение для CPU3800+DRAM3200. У меня такая комбинация на 1,3125В работает. По нагрузкой там получается 1,300В, но да это чуть с запасом.
Но у тебя под нагрузкой 1,169В! Я, конечно, допускаю то, что ты везучий, и ЦП попался удачный. Но это явно недобор.
Я бы поднял напряжение так, чтобы под нагрузкой было не меньше 1,200В, 4-5 шагов вверх по напряжению.
Напряжение SoC тоже поднял бы на 3-4 шага, чтобы под нагрузкой было не ниже 1,025В



Исходя из всего, я на твоем месте, поднял бы напряжение на ЦП и SoC

там сильно зависит от температуры
у меня так работает с 1.212 вольта

Ну ты вырезал цитату на полуслове)
Там была связь с озу.
У меня сам ЦП на 3800МГц в районе 1,250В прошел Linx, точно не помню, но с разгоном памяти нужно сильно прибавлять.
Да и 1,212В и 1,170В большая разница так-то)