taurintown Разница только в сопротивлениях proc, nom, park по сравнению с 1ранк
ошибки в бленде примерно через 30-60 секунд после начала на 3200 14-16-16-34, SOC 1.05-1.1V (LLC3), память 1.35-1.41V




имеет смысл пробовать биос 1701? некоторые говорят у них он самый стабильный для разгона памяти, или про моих вводных это бессмысленно?

Процессоры AMD Ryzen 1000-й серии (Summit Ridge\Zen\14nm\AM4\TR4) #14593830 Полезный софт
TM 5 0.12 с конфигом 1usmus config

Сильно это сколько?

Странно что в посте про фризы нету палочки выручалочки в виде EmptyStandbyList.
Что я только не делал, но от фризов в бф1 помогло только это, жаль что этот кеш полностью отрубить нельзя...

Есть же Процессоры AMD Ryzen 1000-й серии (Summit Ridge\Zen\14nm\AM4\TR4) #15277291
Самая первая рекомендация.

ты уверен что в твоих плашках samsung b-die? не знаю как 3466 киты, но более старые баллистиксы были 100% на микронах, которые тоже могут быть b-die, но это как бы не "тот самый" b-die.

bmfx радиаторы я не снимал конечно, но тайфун говорит, что производитель самсунг, тип чипа - бидай, интернет подтверждает, пару обзоров есть, ходят до 4000, на интеле но все же. Вот, например:

Откуда это? Это слишком жирно для вашего комплекта (судя по вашим тестам).
Попробуйте завести для начала на пресете, как я советовал.
Он выглядит так: http://ipic.su/img/img7/fs/3200forzhuk.1540634177.png

Я понял, просто LinX-ом тестирую именно стабильность разгона, а для замера производительности кручу CBR15, Corona 1.3, 3D Mark (CPU тест) и конечно в первую очередь любимый CPU-Z

Добавлено спустя 12 минут 15 секунд:

С 360-370 падает до 280, хотя все тесты проходит (LinX, Prime95 Blend) по очкам в синтетике разницы нет (что на SOC=1.050 что 1.1В), щас изучаю фак там написано что может падать производительность L3 кэша(копирование) при нехватке напруги на сок, а может и наоборот - при избыточной напруге, какой поставить? Мать у меня при разгоне памяти начиная с 2933Мгц выставляет SOC=1.1В(авто), по показаниям датчиков 1.087В, смещение задаётся через offset.

Это норма для 1600, всё работает как и задумано, должно быть что то вроде чтение 390-400 запись 320-345 и копирование плавающее от 280 до 420 от теста к тесту.
На восьмиядерных бывает стабильно ~400 400 450, но не у нас.

Пост о колупании с рязанью. Добился 99% стабильности при данных настройках. Asus c6h, Ryzen 1700X, Kingston HyperX HX436C17PB3K2/16. Реальные показатели напряжений при прогоне LinX: Vcore=1.38, Soc=1.124, Dram=1.44. В биосе 1.36.LLC1, 1.1.LLC4, 1.42 соответственно.

Штурмовал 3666 и 3600, но получить там стабильность не получилось. Потратил несколько дней и перебирал разные сочетания Rtt, Proc и Bus. Точнее на 3600 с 16 таймингами было достаточно стабильно, но такие высокие тайминги не особо интересовали, поэтому зафиксировать 99% стабильность не пытался. 3666.14.15.15.15.30 долго ковырял, но тоже не получилось. Вроде столкнулся с проблемой перегрева памяти, но сами понимаете, когда проблема возникает минут через 30 тестов - тяжело делать выводы. Может просто совпадало несколько раз. Так же, при превышении напряжения выше 1.42 по биосу при 3533, появляются ошибки. Так что ставить напряжение с запасом и гулять по настройкам не лучший вариант. Еще для каждой частоты лучше подходят разные показатели Rtt, Proc и Bus. В общем разгон памяти это бесконечная карусель, особенно если хочется реальной стабильности
Проц сильно не мучал по вариантам с соотношением напряжения и LLC, и просто снижения напряжения. Но для интересующихся могу сказать, что мать при Vcore=1.4v и LLC4 завышает напругу на 0.075. В принципе на материнке есть точки для замера, что удобно для контроля реального напряжения. Расхождения в показателях на точке Vcore и на кондерах VRM отсутствовала.
С удовольствием выслушаю предложения по тому, что можно еще покрутить для увеличения производительности и достижения стабильности памяти на больших частотах.

даже немного жаль, что не микроны - в том плане, что в этой теме отписывался товарищ, разогнавший микроны до 3400 14-17-17 на славящейся тугим разгоном ОЗУ b350-f, можно было бы попробовать его пресет.

с другой стороны, у самсунговского b-die перспективы все таки получше, нужно только найти нужные настройки. у каждой связки проц/мамка/память свой "характер", мои например предпочитают высокие сопротивления cadbus и rtt, хотя для большинства пишущих в теме лучшими оказывались минимальные 20/20/20/20. и по напряжению тоже очень четкие предпочтения, 1.415V позволяют выставить низкие тайминги, но даже 1 шаг выше-ниже уже заметно хуже (а на 1.45 и выше вообще не запускается, так что не видать мне CL12 ). так что не торопись с выводами о плашках, может через недельку переборов окажется что они очень даже огого.

Большое спасибо, протестил пять раз подряд действительно копирование плавает независимо от вольтажа SOC, снизил до 1.031В, вроде стабильно

"Кеширование данных Windows 10/8/7 или как сделать себе фризы"
очень интуитивно понятно

ребят помогите идентифицировать память CMK32GX4M2D3000C16 какая там кампоновка или как там бдие,адие.
Не пойму с чего начать =(

я правилbно понимаю,что HWiNFO была запущена уже после тестов в тм и аиде?

Да. Но там вроде нечего смотреть по температурам, если проверять только память.

да меня смутило оч низкое значение cpu+soc power, поэтому и уточнил.

zhbk
Скинь текстовый вариант BIOS


1. На самих планках на задней стороне что написано? rev. ?
2. А пока: Hynix ?-die 2 ранг
Судя по таймингам 16-20-20-38 на 3000... рассчитывать на 3200cl16 шансов мало. А cl18 нафиг не нужны.

ну это же ASrock ,да чёрт его знает
но зато AGESA 1.0.0.5 и память лучше гонится

рев 5.32