- Какие пределы по вольтажу для ZEN+? - Для ZEN+ предел стабильности кремния (LP12) по вольтажу: для всех ядер 1,330 и 1,425 для одного ядра при условии PBO Scalar 1X (это стоит у всех мат плат по дефолту без исключения). Для PBO Scalar 10X это 1,400 и 1,480 соответственно. Выше - гарантированные проблемы с TDP и со стабильностью. То-есть если вы наваливаете свыше 1,48 для разгона по всем ядрам - процесс деградации процессора запущен.Норма до 1,45.
- Какую температуру не стоит превышать при разгоне? - 80-85 градусов максимально допустимая. Рекомендуемая рабочая 70-75 (это не касается стресс пакетов).
- Гонится ли лучше ОЗУ на ZEN+? - Нет, контроллер памяти идентичен прошлому поколению, даже имеет идентичные прошивки. Единственно улучшение - более низкая потребность в SOC voltage. Статистика разгона памяти : 3400 МГц - 12,5% образцов , 3466 МГц - 25,0% образцов ,3533 МГц - 62,5% образцов при условии использования памяти на чипах Samsung b-die.
- Имеют ли материнские платы на чипсете X470 преимущества перед X370? - Единственное преимущество - улучшенный разгон ОЗУ. Только X470 имеет улучшенное экранирование шин, улучшенную топологию шин, заземление DIMM разъемов + измененный дизайн VRM(они стали холоднее). По разгону процйессора - отличий нет.
- Precision boost override доступен только для X470? - Нет, данная функция доступна и X370 и 350 и 320, но с модифицированным биосом, который можно скачать в этой шапке.
- Как настроить вольтаж CPU чтоб работало энергосбережение + сброс частоты в простое? - Через режим Offset +
- Стоит ли использовать P-state разгон? - Смысла в данном виде разгона нет, даже при ручном разгоне на последних AGESA был добавлен автоматический режим энергосбережения
- Можно ли настроить отдельно разгон для одного ядра и для всех остальных? - Частично да, но на материнских платах со встроенным BCLK. Вольтаж процессора через Offset + , множитель авто, BCLK 100-101.4. Абсолютно реально получить 4450 мгц для одного ядра (разумеется если экземпляр процессора попался удачный). Так же некоторые материнские платы имеют функцию дополнительно авторазгона, к примеру на ASUS crosshair 6/7 есть функция PE (performance enhancer) которая позволяет добавить частоту для всех ядер до 4,2-4,3 ггц + буст одного ядра до 4350мгц.
- Какая память (на каких чипах) предпочтительна для ZEN+? - Samsung b-die имеет наилучшую совместимость и разгонный потенциал
- Какой рекомендуемый вольтаж для SOC при разгоне ОЗУ? - 1,025 - 1,056 вольта достаточно чтоб достичь 3533мгц. Предел 1,17.
Убедительная просьба, прячьте все (любые) картинки и видео под спойлер - [spoiler=][/spoilеr], не используйте тэг [spoilеr][/spoilеr] без знака "равно" для картинок - он для текста! Уважайте друг друга! Не у всех Интернет безлимитный и многие смотрят эту тему через телефон.
Флуд и оффтоп даже под тэгом /офф или /спойлер - награждается ЖК, как и ответы на сообщения, его содержащие. Краткие правила темы. Увидели сообщение, нарушающее правила - просто жмите СК: отвечать на такие посты не нужно!
Последний раз редактировалось 1usmus 06.07.2019 17:22, всего редактировалось 95 раз(а).
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 07.06.2017 Откуда: Persey omicron
6oeBouHy6 микроны крайне своеобразны особенно для разгона, полагаю сейчас оптимальный вариант можно попытаться поднимать частоту не трогая тайминги но разумеется добавлять вольтаж DRAM
Junior
Статус: Не в сети Регистрация: 21.04.2018 Откуда: Россия,г.Самара
1usmus писал(а):
микроны крайне своеобразны особенно для разгона, полагаю сейчас оптимальный вариант можно попытаться поднимать частоту не трогая тайминги но разумеется добавлять вольтаж DRAM
Пробами дошел до 17-19-19-19-35 1,38в на частоте 3400 пробовал 17-19-19-18-35, в мемтесте сыпет ошибками Выше мне кажется уже не прыгнуть
Добрий вечер. Есть 2 плашки CRUCIAL CT8G4DFS824A, дешманская память, одна на b-die, другая h-die, микроны, естесственно. Больше 3200 гнаться не хочет, напряжение 1,4 на нее ставил, а на сок 1,2. А на 3200 тайминги на чтение запись в упор не хотят меньше 19 ставиться. Шо делать?
картинка
Вложение:
rtc1121.PNG [ 39.63 КБ | Просмотров: 1175 ]
Последний раз редактировалось 1usmus 29.07.2018 18:09, всего редактировалось 1 раз.
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 07.06.2017 Откуда: Persey omicron
Rubberjonny люблю такие ситуации скорее всего больше 3200 дела не будет из-за разных потребностей планок в RTT/procODT и тайминги абсолютно нормальные для них попытайся снизить вольтажи и там и там насколько возможно, особенно на SOC
Добавлено спустя 1 минуту 12 секунд: 6oeBouHy6 обдув в любом случае желателен, увеличит стабильность
Добавлено спустя 6 минут 10 секунд: Хочу показать Вам что происходит с procODT и RTT при изменении частоты на примере Samsung b-die SR. Голубым - то что я гонял или было в статистике, серым - руки не добрались, но думаю что будет так. Для других типов озу будет примерно тоже самое.
что примерно происходит с procODT и RTT при изменении частоты DRAM
Remarc1usmus у меня материнга мси, проц 2200г, сижу я со встроенки, ядро встроенное, естественно, разгонял, а мси при увеличение gfx напруги автоматом ставят такое же и на soc. Меньше 1.185 у меня зависоны в играх. А, биос кстати не 1.0.0.2, а предпоследний, в котором можно разгонять видеядро, потому что райзен мастер для моей материнки зло. Я так понимаю мои траблы изза разных чипов?
Junior
Статус: Не в сети Регистрация: 21.04.2018 Откуда: Россия,г.Самара
Rubberjonny писал(а):
Добрий вечер. Есть 2 плашки CRUCIAL CT8G4DFS824A, дешманская память, одна на b-die, другая h-die, микроны, естесственно. Больше 3200 гнаться не хочет, напряжение 1,4 на нее ставил, а на сок 1,2. А на 3200 тайминги на чтение запись в упор не хотят меньше 19 ставиться. Шо делать?
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 23
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения