- Какие пределы по вольтажу для ZEN+? - Для ZEN+ предел стабильности кремния (LP12) по вольтажу: для всех ядер 1,330 и 1,425 для одного ядра при условии PBO Scalar 1X (это стоит у всех мат плат по дефолту без исключения). Для PBO Scalar 10X это 1,400 и 1,480 соответственно. Выше - гарантированные проблемы с TDP и со стабильностью. То-есть если вы наваливаете свыше 1,48 для разгона по всем ядрам - процесс деградации процессора запущен.Норма до 1,45.
- Какую температуру не стоит превышать при разгоне? - 80-85 градусов максимально допустимая. Рекомендуемая рабочая 70-75 (это не касается стресс пакетов).
- Гонится ли лучше ОЗУ на ZEN+? - Нет, контроллер памяти идентичен прошлому поколению, даже имеет идентичные прошивки. Единственно улучшение - более низкая потребность в SOC voltage. Статистика разгона памяти : 3400 МГц - 12,5% образцов , 3466 МГц - 25,0% образцов ,3533 МГц - 62,5% образцов при условии использования памяти на чипах Samsung b-die.
- Имеют ли материнские платы на чипсете X470 преимущества перед X370? - Единственное преимущество - улучшенный разгон ОЗУ. Только X470 имеет улучшенное экранирование шин, улучшенную топологию шин, заземление DIMM разъемов + измененный дизайн VRM(они стали холоднее). По разгону процйессора - отличий нет.
- Precision boost override доступен только для X470? - Нет, данная функция доступна и X370 и 350 и 320, но с модифицированным биосом, который можно скачать в этой шапке.
- Как настроить вольтаж CPU чтоб работало энергосбережение + сброс частоты в простое? - Через режим Offset +
- Стоит ли использовать P-state разгон? - Смысла в данном виде разгона нет, даже при ручном разгоне на последних AGESA был добавлен автоматический режим энергосбережения
- Можно ли настроить отдельно разгон для одного ядра и для всех остальных? - Частично да, но на материнских платах со встроенным BCLK. Вольтаж процессора через Offset + , множитель авто, BCLK 100-101.4. Абсолютно реально получить 4450 мгц для одного ядра (разумеется если экземпляр процессора попался удачный). Так же некоторые материнские платы имеют функцию дополнительно авторазгона, к примеру на ASUS crosshair 6/7 есть функция PE (performance enhancer) которая позволяет добавить частоту для всех ядер до 4,2-4,3 ггц + буст одного ядра до 4350мгц.
- Какая память (на каких чипах) предпочтительна для ZEN+? - Samsung b-die имеет наилучшую совместимость и разгонный потенциал
- Какой рекомендуемый вольтаж для SOC при разгоне ОЗУ? - 1,025 - 1,056 вольта достаточно чтоб достичь 3533мгц. Предел 1,17.
Убедительная просьба, прячьте все (любые) картинки и видео под спойлер - [spoiler=][/spoilеr], не используйте тэг [spoilеr][/spoilеr] без знака "равно" для картинок - он для текста! Уважайте друг друга! Не у всех Интернет безлимитный и многие смотрят эту тему через телефон.
Флуд и оффтоп даже под тэгом /офф или /спойлер - награждается ЖК, как и ответы на сообщения, его содержащие. Краткие правила темы. Увидели сообщение, нарушающее правила - просто жмите СК: отвечать на такие посты не нужно!
Последний раз редактировалось 1usmus 06.07.2019 17:22, всего редактировалось 95 раз(а).
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 07.06.2017 Откуда: Persey omicron
6oeBouHy6 микроны крайне своеобразны особенно для разгона, полагаю сейчас оптимальный вариант можно попытаться поднимать частоту не трогая тайминги но разумеется добавлять вольтаж DRAM
Junior
Статус: Не в сети Регистрация: 21.04.2018 Откуда: Россия,г.Самара
1usmus писал(а):
микроны крайне своеобразны особенно для разгона, полагаю сейчас оптимальный вариант можно попытаться поднимать частоту не трогая тайминги но разумеется добавлять вольтаж DRAM
Пробами дошел до 17-19-19-19-35 1,38в на частоте 3400 пробовал 17-19-19-18-35, в мемтесте сыпет ошибками Выше мне кажется уже не прыгнуть
Добрий вечер. Есть 2 плашки CRUCIAL CT8G4DFS824A, дешманская память, одна на b-die, другая h-die, микроны, естесственно. Больше 3200 гнаться не хочет, напряжение 1,4 на нее ставил, а на сок 1,2. А на 3200 тайминги на чтение запись в упор не хотят меньше 19 ставиться. Шо делать?
картинка
Вложение:
rtc1121.PNG [ 39.63 КБ | Просмотров: 1247 ]
Последний раз редактировалось 1usmus 29.07.2018 18:09, всего редактировалось 1 раз.
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 07.06.2017 Откуда: Persey omicron
Rubberjonny люблю такие ситуации скорее всего больше 3200 дела не будет из-за разных потребностей планок в RTT/procODT и тайминги абсолютно нормальные для них попытайся снизить вольтажи и там и там насколько возможно, особенно на SOC
Добавлено спустя 1 минуту 12 секунд: 6oeBouHy6 обдув в любом случае желателен, увеличит стабильность
Добавлено спустя 6 минут 10 секунд: Хочу показать Вам что происходит с procODT и RTT при изменении частоты на примере Samsung b-die SR. Голубым - то что я гонял или было в статистике, серым - руки не добрались, но думаю что будет так. Для других типов озу будет примерно тоже самое.
что примерно происходит с procODT и RTT при изменении частоты DRAM
Remarc1usmus у меня материнга мси, проц 2200г, сижу я со встроенки, ядро встроенное, естественно, разгонял, а мси при увеличение gfx напруги автоматом ставят такое же и на soc. Меньше 1.185 у меня зависоны в играх. А, биос кстати не 1.0.0.2, а предпоследний, в котором можно разгонять видеядро, потому что райзен мастер для моей материнки зло. Я так понимаю мои траблы изза разных чипов?
Junior
Статус: Не в сети Регистрация: 21.04.2018 Откуда: Россия,г.Самара
Rubberjonny писал(а):
Добрий вечер. Есть 2 плашки CRUCIAL CT8G4DFS824A, дешманская память, одна на b-die, другая h-die, микроны, естесственно. Больше 3200 гнаться не хочет, напряжение 1,4 на нее ставил, а на сок 1,2. А на 3200 тайминги на чтение запись в упор не хотят меньше 19 ставиться. Шо делать?
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения