KaYot Anatoly Быстрый поиск в гугле по "рассеиваемая транзистором мощность" привел меня к линку

http://www.autex.spb.ru/download/public ... dxl105.pdf
где на странице 2 встретилась следующая фраза:

"Резистивный элемент был заменен на
транзистор, поскольку резистивный НЭ является нелинейным элементом. При
линейном изменении тока через резистивный НЭ рассеиваемая на нем мощность
изменяется по квадратичному закону. Наличие в замкнутом контуре системы
регулирования такого нелинейного элемента существенно снижает как статические, так
и динамические характеристики системы. Мощность, рассеиваемая полевым или
биполярным транзистором пропорциональна входному сигналу соответственно
напряжению на затворе или току базы."

Мне чего то кажется, что пипл писавший сей PDF знал, чего делал Так что я остаюсь при своем мнении. Но опровергающие линки очень приветствуются.

SweetLow Ну что ж сказать? Линки приветствуются всегда. Правда познаётся в споре. Если не можешь кого-то переубедить, то хотя бы сбей с толку. Что ты и сделал.

VRoman Без ехидства, пожалуйста. Если мой пост не аргумент для тебя, просто скажи что неубедительно. Я не обижусь.

2SweetLow

Слушай, ну не интересно это, честное слово.
Ну раз просишь - на! ...

Современные микросхемы делают по CMOS технологии.
(открываем, читаем описание CMOS)
1) переключающим эл-том является ключ с чисто оммическим сопротивлением.
2) CMOS ничего не потребляет в статике, только в динамике
3) все потери вызваны неодинаковостью времен открывания и закрывания
(когда верхний и нижний ключ не строго синхронно переключаются) и емкостью.
Разность времен зависит от качества схемы и качества техпроцесса изготовления (неравномерности св-в по кристаллу).
Емкости - они есть всегда. Это разного рода шины (например, матрица DRAM)
и емкость самих логических эл-тов.
При уменьшении норм техпроцесса уменьшаются физические размеры вентиля,
что влечет за собой уменьшение емкости .... но и растет сопротивление канала CMOS. Для компенсации последнего применяют все более тонкий подзатворный слой --- резко уменьшаются предельные рабочие напряжения вентилей.
4) с ростом напряжения происходит следующие эффекты:
- растет напряжение на перезитных конденсаторах и на их перезаряд уходит все бОльшая мощность. P=C*V*V/2
- уменьшается сопротивление канала - бОльшее управляющее напряжение на затворе уменьшает сопротивление канала - он становится 'глубже'.
Уменьшение сопротивления дает возможность разгонять процессор по напряжению. (учесть - при прогреве сопротивление канала возрастает)
Так вот - из-за неидеальности переключения верхнего и нижнего ключа
CMOS сквозные токи станут бОльше - ведь каналы уменьшили свое сопротивление. Кстати, это порождает импульсные помехи, которые нельзя подовить блокировочными конденсаторами - они слишком далеко.
- при повышении напряжения схема может выходить из рабочего режима
и один из ключей остается всегда чуть приоткрытым. Внешне это выглядит как
сильное возрастание тепла при небольшом повышении напряжения.
У процессора все привязано по образцовым уровням и просто так задрать питание нельзя - ассиметрия нижнего/верхнего ключа не даст улучшить положение, даже может быть обратный результат (P4?).
Например, на K8 есть Vref (знающие поймут ).
Кстати, может этим и об'ясняется хилый разгон K8 по напряжению?
Ой, хитрющая эта AMD! .............
- когда процессор работает на пределе своей частоты, то ключи не успевают
полностью закрываться и полностью открываться. Короче, они находятся в полуоткрытом состоянии.


Писать надоело. Вопросы?

Resume:
Если на процессор не подают сверхбольшого напряжения (для этого тех. процесса), то мощность на нем растет порядка 2.5 степени от напряжения.

serj_

Почему же? Знающего человека послушать интересно. И свои заблуждения развеять тоже.
Ёк. Дальше можно не говорить. Резистор в общем по тепловыделению. Я правильно тебя понял?
Это конечно известно. Из-за этого потребляемая мощность пропорциональна рабочей частоте.

Дальше (3 и 4) ты, надо понимать, объяснил, где еще 0.5 степени добавилось при допустимом для данного техпроцесса диапазоне напряжений и сравнительно больших частотах?

Спасибо. Но ~(F/F0)*(V/V0)**2.5. Ого

SweetLow
Я не ехидничаю, хотя может так и выглядит со стороны. Твой пост ещё какой аргумент, но, прямо скажу, ещё не убедил меня, просто лешил всякой уверенности. Теперь я просто буду молчать по этой теме и читать другие посты/аргументы пока не приду к какому-либо выводу для себя. ЗЫ я тоже не обижаюсь. Поддерживаю!

Ребята, будьте проще. Для чего нам нужно знать более менее правильное значение мощности при разгоне:
1. для выбора блока питания
2. для выбора кулера.
Если пользоваться мониторингом типа МБМ 5 и небольшой долей скепсиса, то все отлично видно и все можно решить.

VRoman Нет, оказалось это из другой оперы Так что зависимость даже более чем квадратичная. Я в растерянности

рассеиваемая мощность = потребляемой мощности?
И сколько ват жрёт целик 1.7?

Anatoly Похоже привел наиболе приближенную к действительности формулу.

И не стесняйтесь, камрады, пишите сколько ваши камушки кушают в трехзначных числах, это больше похоже на правду, нежели вялые 75Вт
Например, разогнанный до 2400МГц@2.0В мобильный Атлон 1800МГц 1.45В согласно этой формуле кушает 114Вт.
В то же время обычный атлон 2500+, разогнанный до 2400@2.0В потребляет ~129Вт
Выходит, что мобильники все-же чуть холоднее в тех же условиях(только делаю выводы из формулы).

З.Ы. Не надо пугаться огромных мощностей своих процов - с этим надо смириться, раз уж занимаетесь разгоном. Лучше горькая, но правда

Ой, не заметил третью страницу

Похоже, стоит послушаться Serjа и использовать в формуле степень 2.5, а то как-то подозрительно малой показалась мне мощность современных процессоров

Вышло ~142Вт для атлона 2500+, разогнанного до 2400МГц@2.0В

КеФиР Поищи даташит на www.intel.com по этому процу. В номинале у него, если не изменяет память, порядка 67Вт.

Формула связи напряжения и тепловыделения

Народ. я тут обнаружил сегодня что мой проц AXP 2500+ (11*166 1.65v) может спокойно работать на 200 шине принапряжении 1.4 (пониженном!). Означает ли это что процессор выделяет меньше тепла, хотя он разогнан, но находится на пониженной напруге?

А взять термопару и померять?

$ergeant ая же спрашиваю есть ли наунчая связь между напругой и темпой!
а не просто :

Lustmord

Да означает.
Вам очень повезло, редкий случай.

Конечно!!!

А зачем? Датчики на матери уже не в моде???

Закон ома P=U^2/R еще никто не отменял. Проц стал холоднее минимум на треть.

KaYot
Для полупроводников сопротивление и ток не константа (для диода - ток пропорционален квадрату напряжения). Для проца ещё более запущенная зависимость (зависит от частоты и т.д)... В общем случае P=U*I, а вот I - тоже зависит от U и от частоты и от нагрузки и т.д...
Lustmord
Да, но точно не посчитаешь на сколько. Хотя и это не для всех устройств справедливо.

Тема обсуждалась:
http://forums.overclockers.ru/viewtopic ... 7&start=40

Темы объединены.