когда надоест, почитайте здесь http://forums.overclockers.ru/viewtopic.php?p=172994#172994

<terr0rist>
>>Но в среднем - изменится или нет тепловыделение камня при _только_ поднятии напряжения - так и непонятно. Каждый считает по-своему. Что ж, проверим
Все кроми тебя считаю что изменится.. Мне казалось, что ты уже понял ошибку и согласился с тем, что тепловыделение повысится при поднятии напруги...

На моей персональной страничке похожий эксперимент уже проведен. Практика доказывает, что при уменьшении напряжения при прочих равных условиях, таких как частота, нагрузка на процессор, ибо тестовый пакет один и тот же, температура падает. Линейная там зависимость или нет меня не интересовало и данных для построения характеристик недостаточно. Не вижу причин понижаться температуре при повышении напряжения.

q_w_e_r_t_y
Ну х з, так как пошли умные базары о кубической зависимости, может кто-нть докажет и обратную зависимость темп-ры от напряги
Но ошибку я ессно понял (называется складывать мух со слонами и делить на полвзвода голодных студентов). Даже сам не понимаю, с чего это меня так вперло |=)

Проц грубо можно представить как один транзистор на базу которого подается открывающее напряжение в "виде" нагрузки, чем больше нагружается проц, тем сильнее он окрывается. При максимальной нагрузке этот "большой транзистор" пропускает максимальный ток и имеет установившееся значение сопротивления. В такой ситуации увеличение напряжения должно увеличивать тепловыделение пропорционально квадрату тока, так как мы просто повышаем подвижность носителей заряда. В реалии же мы имеем не открытый или приоткрытый тринзистор, а переход из закрытого в приоткрытое и обратно. Для быстрого переключения необходимы большие токи. При разработке в частности процов из них уже выжимается пичти все возможное. Это значит, что на проц подается такое напряжение, что бы обеспечить такую подвижность электронов, что б опеспечить нужный ток для переключения транзисторов. Разогрев p-n перехода при переключении - ваще заоблачная наука, врядли доступная кому либо из присутствующих здесь на форуме (не сочтите за грубость). Увеличивая напряжение, мы просто обеспечиваем линейное увеличение скорости электронов, что в статике приводит к линейному росту тока и квадратичному росту мощности. Плюс свою лепту вносит мощность затрачиваемая на переключение p-n перехода. При разгоне же изменяется скорость переключения транзисторов, которые еще "жару" добавляют. Но насколько - сказать трудно. (Поэтому мы вунуждено поднимаем напряжение, с целью обеспечения тока переключения, что б достичь заоблачных частот%) Примерно я б согласился с дипломом молодого инжинера, где говориться примерно о кубической зависимости. ВСЁ - высказался. А то читал тут "гениальные" высказывания, аж захотелось тут на форуме зарегиться, чтоб ответить
Хотя никто не сказал, что здесь есть хоть капля истины %)

подвижность носителей заряда .... p-n переход .... в CMOS технологии???? ..........

Мдя, пустяковый вопрос, а напостили три листа . В первом приближении (если F=const) зависимость потребляемой мощности от напряжения здесь близка скорее к квадратичной согласно закону Ома P=I^2*R, нежели к кубической.
serj_
B@rsuk
Если вы имеете ввиду нелинейность (уменьшение) сопротивления канала транзистора в зависимости от приложенного паряжения, то тогда пожалуй можно считать ее и кубической. Но это изменение сопротивления очень невелико и им вполне можно пренебречь. Если есть какие-нибудь другие факторы, которые я упустил - выложите.
ert
Ну что вы, милейший, какие p-n переходы в CMOS технологии?

Можете считать, что забылся в пьяном бреду рассуждений о транзисторах . Можно иметь в виду изменеие ширины канала %)
Вообще в данном месте яя считаю мало-целесообразным пытаться теоритически опасить данное явление. С точки зрения же приктики все знают что чем быстрее или(и) выше напряжение, тем горячее. А на сколько? - Абыб кулера хватало %)

2ert
ну и тут ты ляпнул.
в CMOS меняется не ширина канала, а толщина(точнее - глубина).

Народ, а где можно найти нормальное (не ламерское и не слишком научное) описание кмос и вообще всей этой темы в инете?

И какую литературу рекомендуете?

Я не ляпнул. В литературе зачастую употребляется именно "ширина", а то что при этом канал, по которому протекает ток, трёхмерный подразумевает трехмерная структура CMOS транзистора.