matocob
Суть можно и в гугле прочесть, профит от двойного адресного пространства, по ведьмаку результаты схожие у нас с ним, нет повода не доверять думаю дуалранки подтянут по частоте, разницы в обозримом будущем не будет столь большой. И прикол же не в дуалранке, а в том что людям нужно больше 16 гиг оперативы

В чем проблема самим протестить, у меня дуалранк, найдется такой же конфиг или похожий с одноранком почему б и нет.

teasnap
Не,у него все игры в фул шд но в вэри хай настройках вместо низких

chessbuilder
У меня был отвал ссд на интеле прошлом, постоянно приходилось перетыкивать в разные порты, за 2 года мучений способа устранить недуг не нашел. Касаемо что тут,переустанови сата дрова, последний биос на мать. Настройки я сейчас скину.






настройки помпы я надеюсь не нужны

1usmus круто, блин, у меня ssd как раз Интел 535. еще хотел спросить про загрузку винды, у меня она занимает более 30 секунд и основное время показывает картинку ROG, так и должно быть или это от настроек зависит?

1usmus

Ну вот в Ведьмаке GPU загружен на 65%, значит уперлось в ЦП, а фпс всего 90-100. Получается включен HPET, потому как даже на моем стоковом 1600 и сингл ранк 3066 там же фпс +140

1usmus спасибо за помощь.

Подскажите Coraair venegate lpx 2666 одноранговая или двух?

1usmus, chessbuilder

Post Delay Time на 1 поставьте, позволяет не любоваться на картинку чересчур долго )

teasnap сам сейчас HPET изучаю, вроде он у меня выключен изначально.

Zabkus
а при разгоне никак... только в стоке, извините

Если есть возможность добавте в шапку ( а то я задолбался искать что значят все эти тайминги ) нечайно нашел очень полезную вещь по таймингам, чесно утащено от http://forum.ixbt.com/topic.cgi?id=8:25342:0#0
Память.
AGESA 1.0.0.6 официально добавляет 26 новых параметров, которые могут улучшить совместимость и стабильность DRAM, особенно памяти, которая не следует спецификации JEDEC (например, любая память быстрее 2667MT/s, профили XMP2).

Memory clocks
Добавлены делители вплоть до DDR4-4000 без необходимости изменять базовую частоту (refclk, BCLK). Значения выше DDR4-2667 являются разгоном для контроллера памяти AMD Ryzen. Значения с шагом в 133.33MT/s (2667, 2933, 3067, 3200, 3333, 3466, 3600, 3733, 3866, 4000).

Command rate (CR)
Количество времени (в тактах) между выбором DRAM чипа и исполнением команды. Значение CR=2T благотворно влияет на стабильность при высокой частоте памяти и для 4-DIMM конфигураций. Значения: 2T, 1T.

ProcODT (CPU on-die termination)
Значение сопротивления (в омах), которое определяет, как сигнал будет поглощаться. Большие значения (60-96) могут оказаться полезными для стабилизации на высоких частотах памяти.
Объяснение волнового сопротивления: https://www.youtube.com/watch?v=DovunOxlY1k Dr. J.N. Shive - Similiarities of Wave Behavior AT&T 1959.

tWCL/tWL/tCWL
CAS Write Latency - количество времени (в тактах) на запись открытого банка памяти. Типичное значение WCL устанавливается равным CAS или CAS-1. Эта задержка важна для стабильности, и может оказаться, что лучше работают меньшие значения.

tRC
Row cycle time - количество тактов, необходимых ряду памяти на завершение полного цикла. Меньшие значения могут существенно улучшить производительность, но для стабильности нельзя устанавливать значения меньше, чем tRP+tRAS.

tFAW
Four activation window - время (в наносекундах), которое должно пройти между выдачей четырёх команд ACTIVATE и моментом, когда можно активировать новый банк памяти. Минимальное значение 4x tRRD_S, но значения больше 8x tRRD_S могут улучшить стабильность.

tWR
Write recovery time - время (в наносекундах), которое должно пройти между верной операцией записи и предварительной зарядкой другого банка. Высокие значения обычно улучшают стабильность, а значения меньше 8 могут быстро разрушить данные в памяти.

CLDO_VDDP
Напряжение DDR4 PHY на SoC. Уменьшение CLDO_VDDP чаще улучшает стабильность, чем увеличение CLDO_VDDP. Изменение CLDO_VDDP смещает "memory holes" (область частот, при которых невозможна стабильная работа, хотя при больших или меньших частотах система работает стабильно). Небольшие изменения VDDP могут иметь большой эффект. VDDP не должен превышать VDIMM-0.1V (по совету XRR: В оригинале там еще указано выше 1.05v не стоит). "Холодная" перезагрузка необходима после изменения этого параметра.
BIOS с AGESA версии меньше 1.0.0.6 могли иметь параметр с названием "VDDP", который изменял внешнее напряжение, подаваемое на контакт VDDP процессора. Этот параметр не то же самое, что параметр CLDO_VDDP в AGESA 1.0.0.6.

tRDWR / tWRRD
Read-to-write and write-to-read latency - время (в тактах), которое должно пройти между последовательными командами чтения/записи или записи/чтения.

tRDRD / tWRWR
Read-to-read and write-to-write latency - время (в тактах) между последовательными запросами чтения или записи (например, DIMM-to-DIMM или между рангами). Меньшие значения могут существенно улучшить пропускную способность DRAM, но высокие частоты обычно требуют больших задержек.

Geardown Mode
Позволяет устройству DRAM отключить внутренний генератор половинной частоты для latching на шины команд и адреса. ON - значение по умолчанию для частот выше DDR4-2667, однако польза от включения или выключения зависит от используемого комплекта памяти. Включение Geardown Mode отменяет установленный command rate.

Rtt
Управляет поведением внутренних согласующих резисторов DRAM для состояний: nominal, write, и park. Значения: Nom(inal), WR(ite), и Park (ohms).
Объяснение волнового сопротивления: https://www.youtube.com/watch?v=DovunOxlY1k Dr. J.N. Shive - Similiarities of Wave Behavior AT&T 1959.

tMAW
Maximum activation window - максимальное количество времени (в тактах) ряд DRAM может быть активирован, перед тем как смежные ряды должны быть обновлены для сохранения данных.

tMAC
Maximum activate count - сколько ряд может быть активирован системой, перед обновлением смежных рядов. Параметр должен быть равен или быть меньше tMAW.

tRFC
Refresh cycle time - время (в тактах) требующееся памяти на чтение и перезапись информации в ту же ячейку для сохранения информации. Этот параметр обычно автоматически вычисляется из других параметров.

tRFC2
Refresh cycle time for double frequency (2x) mode. Этот параметр обычно автоматически вычисляется из других параметров.

tRFC4
Refresh cycle time for quad frequency (4x) mode. Этот параметр обычно автоматически вычисляется из других параметров.

tRRD_S
Activate to activate delay (short) - количество тактов между командами активации в разных bank group.

tRRD_L
Activate to activate delay (long) - количество тактов между командами активации в одном bank group.

tWTR_S
Write to read delay (short) - время (в тактах) между транзакцией записи и командой чтения на разных bank group.

tWTR_L
Write to read delay (long) - время (в тактах) между транзакцией записи и командой чтения на одном bank group.

tRTP
Read to precharge time - количество тактов между командами чтения и предварительной зарядкой того же ранга.

DRAM Power Down
Может слегка уменьшить энергопотребление ценой увеличения задержек DRAM за счёт помещения DRAM в quiescent состояние после периода бездействия.

В оригинале там еще указано 1.05v max или типа того. А то кто-то прочитает "VDDP не должен превышать VDIMM-0.1V." и сделает 1.45-0.1=1.35v с неизвестными последствиями.

А где этот оригинал найти, я помню искал так и не нагуглил плюнул

diaaablo воо я слепошарый

конечно же в крепежах кулера, мать даже не снимал, примерял все по боксовому кулеру

Постепенно добираюсь до идеала (tRFC_SM пока в Авто), скрин с настройками:

Появился вопрос по памяти, сейчас стабильно работает Samsung C-Die 3200Мгц 16-17-17-30-T1, но при попытке заменить 17 тайминги на 16, комп не стартует не как обычно памятью несколько раз пытается запуститься и все сбрасывает а висит черный экран, пока не сбросишь перемычкой биос, в чем может быть проблема есть у кого нибудь идеи? Напряжения сок и памяти выставлял на максимально допустимые, не помогает я пока больше грешу на материнку или процессор чем на саму память.

Мне кажется, вполне.

А 6 ядер на 3800 при v=1.294 - 113 Вт

Fanatik113 одними напряжениями мало что можно настроить, какие еще настройки меняли/не меняли?

У меня тоже память на C-Die, поделись настройками через RTC, а то у меня пока 18-17-17-39-Т1

Пока это лотерея. Тем более, что и производители вслед за AMD говорят, что частота памяти выше 2666 МГц - это разгон и никаких гарантий.

А тут-то в чём прикол?