читай внимательнее на какой вопрос я отвечал...примерно с 1993-1995г со времен 486-p1

1usmus тк у нас доска одинаковая,можно как-то отключить переключение/выбрать только один какой-нить цвет подсветки rog?

Установи AURA и выбери режим. Потом удали программу

Olegdjus о точно,щас посмотрел на сайте как раз есть,спасибо

Нашел я кое-какие доки на терминатор



В общем это объясняет использование RZQ3 для 80 прока и дуалов, а RZQ4/RZQ5 для 60/53,3 (пресеты стилта) синглов. Дальше головы не прыгнешь...разумеется для максимальной стабильности нужны эти параметры
________________________________________________________________________________________________________________________

Помощь в выставлении значений/напряжений в биосе часть 1(все что касается нюансов разгона озу)

Терминатор ядра озу:

Dual Rank procODT 43/68/80/96 = RttNom disable / RttWr rzq3 / RttPark rzq 1
Single Rank procODT 60 = RttNom disable / RttWr dynamic odt off / RttPark rzq4
Single Rank procODT 53 = RttNom disable / RttWr dynamic odt off / RttPark rzq5
Single Rank procODT 48 = RttNom disable / RttWr dynamic odt off / RttPark rzq7

+ бывает и такое

Single Rank procODT 60 = RttNom disable / RttWr dynamic odt off / RttPark rzq5
Single Rank procODT 53 = RttNom disable / RttWr dynamic odt off / RttPark rzq7

Все что нужно знать о CLDO_VDDP:

Окно настройки CLDO_VDDP довольно узкое, обычно <100 мВ. Также окно не является ни статическим, ни линейным. Из-за этого настройка, оптимальная для частоты х, может быть не оптимальной для частоты y . Кроме того, поскольку окно не является линейным, но является волновой формой, например, CLDO_VDDP на уровне 975 мВ, может работать отлично, тогда как 980 мВ не сможет тренировать память.С этого следует что шаг грубо 1-2mV.
Так же для применения CLDO_VDDP нужен холодный рестарт системы, то-есть сохранение + перезагрузка, затем выключение питания.
Окна CLDO_VDDP 800 , 868 , 875 , 910 , 913 , 947 , 975 .

Если CLDO_VDDP не верно подобран это приведет к сбою в обучении памяти и отсутствии стабильности + возрастает потребность напряжения на VDDSOC.

CAD Bus Configuration:
Компенсация потери сигналов на линии:

предпочтительные настройки для памяти с частотой >= 3200мгц

Clock Drive Strength = 20
Address / Command Drive Strength = 20
CS / ODT Drive Strength = 40
CKE Drive Strength = 60

предпочтительные настройки для памяти с частотой <= 3200мгц

Clock Drive Strength = 20
Address / Command Drive Strength = 20
CS / ODT Drive Strength = 40
CKE Drive Strength = 60 или 120 (120 для капризных вариантов)

BankGroupSwap / BankGroupSwapAlternative

Конфигурация по умолчанию - BankGroupSwap = Включено, BankGroupSwapAlternative = Отключено. Эти два варианта являются взаимоисключающими, что означает, что они могут быть отключены, но они не могут быть включены одновременно. Отключение BankGroupSwap улучшит производительность (на пару процентов), однако зарегистрированная полоса пропускания (например, AIDA) уменьшится на <6%. Включение BankGroupSwapAlternative оказывает почти такое же положительное влияние на производительность , в то время как заявленная пропускная способность остается на том же уровне, что и BankGroupSwap = Enabled. Ни один из параметров BankGroupSwap не должен затрагиваться, если не используются 1 модуль DPC SR.
Иногда на однорангах отключение обоих BGS дают буст в играх. Нужно тестить.

procODT:
Чем меньше значение procODT (сопротивление) на котором работает ваша память относительно эталонной (53 для сингл ранка при частоте 3600 и 60 для дуал ранка при частоте 3266) тем выше частотный потенциал памяти, это постулат. Дабы дуалранки не были обделены есть настройки RttPark RZQ/1 и RttWr RZQ/3 позволяют заводиться не на procODT 80/96 как было раньше а на 60/68, что способствует улучшенном разгону и работоспособности ОЗУ при более низких таймингах. Какие значение выбрать ? смотрим пункт Терминатор ядра озу: .

VDDSOC
Значения которые требуются для разгона существенно изменились на агесе 1.0.0.6, оптимальный диапазон стал от 0,975 до 1,1. Память которая на самсунгах от 0,975 до 1,075, хьюниксы микроны 1,1 золотой стандарт. Оптимальный шаг для подбора устойчивости ОЗУ к ошибкам 0,25.

VDDSOC LLC
Функция компенсации просадки напряжения на VDDSOC. Требуемые значения 2/3 (medium/high).

VDDSOC Switching Frequency
Диапазон 300-500kHz. Шаг 50kHz.
Для частоты >=3200Mhz оптимальные значения 300-350kHz.
Для частоты <=3200Mhz оптимальные значения 400-450kHz.

DRAM Switching Frequency
Диапазон 300-500kHz. Шаг 50kHz.
Для частоты >=3200Mhz оптимальные значения 300-350kHz.
Для частоты <=3200Mhz оптимальные значения 350-450kHz.

VTT DDR
Дефолтная формула у всех по умолчанию включена в биосе: VTT DDR = 0,5 * Vdram.
Альтернативная формула: VTT DDR = 0,5 * Vrdam (которое мониторит биос) + 0,01 или 0,02 . Пример 0,5 * 1,46(значение которое мониторит биос) + 0,02 = 0,732 . Верно подобранное значение способствует прохождению критических стресс тестов, улучшает стабильность системы. Режим авто настоятельно не рекомендую к использованию.

+ небольшой пример по подбору напряжений для обладателей хьюниксов


DRAM current
Своего рода Load Line Calibration для ОЗУ. Уменьшает просадки напряжения при прохождении стресс тестов. Настоятельно рекомендую использовать режим 120%, это позволит уберечь Вашу систему от:
1) Повышенного тепловыделения, которые вызывают "Hot Bug" ошибки в работе из-за теплового шума
2) Повышенного напряжения, которое является источником цифрового шума (гасится CAD BUS, но терминатор шины не резиновый, и чем выше значения в CAD BUS тем сложнее регулировать субтайминги для настройки стабильности.Грубо говоря ОЗУ перестает реагировать на правки субтаймингов)
3) Поддержание стабильности ОЗУ при жестких субтаймингах
Для сасмунгов оптимальное напряжение 1,2 - 1,385, для хьюникос/микронов 1,2 - 1,425

VDRAM_boot
Ставим значение аналогичное VDRAM. Облегчает тренинг/инициализацию.

VPP
Питание для изменения состояний некоторых энергонезависимых массивов памяти.
Значения от 2,5 до 2,6 при разгоне улучшают стабильность системы, позволяют занижать первичные/вторичные тайминги.
Например 2,52 может кардинально улучшить ситуацию с ошибками.

VDDP
Управление драйвером озу. Диапазон от 855 до 1,1. Подбирается индивидуально, втыкнуть максимум не выйдет. Значения 855 и 900 многим помогли.



Влияние частоты на ПСП и латентность

спасибо за тест камраду gupsterg c http://www.overclock.net

Владельцы шести ядер, кому какое напряжение понадобилось чтобы взять 3.8?
В данный момент гоняю на 1.312 с самым жестким LLC, все никак не могу нащупать стабильность

Фух, все норм, это я тупанул, скинул вольтаж памяти до авто

Что то как не стабильно память работает на 3466
Скинул до 3333 все норм стало...

1.294

На какую температуру все-таки ориентироваться: ЦП или диод ЦП? Поиск дал противоположные мнения.
У меня диод цп показывает на 15-20 градусов больше, думается ему можно больше верить

у меня они одинаковые

Это из руководства по модулям памяти Samsung, там ещё достаточно любопытные диаграммы имеются
http://www.samsung.com/semiconductor/global/file/productlanding/2016/04/DDR4_Device_Operations_Rev11_Oct_14-0.pdf
к сожалению, применимо не ко всем.
Нашёл доки и на свою память. Плохие новости: Корсар делает высокочастотную память на чипах, для которых Самсунг официальным потолком указывает 2666 МТ/s
http://www.samsung.com/semiconductor/global/file/product/2017/02/8G_B_DDR4_Samsung_Spec_Rev2_1_Feb_17-0.pdf

Да всё таки с зеном можно познать дзен разгона оперативной памяти )
А так конечно слегка сыроват КП.
Но точным подбором параметров хорошие плашки можно заставить работать на 3000.
А какую память брать если нужно 64 ГБ? как я понял нужен двуранг 4*16.
А есть ли какая то информация про КП у AMD Ryzen Threadripper ?
Просто пока в планах именно он.

matocob
Для моих модулей кстати тоже указывается 2666...
Стилт писал что терминаторы на других вендорах, особенно хьюниксы работают на тех же параметрах. Поищу даташыты хьюникса ещё , проверить всю инфу

Добавлено спустя 3 минуты 32 секунды:
ARXITEKTOR-MIRA
На 3200 64 гига пашут те, которые имеют Samsung b-die ядро.16 гиговые все двуранги, одноранга такого объёма нет.Тот же КП у триадрипера и та же ревизия ядра...разница может быть только в разводке DIMM и экранировании VRM которые рядом стоят...

3850 на 1,300 совершенно стабилен (с запасом).
Изначально проходил все тесты и на 1.29. Однако, если дополнительно к стресс-тесту запускать браузер с парой активных страниц, тесты выдавали ошибки.
3950 на 1,375 также стабилен.
На 4000 - в стресс тестах ошибки в течении 5-10 минут ((

Для себя оставил 3850 - как рабочую. Поднять можно, но смысла не вижу, выхлоп незначителен

Добавлено спустя 6 минут 12 секунд:


Добрый день
А можно пояснить этот момент?

AndreySer

Оба BankGroupSwap в дисейбл (в идеале) или оба в енейбл если в системе только одна плашка одноранг

Одна голова хорошо - а две лучше. Хочу спросить у владельцев Ryzen - насколько критично использование одноканального режима памяти у Ryzen, т.е использование только одной планки на 8 Гб , против 2х4 Гб. Суть проблемы - знакомый будет завтра проездом в Минске, и просит заказать ему связку проц+ мать (лет на 5 как обычно ). Так вот меня терзают смутные сомнения по поводу памяти - или взять 8Гб одной планкой +SSD, или 2х4 Гб + SSD, или 2х8 Гб, но без SSD. Возьмёшь 2х4 Гб - потом (года через 2) можешь и не найти идентичную память в продаже , чтобы нарастить объём,а Zen критичен к памяти, SSD хотелось бы ему впихнуть в любом случае, денег естесственно впритык.
Я сейчас на работе - доступ к ПК будет только дома, а успеть заказать нужно сегодня до обеда, пишу с телефона , на котором уже к концу месяца выбрал весь лимит , и поэтому сам сейчас ответа на вопрос не успею найти - трафик кончится. Прям цейтнот какой- то
Собственно вопрос повторно - большие ли потери в скорости от одноканального режима памяти у r5 1600 ?
Во пенсионеры пошли - на пенсии мужик стал заядлым геймером

llucul
Без ССД прожить можно он ее и сам купит, а вот две планки это очень святое 2*8 будет идеально

llucul
Бери 2x8 Гб минимум, если "лет на 5 как обычно". SSD потом в любой момент можно будет докупить.