Версия 6.1.1 vs 6.0 - значимых для теста изменений - нет
Главное : отрегулировал ползунок между недельными графическими / табличными представлениями в разделе мониторинга при использовании небольшого разрешения экрана (Спасибо Джеймсу )
Главное : количество ошибок теперь будет сбрасываться быстрее при перезапуске теста (спасибо Остину)
GPU MEMTEST : количество ошибок не будет сбрасываться до нуля после достижения 2 миллионов + ошибок (спасибо Клеман)
Версия 6.1.0
CPU: OCCT: обновлена подсказка подсчета потоков, чтобы лучше отразить, что на самом деле делает тест
3D: полностью переписал 3d-тест : больше не отображает окно (это нормально !), и гораздо эффективнее, чем раньше
3D: добавлен ползунок ограничителя для снижения нагрузки на выбранный графический процессор
3D: удален лимит кадров в секунду, разрешение и полноэкранный режим (больше не используется)
Питание: исправлен значок набора инструкций в сводке, иногда отображающий "No AVX", когда тест использует AVX

Анатомия RAM.
Как работает память DDR/SDRAM
Описание работы SDRAM от фирмы Micron
Динамическая оперативная память

КП выставляет адрес блока и номер строки в микросхему памяти. Выбирается соответствующий блок и полученный двоичный номер декодируется в позиционный адрес строки, после чего происходит передача информации в буфер, из которого в последствии осуществляется доступ к данным. Время в тактах необходимое на данную операцию называется tRCD и отображается в схемах «9-9-9-27» на втором месте.

После того, как строка активизирована можно обращаться к столбцам. Для этого КП передает адрес ячейки в строке, и спустя время «CL» (указывается в схеме «9-9-9-27» на первом месте) данные начинают передаваться от микросхемы памяти в ЦП. Почему во множественном числе? Потому что здесь вмешивается КЕШ, в виде пакета из 4-8 бит (для отдельно взятой микросхемы). Размер строки кэша зависит от ЦП, типовое значение 64 байта — 8 слов по 64 бита, но встречаются и другие значения.

Спустя определенное количество тактов, необходимых для передачи пакета данных, можно сформировать следующий запрос на чтение данных из других ячеек выбранной строки, или выдать команду на закрытие строки, которая выражается в виде tRP указанное в виде третьего параметра из «9-9-9-27».
Во время закрытия строки, данные из буфера записываются обратно в строку блока, после окончания записи можно выбрать другую строку в данном блоке.
Кроме этих трех параметров, есть минимальное время в течении которого строка должна быть активна «tRAS», и минимальное время полного цикла работы со строкой, разделяющего две команды по активизации строки (влияет на случайный доступ).
Быстродействие динамической оперативной памяти и нелепая идея как ее увеличить

Дизайн 1Т-1С ячейки определяется емкостью линии данных (bitline) и поляризационными параметрами сегнетоэлектрического конденсатора. Емкость линии данных (bitline) определяется количеством висящих на ней ячеек плюс паразитной емкостью материала самой линии.

VDD - напряжение питания памяти (указан только один из контактов).
VDDSPD - напряжение питания микросхемы, хранящей данные SPD.
VREF - опорное напряжение, как правило, равно VDD/2. Обычно формируется резистивным делителем из напряжения питания памяти.
VTT - напряжение терминации памяти, как правило, равно VDD/2. Для DDR3 SDRAM из-за наличия внутренней терминации (и, соответственно, отсутствия внешней терминации) подается непосредствено на модуль.