Member
Статус: Не в сети Регистрация: 13.05.2020 Откуда: Мытищи
Remarc писал(а):
ну сделай тогда лучше с такими настройками
Именно с такими - вряд ли -) Откуда такая низкая латентность по всем строкам? Из-за разгона шины? При 2187 МГц ОЗУ, можно по ОЗУ получить весьма похожие результаты:
AIDA64 тест память и кеш 4200-2665-2187
Вложение:
AIDA64 тест память и кеш 4200-2665-2187 CR1T CL10.png [ 92.92 КБ | Просмотров: 324 ]
КП 2665 МГц при 1,35 В. На ОЗУ также пришлось приподнять напряжение до 1,68 В. Я хочу этим сказать, что частота КП оказывает гораздо большее влияние на скоростные показатели ОЗУ, нежели собственно ее эффективная частота. А еще, что уже при 2133 МГц мы упираемся в производительность КП. Другими словами (если кто не понял), КП 2600 МГц - это уже мало даже для 2133 МГц. И в той таблице про оптимальные частоты КП и ОЗУ - надо делать смещение ячеек:
AMD FX - оптимальный выбор сочетания КП и памяти (bigsun)
Вложение:
AMD FX - оптимальный выбор сочетания КП и памяти (bigsun).png [ 4.87 КБ | Просмотров: 324 ]
ИМХО!
Кстати, мне непонятно, почему у меня почти все показатели по L2 поползли вниз? Че за фигня Повышение напряжения на модуль, ничего не дает.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 06.04.2010 Откуда: ....— не Бейрут Фото: 45
Bigsun писал(а):
еще, что уже при 2133 МГц мы упираемся в производительность КП. Другими словами (если кто не понял), КП 2600 МГц - это уже мало даже для 2133 МГц. И в той таблице про оптимальные частоты КП и ОЗУ - надо делать смещение ячеек
просто ты судишь исключительно по своей памяти и на своей доске. для планок SR: https://ibb.co/Yb1Q11C - хватает; для - DR: https://ibb.co/vLVdPFD - тоже (для 2133 МГц так тем более)
При 2187 МГц ОЗУ, можно по ОЗУ получить весьма похожие результаты:Я хочу этим сказать, что частота КП оказывает гораздо более влияние на скоростные показатели ОЗУ, нежели собственно ее эффективная частота.А еще, что уже при 2133 МГц (а не мы упираемся в производительность КП. Другими словами (если кто не понял), КП 2600 МГц - это уже мало даже для 2133 МГц. И в той таблице про оптимальные частоты КП и ОЗУ - надо делать смещение ячеек:
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 13.05.2020 Откуда: Мытищи
michernov , видимо ты не недопонял я плохо выражаю свои мысли ... Объясняю: Сначала ты гонишь ОЗУ, повышаешь ее частоту, улучшаешь тайминги. И есть ощутимый прирост в показателях. Но когда ты достиг частоты выше 2100 МГц по ОЗУ, прирост становится все менее и менее ощутимый. Так ведь? Мы обязательно упираемся в некий конечный разгонный потенциал ОЗУ. Что происходит на твоих скринах: показатели ОЗУ 2300 и КП 2700 почти как у меня на ОЗУ 2187 МГц и КП 2665 МГц. Почему? Да потому что ты, очевидно не улучшал тайминги, не выжал максимум из ОЗУ. Т.е. ты искусственно занизил ее потенциал. КП позволяет вроде бы, а ОЗУ уже не тянет. Обрати внимание, если бы ты хорошо разогнал ОЗУ, то КП 2600 не хватило бы на 2133 МГц, а КП 2700 на 2400 МГц. Потому что если повышение по КП дает прирост при одной и той же частоте ОЗУ, то это означает лишь одно - ОЗУ на самом деле могла бы, а частоты КП не хватает. Там же синхронная шина! По которой КП общается с ОЗУ. Другими словами, показатели повышаются только тогда, когда оба МОГУТ. Когда только кто-то один "может" - прироста не будет. Я нормально объяснил? ИМХО!!!
Поправьте если несу бред -)
Remarc , Да, по латентности отлично получается. Я бы с удовольствием разогнал шину, но она у меня как девочка, ломается -) Пришлось NB поднять до 1,16 В, чтобы хотя бы начать ее гнать... Я, кстати, не понимаю, почему при низкой латентности не улучшаются пропорционально показатели скорости (ОЗУ, L2, L3)? Разве одно с другим никак не связано??? По идее, чем ниже общая задержка, тем выше итоговая скорость?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 06.04.2010 Откуда: ....— не Бейрут Фото: 45
Bigsun писал(а):
Что происходит на твоих скринах: показатели ОЗУ 2300 и КП 2700 почти как у меня на ОЗУ 2187 МГц и КП 2665 МГц. Почему?
почти такие же, как у тебя! только первый скрин с памятью SR, а второй - на частоте ядер 4050мгц (в отличии от твоих 4200мгц). хватает при любых раскладах КП 2400 для памяти SR 2133 и КП 2600 для памяти DR 2133 - с оговоркой: для архитектуры FX (КП 2700 слегка не хватает для памяти 2400): https://ibb.co/dBMZDs3 ; https://ibb.co/YtDSSnZ ; https://ibb.co/1v3rhYB разгоняя память и КП только множителями (твой вариант) и получаем недоразгон памяти (от потенциала)
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 30.04.2013 Откуда: Москва Фото: 0
Bigsun писал(а):
Remarc , Да, по латентности отлично получается. Я бы с удовольствием разогнал шину, но она у меня как девочка, ломается -) Пришлось NB поднять до 1,16 В, чтобы хотя бы начать ее гнать... Я, кстати, не понимаю, почему при низкой латентности не улучшаются пропорционально показатели скорости (ОЗУ, L2, L3)? Разве одно с другим никак не связано??? По идее, чем ниже общая задержка, тем выше итоговая скорость?
и по псп)я наоборот понизил напряжение что бы грелся меньше
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 06.04.2010 Откуда: ....— не Бейрут Фото: 45
Bigsun писал(а):
Я, кстати, не понимаю, почему при низкой латентности не улучшаются пропорционально показатели скорости (ОЗУ, L2, L3)? Разве одно с другим никак не связано??? По идее, чем ниже общая задержка, тем выше итоговая скорость?
связано! только говоря о показателях "скорости (ОЗУ, L2, L3)", ты имеешь ввиду псп памяти и кешей (пропускную способность памяти), которая остается неизменной при одинаковых частотах ядер, КП и памяти, а понижение при этом латентности (задержек времени доступа к оперативной памяти и кешам), при тех же частотах, увеличивает скорость обработки данных процессором, повышая тем самым производительность системы в целом. алгоритм-последовательность обработки-передачи данных (информации) системой, ты сам здесь в ветке недавно наглядно описал, так что не сложно, в догон, понять и это.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 13.05.2020 Откуда: Мытищи
Сразу оговорюсь, что все что ниже, лишь мои логические выводы. На истину не претендую, но хочется разобраться.
michernov писал(а):
КП 2700 слегка не хватает для памяти 2400
Даже на твоих же скринах видно, что лишь слегка повышая частоту КП, мы имеем мизерный, но заметный прирост показателей по ОЗУ.
michernov писал(а):
хватает при любых раскладах КП
По-твоему, "ветер дует, потому что деревья шатаются"?
Цитата:
Данные памяти DDR имеют честный синхронный дизайн по отношению к источнику (source-synchronous), где данные захватываются дважды с помощью двунаправленного строба данных.... Контроллер памяти циклично задерживает сигнал DQS на один шаг за такт, пока не будет обнаружен переход с «лог. 0» на «лог. 1» в этом сигнале, совпадающий с моментом получения синхросигнала СК. В этот момент сигналы DQS и CL синхронизируются, что позволяет надежно считать данные с шины DQ. где: DQS – шина данных (Data Strobe); DQ – шина ввода-вывода данных (Data Bus: Input/Output); CK – тактовые сигналы передачи данных, инвертированные один относительно другого (Differential Clock)
Шина данных, основанная на стробировании. В полностью синхронной системе вывод и захват данных происходят относительно общей, постоянно работающей тактовой частоте системы (system clock). Однако максимальная скорость передачи для такой системы достигается, когда сумма времени доступа на вывод и времен задержек укладывается в битовый интервал (величину, обратную скорости передачи данных). Хотя генерация отложенных тактов для раннего поступления данных и/или позднего захвата данных позволят повысить скорость передачи, эти техники не учитывают тот факт, что окно допустимых данных (так называемый "глаз данных", data eye) перемещается относительно любого фиксированного тактового сигнала - из-за изменений температуры, напряжения питания или нагрузки. Таким образом, чтобы все равно достичь высоких скоростей данных, для устройств DDR добавлены стробы сигналов данных. Стробы сигналов данных не являются постоянно генерируемыми, как сигналы тактов, и они генерируются выводящим устройством (контроллером памяти для операций WRITE, микросхемами DRAM для операций READ). На уровне устройства DRAM для операций READ сигналы строба данных (DQS) эффективно представлены как дополнительные выходы данных (DQ) с заранее определенным шаблоном; для операций WRITE сигналы строба используются как такты для захвата соответствующих входных данных. На уровне печатной платы сигналы строба имеют нагрузку, идентичную сигналам данных, и разводятся проводниками точно так же. Для операций чтения (READ) сигналы строба данных выровнены по срезу с сигналами данных, это означает, что все данные и стробы данных тактируются в устройстве одинаковым сигналом, и все переходы уровней выходов будут номинально происходить одновременно. Контроллер будет внутри себя задерживать принимаемый строб к центру принятого "глаза данных".
Для операций записи (WRITE) контроллер должен предоставить стробы данных, выровненные по центру относительно своих данных. Так что перепады уровня стробов происходят номинально с фазой 90 градусов (относительно тактовой частоты) относительно перепадов уровня данных. Устройство DRAM использует внутреннюю подходящую маршрутизацию стробов и данных так, чтобы стробы могли быть использованы напрямую для захвата входных данных. Обратите внимание, что причина различий операций READ и WRITE состоит в использовании разных схем выравнивания, чтобы схема задержки была сосредоточена в одном месте (в контроллере), и не должна тиражироваться с каждым устройством DRAM, находящимся в системе. Этот подход, как ожидается, будет перенесен в будущем на следующие генерации дизайна DDR, чтобы усовершенствовать установленную инфраструктуру.
У нас связка. Представь, память - пружина, зажатая в тиски КП. Как только ты разжимаешь тиски (добавляешь частоту на КП), по ОЗУ тут же виден прирост. Потому что ОЗУ еще не исчерпала себя (пружина не раскрылась полностью). Так понятно? Если было бы по-твоему, то сколько бы ты не увеличивал частоту КП, показатели памяти не изменились бы ни в какую сторону.
Вот тебе еще пример: i7 3930 2133 МГц
Вложение:
i7 3930 2133.png [ 322.33 КБ | Просмотров: 465 ]
Практически та же самая (1866-11-11-11-26 Cr1 двухранговые модули) память дает показатели в разы выше! Потому что КП там гораздо более производительный. Вот теперь скажи мне, как при той же ОЗУ, на Intel получаются такие показатели?Это означает лишь одно - там (в той связке) КП никак не ограничивает ОЗУ. Логично?
michernov писал(а):
повышая тем самым производительность системы в целом
Вот с этим все ясно, спс. Доступ к ОЗУ и кэшам ускоряется. Тут вообще не спорю -)
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 18.04.2010 Откуда: Красноярск
iskandar писал(а):
Прописать руками CPU/NB = 1.45V ? Не многовато ли? auto это и есть сток.
Нет,не правда. Если у тебя cpu_nb vid 1.2в это и есть сток напряжение,выставляешь его и частоту 2200,потом выставляешь 2400 и по шагу поднимаешь напряжение,пока не дойдет до стабильного в прайсе,нашел для 2400,потом уже ищешь для 2600
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 06.04.2010 Откуда: ....— не Бейрут Фото: 45
Bigsun писал(а):
Даже на твоих же скринах видно, что лишь слегка повышая частоту КП, мы имеем мизерный, но заметный прирост показателей по ОЗУ.
прирост псп, если точнее. но выше ты писал:
Bigsun писал(а):
Но когда ты достиг частоты выше 2100 МГц по ОЗУ, прирост становится все менее и менее ощутимый. Так ведь? Мы обязательно упираемся в некий конечный разгонный потенциал ОЗУ
не в конечный разгонный потенциал ОЗУ мы упираемся (что хорошо видно из твоего скрина на интел), а как и говорил, в ограничения, накладываемые архитектурой FX (частотным потенциалом КП в частности - https://ibb.co/D45LJVH ). тч ветер, у тебя, не оттуда дует. те, говоря о разгонном потенциале памяти, ты тут же перекладываешься на другое (КП):
Bigsun писал(а):
Вот тебе еще пример: i7 3930 2133 МГц Практически та же самая (1866-11-11-11-26 Cr1 двухранговые модули) память дает показатели в разы выше! Потому что КП там гораздо более производительный. Вот теперь скажи мне, как при той же ОЗУ, на Intel получаются такие показатели? Это означает лишь одно - там (в той связке) КП никак не ограничивает ОЗУ. Логично?
про КП логично! но вернемся к FX:
Bigsun писал(а):
У нас связка. Представь, память - пружина, зажатая в тиски КП. Как только ты разжимаешь тиски (добавляешь частоту на КП), по ОЗУ тут же виден прирост. Потому что ОЗУ еще не исчерпала себя (пружина не раскрылась полностью). Так понятно? Если было бы по-твоему, то сколько бы ты не увеличивал частоту КП, показатели памяти не изменились бы ни в какую сторону.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 25.03.2016 Откуда: Липецк Фото: 72
michernov Я замечал, что LinX показывает максимальную произодительность вовсе не при максимальных напряжениях CPU и CPU/NB, а чуть выше нижней границы устойчивой работы.
Я задолбался уже пытаться получить CPU/NB = 2600. Часа 3 вчера на это убил бестолку. При CPU = 4000 или 4100 - нет проблем, оптимум CPU/NB = 2600 примерно при CPU/NB = 1.35V При CPU = 4200 я вообще не смог запустить CPU/NB = 2600 при напряжениях от 1,2 до 1,45V. При 4400 - и подавно. Я может чего не понимаю, но если процессор плохо гонится, то на пределе возможностей он будет питания жрать немеряно и для производительности это плохо.
_________________ i5-10600KF, MSI Z490-A Pro, NH-D15, 2 x BL16G30C15U4B.M16FE1, MSI GF GTX960Gaming2G, Samsung 970 EVO Plus 500GB, FD Define S, FD Ion+Platinum560W
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 06.04.2010 Откуда: ....— не Бейрут Фото: 45
iskandar писал(а):
Часа 3 вчера на это убил бестолку
ну, так и какая напруга нужна для стабильного КП в стоке на 2200мгц? или дальше будешь вслепую и бестолку (мониторинг работы подсистемы питания КП твоя плата в хвинфо не показывает). нужна точка отсчета! найдешь-поставишь - тогда легче пойдёт...
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 10.05.2011 Откуда: Москва
michernov я тут скинул память с 2200 до ~2133 (ради cl10) и нб с 2600 до ~2500 (с неплохим снижением напруги, с 1.375 до 1.285). По аиде результаты можно сказать не поменялись. Правда мой потолок из-за чипсетной встройки всего где-то 28500, ПСП отжирается на картинку.
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения