- Какой вольтаж выбрать для какой частоты?
- #77

- Какие пределы по вольтажу для ZEN+?
- Для ZEN+ предел стабильности кремния (LP12) по вольтажу: для всех ядер 1,330 и 1,425 для одного ядра при условии PBO Scalar 1X (это стоит у всех мат плат по дефолту без исключения). Для PBO Scalar 10X это 1,400 и 1,480 соответственно. Выше - гарантированные проблемы с TDP и со стабильностью. То-есть если вы наваливаете свыше 1,48 для разгона по всем ядрам - процесс деградации процессора запущен.Норма до 1,45.

- Какую температуру не стоит превышать при разгоне?
- 80-85 градусов максимально допустимая. Рекомендуемая рабочая 70-75 (это не касается стресс пакетов).

- Гонится ли лучше ОЗУ на ZEN+?
- Нет, контроллер памяти идентичен прошлому поколению, даже имеет идентичные прошивки. Единственно улучшение - более низкая потребность в SOC voltage. Статистика разгона памяти : 3400 МГц - 12,5% образцов , 3466 МГц - 25,0% образцов ,3533 МГц - 62,5% образцов при условии использования памяти на чипах Samsung b-die.

- Имеют ли материнские платы на чипсете X470 преимущества перед X370?
- Единственное преимущество - улучшенный разгон ОЗУ. Только X470 имеет улучшенное экранирование шин, улучшенную топологию шин, заземление DIMM разъемов + измененный дизайн VRM(они стали холоднее). По разгону процйессора - отличий нет.

- Precision boost override доступен только для X470?
- Нет, данная функция доступна и X370 и 350 и 320, но с модифицированным биосом, который можно скачать в этой шапке.

- Как настроить вольтаж CPU чтоб работало энергосбережение + сброс частоты в простое?
- Через режим Offset +

- Стоит ли использовать P-state разгон?
- Смысла в данном виде разгона нет, даже при ручном разгоне на последних AGESA был добавлен автоматический режим энергосбережения

- Можно ли настроить отдельно разгон для одного ядра и для всех остальных?
- Частично да, но на материнских платах со встроенным BCLK. Вольтаж процессора через Offset + , множитель авто, BCLK 100-101.4. Абсолютно реально получить 4450 мгц для одного ядра (разумеется если экземпляр процессора попался удачный). Так же некоторые материнские платы имеют функцию дополнительно авторазгона, к примеру на ASUS crosshair 6/7 есть функция PE (performance enhancer) которая позволяет добавить частоту для всех ядер до 4,2-4,3 ггц + буст одного ядра до 4350мгц.

- Какая память (на каких чипах) предпочтительна для ZEN+?
- Samsung b-die имеет наилучшую совместимость и разгонный потенциал

- Какой рекомендуемый вольтаж для SOC при разгоне ОЗУ?
- 1,025 - 1,056 вольта достаточно чтоб достичь 3533мгц. Предел 1,17.

DRAM Calculator for Ryzen™ 1.5.1 + MEMbench 0.7 >> Процессоры AMD Ryzen 1000-й серии (Summit Ridge\Zen\14nm\AM4) #16272644 (Последнее обновление : 13 мая ) + инструкция >> Процессоры AMD Ryzen 2000-й серии (Pinnacle Ridge\Zen+\12nm\AM4) #15856808

>> Фризы, лаги и статтеры : откуда они и как с ними бороться (AMD/Intel) << Процессоры AMD Ryzen 1000-й серии (Summit Ridge\Zen\14nm\AM4) #15277291
NEW! Pinnacle Ridge часть 1 (Что такое XFR 2.0 и какой лимит разгона процессора, новый ли контроллер памяти , какую частоту DRAM можно выжать + особенности разгона процессоров ZEN+)
NEW! Исследование вольт-частотной кривой при разгоне R7 1700 и R7 2700X по всем ядрам (Gamers Nexus)
NEW! Исследование эффективности SMT

cturing DescriptionModule Manufacturer:Micron Technology
Module Part Number:8ATF1G64AZ-2G3E1
DRAM Manufacturer:Micron Technology
DRAM Components:D9VPP (MT40A1G8SA-075:E)
Component Design ID:Z11B
DRAM Die Revision / Process Node:E / 19 nm
Module Manufacturing Date:Week 31, 2018
Module Manufacturing Location:Xian, China (MXA)
Module Serial Number:1DB57C6Dh
Manufacturing Identification Label:DPAKTHK008
Module PCB Revision:1
Physical & Logical AttributesFundamental Memory Class:DDR4 SDRAM
Module Speed Grade:DDR4-2400T downbin
Base Module Type:UDIMM (133,35 mm)
Module Capacity:8192 MB
Reference Raw Card:A2 (8 layers)
JEDEC Raw Card Designer:Not determined
Module Nominal Height:31 < H <= 32 mm
Module Thickness Maximum, Front:1 < T <= 2 mm
Module Thickness Maximum, Back:T <= 1 mm
Number of DIMM Ranks:1
Address Mapping from Edge Connector to DRAM:Standard
DRAM Device Package:Standard Monolithic
DRAM Device Package Type:78-ball FBGA
DRAM Device Die Count:Single die
Signal Loading:Not specified
Number of Column Addresses:10 bits
Number of Row Addresses:16 bits
Number of Bank Addresses:2 bits (4 banks)
Bank Group Addressing:2 bits (4 groups)
DRAM Device Width:8 bits
Programmed DRAM Density:8 Gb
Calculated DRAM Density:8 Gb
Number of DRAM components:8
DRAM Page Size:1 KB
Primary Memory Bus Width:64 bits
Memory Bus Width Extension:0 bits
DRAM Post Package Repair:Supported
Soft Post Package Repair:Supported
DRAM Timing ParametersFine Timebase:0,001