- Какие пределы по вольтажу для ZEN+? - Для ZEN+ предел стабильности кремния (LP12) по вольтажу: для всех ядер 1,330 и 1,425 для одного ядра при условии PBO Scalar 1X (это стоит у всех мат плат по дефолту без исключения). Для PBO Scalar 10X это 1,400 и 1,480 соответственно. Выше - гарантированные проблемы с TDP и со стабильностью. То-есть если вы наваливаете свыше 1,48 для разгона по всем ядрам - процесс деградации процессора запущен.Норма до 1,45.
- Какую температуру не стоит превышать при разгоне? - 80-85 градусов максимально допустимая. Рекомендуемая рабочая 70-75 (это не касается стресс пакетов).
- Гонится ли лучше ОЗУ на ZEN+? - Нет, контроллер памяти идентичен прошлому поколению, даже имеет идентичные прошивки. Единственно улучшение - более низкая потребность в SOC voltage. Статистика разгона памяти : 3400 МГц - 12,5% образцов , 3466 МГц - 25,0% образцов ,3533 МГц - 62,5% образцов при условии использования памяти на чипах Samsung b-die.
- Имеют ли материнские платы на чипсете X470 преимущества перед X370? - Единственное преимущество - улучшенный разгон ОЗУ. Только X470 имеет улучшенное экранирование шин, улучшенную топологию шин, заземление DIMM разъемов + измененный дизайн VRM(они стали холоднее). По разгону процйессора - отличий нет.
- Precision boost override доступен только для X470? - Нет, данная функция доступна и X370 и 350 и 320, но с модифицированным биосом, который можно скачать в этой шапке.
- Как настроить вольтаж CPU чтоб работало энергосбережение + сброс частоты в простое? - Через режим Offset +
- Стоит ли использовать P-state разгон? - Смысла в данном виде разгона нет, даже при ручном разгоне на последних AGESA был добавлен автоматический режим энергосбережения
- Можно ли настроить отдельно разгон для одного ядра и для всех остальных? - Частично да, но на материнских платах со встроенным BCLK. Вольтаж процессора через Offset + , множитель авто, BCLK 100-101.4. Абсолютно реально получить 4450 мгц для одного ядра (разумеется если экземпляр процессора попался удачный). Так же некоторые материнские платы имеют функцию дополнительно авторазгона, к примеру на ASUS crosshair 6/7 есть функция PE (performance enhancer) которая позволяет добавить частоту для всех ядер до 4,2-4,3 ггц + буст одного ядра до 4350мгц.
- Какая память (на каких чипах) предпочтительна для ZEN+? - Samsung b-die имеет наилучшую совместимость и разгонный потенциал
- Какой рекомендуемый вольтаж для SOC при разгоне ОЗУ? - 1,025 - 1,056 вольта достаточно чтоб достичь 3533мгц. Предел 1,17.
Убедительная просьба, прячьте все (любые) картинки и видео под спойлер - [spoiler=][/spoilеr], не используйте тэг [spoilеr][/spoilеr] без знака "равно" для картинок - он для текста! Уважайте друг друга! Не у всех Интернет безлимитный и многие смотрят эту тему через телефон.
Флуд и оффтоп даже под тэгом /офф или /спойлер - награждается ЖК, как и ответы на сообщения, его содержащие. Краткие правила темы. Увидели сообщение, нарушающее правила - просто жмите СК: отвечать на такие посты не нужно!
Последний раз редактировалось 1usmus 06.07.2019 17:22, всего редактировалось 95 раз(а).
vorvort, что в биосе подрубил для включения PBO? Только XFR2 настройки и OC Mode с оффсетом на напруге цп? У меня не работает оффсет совсем. Руками я гоню куда лучше. Либо что-то делаю не так. update: разобрался, причина не работающего оффсета была смешная - при выборе авторазгона, мать зачем-то выбирала разгон через p-state, не сразу допёр туда глянуть. Хотя я туда на новом биосе не лез вообще... Удивительно. p-state в авто и всё заработало через оффсет -0.1. Пока полёт нормальный. Руками, кажись, было лучше. В простое цп бустит до 4.3-4.325
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 04.06.2017 Фото: 6
1usmus писал(а):
инфинити похоже не бутылочное горло
Она-просто лишний "буфер", добавляющий задержку. Я думаю, что с ее разгоном задержку на ней мы меняем в пределах погрешности, так как её тайминги скорее всего считаются в секундах, а не тактах. Иначе я не могу объяснить почему между 3000-3733 с одинаковыми таймингами прирост чисто для галочки, а стоит тайминги ужать, так сразу все летает. В zen+ эту задержку чуть сократили.
Жаль, что на амд не раскрыта тема "третичных" таймингов до конца, чтобы все тайминги с суффиксами DD,Dr,SD,Sr,SG,DG..тогда бы можно было точно их зафиксировать и измерить
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 11.11.2005 Откуда: VoID
Не знаю даже, с чего все обзорщики начали обвинять шину в тормозах - проблема не в ней, а в том, что райзены - процессоры типа NUCA (non-uniform cache access) по аналогией с нумой. Все задержки появляются из-за того, что винда/линукс/полуось и т.п. постоянно перебрасывают потоки между ядрами, перебрасывая и их данные из L3. Если программа написана с учетом этой особенности райзена (два сегмента кэша), то проблем нет (редко кому нужен доступ к кэшу абсолютно всех ядер), а в играх с этим никто не заморачивается (а если заморачивается, то в 99% случаев получается 32 поточное жрущее чудо класса Monster Hunter:World, тратящее весомую часть ресурсов на синхронизацию бесполезных потоков, и в 1% случаев - движок дума)
Я бы так не сказал, по крайней мере по тестам в играх. У меня есть 4 планки SR, и с ними такой же фпс в бенчмарке, как и с двумя на одинаковой частоте и таймингах. Разница между ними в пользу четырех есть только тогда, когда первички выставлены руками, а вторички в авто. Но стоит ужать вторички у всех одинаково, разницы нет от слова вообще, по крайней мере у меня так. А вот увеличение частоты на двух планках сразу заметны по минимальному фпс. Так что 4 планки для игр явно не подходят, тоже по началу повелся на все эти утверждения.
_________________ APEX X i7 9700KF 5.0 Ghz 1.34V AVX0 ASUS DUAL RADEON 6700XT G.Skill Trident Z F4-3600C15D-16GTZ
Остановился на таком результате, больше ковырять банально лень/устал ) Тестмем (пресет куратора) несколько раз + после холодных пауз - без ошибок. В играх вылетов вроде как нет. Хороший результат на samsung oem? И скажите пожалуйста, почему у некоторых L3 параметр больше 400, это от памяти тоже зависет?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 11.11.2014 Фото: 39
Снижение напряжения SoC и правда положительно сказалось. Изначально 3666 получил из пресета кулькулятора, а потом докрутил напряжения вверх и tfaw 18 что-ли. На памяти 1,47 В. Попробовал скинуть SoC до 1 В с 1,075 В и без проблем получилось повысить частоту на шаг из пресета 3600. Ну как без проблем, 30 минут TM5 без ошибок, а до этого единичные ошибки стабильно сыпались после десятой минуты. Линкс пока стабильно крутит уже 6 проход. Даже цифры немного подросли.
За 15 прогонов аиды средняя задержка получилась 58,8 нс, лучшая 58,5, худшая 59,1. Чтение и копирование колеблятся в пределах 700 мб/с, запись не больше 20 мб/с. #77 #77
В таблице приведен средний фпс в тесте, для каждого случая (клетки с результатом) было проведено по 3 прогона и взято среднее арифметическое. Погрешность 1фпс. Я думаю догадаются все, что каждый столбец это изменения относительно XMP профиля, жирным выделены тайминги которые были изменены. С первым изменением тайминга был отключен PDM (PowerDown mode) и он присутствовал до конца тестирования дабы исключить бутылочное горлышко (вдруг энергосбережение ограничит производительность). Порядок для тестирования таймингов я выбирал сам , опираясь на знания и опыт.
Тайминги которые имеют косвенное положительное влияние на фпс: 1) tRC (насколько можно снизить я сейчас выясняю, скорее всего будет формула-постулат) 2) tWRWR SCL + tRDRD SCL , но как показали результаты, ниже 4 смысла крайне мало, ПСП с избытком 3) комплекс из tRRDS + tRRDL + tFAW имеют незначительное влияние на производительность 4) tRFC , ниже чем 260ns ( это 416 для 3200 ) лишено особого смысла 5) tRTP полезный тайминг для оптимизаций, ниже 8ки - лишено смысла 6) tRDWR tWRRD 7 3 или 8 3 , снижение ухудшает производительность
Тайминги которые имеют негативное влияние на фпс: 1) tWTRS 3 - падение фпс 2) tRRDL 4 - падение фпс 3) tWTRL ниже 10 лишено смысла как собственно и снижение tWR ниже 12 4) снижение tWRWRSD tWRWRDD tRDRDSD tRDRDSD - отсутствие влияния , но есть информация что занижение вызывает фризы
а что же tRAS ? я не увидел толк от снижения
P.s. Еще в планах аналогичный разбор полета на 3466 P.p.s. Любые идеи я охотно выслушаю, самые интересные будут разобраны на практике
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 03.11.2011 Откуда: Россия
viziter писал(а):
Остановился на таком результате, больше ковырять банально лень/устал ) Тестмем (пресет куратора) несколько раз + после холодных пауз - без ошибок. В играх вылетов вроде как нет. Хороший результат на samsung oem? И скажите пожалуйста, почему у некоторых L3 параметр больше 400, это от памяти тоже зависет?
У меня тоже зеленые планки самсунга, сравни с моим результатом. На нем сижу уже 3 месяц) Проблем нет) Агеса старая 1.0.0.2
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 29.03.2017
1usmus RAS это тайминг отвечающий за минимальное время до ЗАКРЫТИЯ строки (максимальное REFi*9). Положительное влияние на производительность можно увидеть там где крайне плохо отрабатывает планировщики (вплоть до планировщика непосредственно кп). Например КП открывает строку - работает с данными, в планах пока ничего больше делать нет - закрывает, внезапно появляется задача с доступом опять в эту же строку и тут снижение RAS может сыграть положительную роль.
Стоит также учитывать, что RAS+RP идёт параллельно с таймингами RC, и RCD+CL. То есть КП посылает команду на закрытую ранее строку то одновременно и параллельно пойдут эти три группы таймингов. На доступ к уже открытым строкам он вообще никак не повлияет. Соответственно если у вас RAS+RP меньше RCD+CL(что-то мне подсказывает ещё сюда минимум надо накинуть такты непосредственно передачи данных). То варианта два, он либо ничего не делает, либо память не работает вообще. Недопустимый RAS на DDR4 достигнуть можно разве, что подняв сильно тайминги непосредственно доступа к памяти, да и то кп или мать может проигнорировать "глупые" значения, в основном упор идёт в физическую невозможность текущих чипов так быстро открывать и закрывать строки. Короче этот тайминг непосредственно на задержку доступа к данным влияет косвенно и его влияние на производительность зависит как от остальных таймингов, так и от "оптимизации"(бесполезно искать его влияние когда всё идёт "по плану"). Увеличение RAS+RP также может позволить снизить RC если он сильно задран. Хотя это скорее следствие переразгона связки RAS+RP или слишком агрессивного RCD. Также во время RFC у вас по факту идёт цикл RAS+RP (и RC естественно). Поэтому допускаю, что манипуляции с RAS+RP и RC теоретически могут повлиять на RFC. Например, имеем RFC=321, RAS=39, RP=15, RC=54. За время RFC у нас влезает 321/54 =5 целых циклов RC и RAS+RP и остаток 51 такт, во время этого остатка память по сути совсем ничего со строками не делает("остывает"). Пороговыми значениями RFC очевидно является количество целых тактов соответствующих таймингов, пауза "сверх" целых очевидно тоже оказывает влияние, но всё же думаю, что основным является именно количество целых циклов. Допускаю сценарий, что при разгоне может возникнуть ситуация где вы выставите RFC 216(54*4) и оно работать не будет, а RFC 215 внезапно заведётся 54*3+ 53 такта "остывания". Короче влияние здесь есть, но искать конкретную формулу мне кажется бесполезно, так как слишком индивидуально.
А ещё вероятно миф о том, что он значительно влияет на производительность пошёл от того что на многих интел связка RAS+RP=RC без возможности крутить RC. Соответственно чтобы снизить RC там по-умолчанию надо скручивать RAS+RP. А RC как известно влияет очень даже значительно.
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 07.06.2017 Откуда: Persey omicron
coolio понятное дело, идеально цифра в цифру не получится
Remarc я ссылку на тест кинул в ветку озу, так что могут заходить в гости и обладатели интела
Добавлено спустя 9 минут 26 секунд: Agiliter я понял о чем ты говоришь, параллельность есть (предзарядка не дожидаясь начала закрытия строки) у меня уже сил сегодня нет тестировать , я завтра проверю что происходит при trfc = 252 (42*6) и что будет если tRAS 34 tRC 36 (проверял раньше , оно работало без нареканий но без цифр)
а по поводу простоя это под вопросом, tBL может быть и 4 и 2 , может КП и дробить данные, чтоб максимально загружать конвейер
_________________ Twitter -> @1usmus
Последний раз редактировалось 1usmus 09.01.2019 2:25, всего редактировалось 2 раз(а).
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения