Здесь можно задавать те вопросы, на которые хотите узнать ответ, но стеснялись спросить или просто не знали, где это сделать!

Тема будет периодически зачищаться от неинтересных "типовых" вопросов (после ответа на них). Учитывайте, что ответы на большинство вопросов есть в FAQ'ах, в соответствующих разделах.

Насмешки, издевательства и т.д. над спрашивающими в этой ветке недопустимы и наказуемы.
О нарушениях можно сообщить модератору, нажав синюю кнопку (#77) над сообщением.

R1ck
ты ничего не спалишь

Russian
Ну хотя бы какой-нибудь faq, где написано какие тесты выбирать, какая продолжительность и тд.

R1ck
любой тест,но лучшим считается lynx. продолжительность какая захочется,пока не надоест
я обычно тестирую полчаса когда гоню и полтора часа когда достиг предела

Добавлено спустя 6 минут 44 секунды:
ссори,не lynx,а linx.спутал с консольным браузером

Есть спец. тема по данному вопросу.


непонял...как так, если ячейка срам памяти состоит из 6-8 транзисторов o_O.

KT
Спрашивал я там, все молчат, как партизаны

Ну тогда пару общих моментов могу озвучить. 1. Тестировать комплексно, тоесть несколькими прогами, по очереди. Начать предлагаю с прайма95 т.к он лучше линХа отлавливает ошибки связанные с озу, КП... и CPU тестирует неплохо. Тестовый режим оставляй тот что по умолчанию - Blend. Тестировать праймом лучше подольше - несколько часов.
При этом мониторь Троттлинг и темпереатуры. В Еверест к примеру, "инструменты=>тест стабильности системы".

Mihailo
Все блоки на транзисторах... Но там есть ещё металлические (раньше алюминиевые, теперь медные) межсоединения и термодиод Может быть, ещё чего-нибудь есть, кто их там знает, инженеров этих...

А речь о DRAM

а какая разница сам факт что ячейка памяти хоть статической хоть динамической синхронной суть несколько полупроводниковых элементов

KT
Там один транзистор и один конденсатор. Но суть не в этом, снаружи адресные линии, между которыми и измеряется отлично расстояние:

#77

Добавлено спустя 1 минуту 11 секунд:
Ячейка в объеме

Т.е на картинке выше - это адресные линии и расстояние между ними и указывают, как 32нм ?

А процессоры тут каким боком?

Вроде бы да



По новому техпроцессу первым делом делают DRAM, и хвастаются все именно DRAM half-pitch. Цифра эта не относится ни к транзисторам, ни к затворам.

То есть, то, чем кормят народ производители процессоров - это просто какие-то отвлечённые цифры, не имеющие непосредственного отношения к процессорам?

ну к примеру Интел выпуском драм памяти не занимается и как правило новый техпроцесс представляет именно на чипах SRAM памяти.

Tod Schwarzkaiser
А причем тут процессоры? Эти цифры имеют отношение к процессу производства любых чипов вообще. Никто ничем не «кормит народ», «45 нм» это просто название поколения технологии, у соответствующих процессоров есть конкретные опубликованные характеристики, вот данные для 45 нм процессоров Интел:

160 nm gate pitch (73% of 65 nm generation)
200 nm isolation pitch (91% of 65 nm generation)
35 nm gate length (same as 65 nm generation)

и т.д.

а что за технологии, что даёт и что производят по ней ?

Добавлено спустя 7 минут 12 секунд:
Короче никто не знает о .... "техпроцессе", хотя все о нём пишут и знают только то, что чем меньше - тем лучше. А тут ещё и подметели верно, что и писать надо "технология производства". Получается на многих железных сайтах люди безграмотные, даже те, что пишут обзоры.

AnossДа видел... И 45 нм там не нашёл нигде... Поэтому и задумался

MihailoФотолитография.
Процессоры, память и прочие микросхемки...

All
То есть, получается, что нечто, что называют "32-нм техпроцессом", называется "фотолитографическая технология, позволяющая производить микросхемы динамической памяти, половина среднего расстояния между адресными линиями которой составляет 32 нм"?

Mihailo Я на предыдущей странице давал ссылку на статью "Электроника 2020" ...там МНОГОЕ из процесса создания полупроводниковых микропроцессоров разжевано более чем доходчиво...сейчас порою еще пару ссылок легко нарою - поиск рулит.

http://www.3dnews.ru/cpu/intel_penryn/ вот к примеру...еще из этой темы.

Лично я считаю что, то что конкретно имеет размер указанный как "тех процесс XXнм" - не принципиально...для таких профанов как мы сам факт тот что каждые следующие нормы позволяют делать транзисторы, и отдельные элементы, как то ширина затвора, толщина слоя диэлектрика между подложкой и затвором меньше. Так же увеличивается плотность размещения транзисторов на пластине, тоесть уменьшается расстояние между ними. Снижаются токи утечки (тоесть паразитное проникновение зарядов через запирающий транзистор слой электронов). Увеличивается скорость переключения транзисторов и необходимое для этого напряжение. А что до


сам процесс насчитывает парядка 300-т стадий...и длится на протяжении нескольких недель!!! Тоесть тема то далеко не самая простецкая...я думаю, даже те кто вкуривают все нюансы просто не в силах упростить подробное изложение для людей без соответствующего тех. образования. Нам остается только ловить по сети достаточное кстати кол-во научно популярной литературы на эту тему...

всем привет. у меня вопросик один есть. вставил я USB флешку в кардридер, после нее подключал гаджет. в итоге USB конекторы как то странно пахнут, как гарью. что может быть? или если бы на самом деле коротило, они бы не работали даже?