Например
https://market.yandex.ru/product/133675 ... track=char
https://market.yandex.ru/catalog/55316/ ... in-stock=0
Но она вроде не секретная...
http://www.samsung.com/ru/consumer/memo ... Z-V5P256BW
Внизу "Технические характеристики" нажмите кнопку "Дополнительно +".

Сколько бредовых теорий от незнания матчасти и нежелания её подучить: то кластеры, то урезания...
Нет тут никакого урезания. Скорость чтения и записи зависит от возможностей массива кристаллов NAND. В Samsung 950 Pro 256 Гбайт используется 16 кристаллов NAND ёмкостью 128 Гбит. Здесь просто неоткуда взяться 2500 Мбайт/с на чтении и 1500 Мбайт/с на записи. Мало того, даже заявленные скорости записи 900/1500 Мбайт/с достигаются только благодаря специальным ухищрениям, в реальности "чистая" скорость записи у обоих (256 и 512 Гбайт) ещё ниже.

О, "тяжелая артилерия" "подтянулась"... ("А как вы учите "Морских котиков"(https://ru.wikipedia.org/wiki/SEAL) держать лопату на носу? - С трудом (С 13 Hours: The Secret Soldiers of Benghazi)
https://ru.wikipedia.org/wiki/13_%D1%87 ... 0%B7%D0%B8
А расскажите, плз, как у Самсунг SM 961 должно получится 3200 на чтение?
Это ведь будет не "урезание" и не "наращивание"... А что это будет?
Не могли бы Вы объяснить выше приведенный "график" зависимости скорости чтения от размера "кластера" (я употребляю <блок> )?
И еще, Вы могли бы объяснить - раз уж вы "знаток" "матчасти" (а не <мат.части>) - почему производители не делают 4К в строке? Вы ведь понимаете, о чем я говорю, не так ли, господин "подучивший"?


А сколько кристаллов у Samsung 950 Pro 512 Гбайт? Разница 2500 против 2200 (при 16 кристаллах)...

ПС
Для комфортной обстановки при обдумывании композ "L'Amour Toujours" (Любовь Всегда)
https://www.youtube.com/watch?v=wD0Mm6WIcYs
"Гордыня - это грех (С)"

TomBash
В характеристиках SM961 обратите внимание на приставку "up to". Кстати, в ход могут идти не 128, а 64 Гбит кристаллы. Большее число кристаллов - большая скорость чтения/записи.

Тест проводился поверх файловой системы. Это раз. ATTO славится своими не всегда вменяемыми показаниями, это два. Чем крупнее блок, тем больше операция чтения/записи тяготеет к линейной и проще для накопителя. Это три и ключевое одновременно.

У 512 Гбайт кристаллов вдвое больше - 32. Но здесь скорость может быть ограничена уже контроллером, точнее, числом каналов. Сейчас Samsung использует Toggle Mode 2 - на каждый канал порядка 400 Мбайт/с. Восемь каналов Samsung UBX суммарно дадут 3200 Мбайт/с. С учётом "накладных расходов" (передача служебных данных) и задержек - порядка 2600-2700 Мбайт/с. Samsung 950 Pro объёмом 512 Гбайт на чтении примерно столько и выдаёт. При заявленных 3300 Мбайт/с очевидно, что Samsung пошла на использование контроллера(-ов) с большим числом каналов. Примером может быть Intel 750 - используется не слишком быстрая 20-нм память (причём смесь из 64 и 128 Гбит кристаллов NAND), но компенсируется это использованием контроллера, способного сообщаться не с 8-ю, а с 18-ю кристаллами одновременно.

Лень, кстати, тоже грех.
А гордыни у меня нет. Это недовольство тем, что с настолько очевидными вещами разобраться не хотите.

Минуточку, если у Samsung 950 Pro 256 Гбайт используется 16 кристаллов NAND ёмкостью 128 Гбит - и получается скорость чтения 2200 (кстати, с учетом "передача служебных данных" - не так ли?), то

Должно получаться 4400 - Тогда при чем тут

Вы контролируете то, что пишите?
ПОВТОРЮ:
- Если у Samsung уже есть, скажем так - "платформа" для 4400, то зачем

И при чем тут

???
Покажите Ваш график, плз.
Или его нет? (Зависимость скорости чтения - а можно и записи - от размера блока (или если угодно, "кластера") - Где Ваш график? Лень? Ваша недостаточная техническая подготовка - отсюда "поливание грязью" конкурентов из АТТО? (Вы не смогли понять, как правильно использовать SSD NVMe - не так ли?)


Если у Вас нет лени, то почему Вы не ответили на вопрос:
-Вы могли бы объяснить - почему производители не делают 4К в строке?
И кстати, с какими "настолько очевидными вещами" я не разобрался? Вы уверены, что я в "них" не разобрался? Может это Ваши фантазии? (Помните, "лень", "гордыня"... могу добавить "защитные реакции" сознания и подсознания... Примерно сто лет назад выяснили, что разные участки коры головного мозга отвечают за "разные моменты" нашей жизни... Знаете, как выяснили какие участки за что отвечают? )

Модератор, почистите тему от толсты и оффтопа, не относящегося в SSD Samsung, пожалуйста.

TomBash
Число каналов меняется? Нет.
Весь прирост обеспечивается увеличением чередования (по 4 микросхемы на канале вместо 2).

Есть. Но про температуру забыли или как? Если восьмиканальный нагревается до такой степени, что накопитель впадает в троттлинг, то что говорить про более мощные? Уровень тепловыделения Intel 750 (25 Ватт) наглядно показывает всю красоту ситуации. Поэтому смотрится, что выгоднее с точки зрения характеристик: крупный (в результате этого обладающий непропорционально большей себестоимостью) сильнее нагревающийся контроллер или большее количество меньших по ёмкости кристаллов.

Про ATTO речь шла в целом. См. третий пункт, который я подчеркнул: чем крупнее блок, тем больше операция похожа на линейную и проще для накопителя, поэтому скорость растёт.

Про графики позабавило: конкурентов из ATTO? Каких конкурентов, Вы о чём вообще? В чём они конкурируют со мной? Я бенчмарки не пишу, они ничем мне не конкурируют.

Как расшифровать "4K в строке"?

Ваши уходы в рассуждения относительно коры головного мозга и прочее оставлю без комментариев. Неуместно, глупо и, лично мне - неинтересно. Изучите тему на базовом уровне и таких вопросов возникать не будет. А пока что Вы не можете отличить файловую систему от структуры хранения данных во флеш-памяти, где, кстати, размер страницы и вовсе составляет 8-16 Кбайт (в современных потребительских SSD). Не являюсь уберсециалистом в данной теме, но всё же эти вещи я понимаю.

Маскировка мата - по Правилам Конференции тоже считается матом. ЖК не буду выдавать, но учтите это на будущее, пожалуйста.

Ni9999
Это, на мой взгляд, допустимое отклонение. Потом, возможно, зачищу.

Тогда как понимать:
???
Чередование каналов обычно приводит к увеличениям задержек - к росту скорости приводит увеличение каналов или скорость работы каждого канала, а не простое чередование... Готовы привести ссылку на механизм?

Как я мог забыть про температуру, если даже в данной ветке писал, что подсоединил Гнусю через переходник М.2->PCIe х 4... И даже привел "фотку" "накрывания" 950 Про радиатором - не помните?

С технической точки зрения - полностью согласен, Но вот "бяда": есть форумчане, которые в этом сомневаются, а есть - которые это отрицают... Имена назвать?


Можно я тактично промолчу - Вы не забанили, я - промолчал... Полагаю, мы квиты... Или как?

Вы действительно не знаете как считываются данные, скажем из

?
Как организовано хранение данных в обоих чипах (и в 128 и в 64 Гбит-ных)? Подзабыли? Напомнить? Какова "длинна" стороны матрицы в 64 Гбит-ных и в 128 Гбит-ных кристаллах? Вспомнили?

Широко смайлд... "Работа с детьми с нарушениями в аффективной сфере"... уже "изучил" (и "местами" даже сдал)))... извините, что до Вашего "наказа"...

А, то есть знаете, что такое "строка", но только под термином "страница"...
Вот только с чего Вы взяли, что я в этом не разбираюсь...? Вы же сами признаете

А вот тут

... настолько плохо, что не понимаете что такое "строка 4К" - может быть следует это признать? "Гордыня грех(С)"...
Именно тут кроется вся "заковыка" по работе с внутренней структурой чипа памяти... Да и по контроллеру так же - Ваши утверждения, что типа "8 канальный контроллер перегревается" ломаного гроша не стоят - полагаю, мы оба достаточно легко найдем и трех-ядерный (читай канальный) чип и многотысяче-ядерный, который потребляет всего в 10 раз больше (чем указанные выше 25 Вт)... Готовы оспорить?
Важно только структура матрицы в которой хранятся страницы...
Перефразирую мой вопрос в Вашей терминологии: почему чип-мейкеры не делают микрухи со страницей в 4 КБайт? Было бы так удобно, не находите?
Вы ведь знакомы с файловой системой...

Парни, помогите разобраться с ревизиями 850Evo. Судя по-новостям, MZ7LE1T0 - старая, MZ7LN1T0 - новая. Тогда почему в ранних обзорах, датированных еще началом 2015 года фигурирует маркировка LN?
http://www.3dnews.ru/908251

TomBash
У Вас такая путаница в понятиях...

Каналы - это одно, чередование - это другое.
16 микросхем висят на восьми каналах и двукратным чередованием. 32 - на восьми же, но уже с четырёхкратным чередованием. Да, чередование увеличивает задержки. Но суммарная пиковая пропускная способность восьми каналов не растёт. Зато пока выполняется операция на одной микросхеме, контроллер может обратиться к другой. За счёт этого достигается рост, если скорость одной микросхемы пропускной способности скорости канала. И так на всех восьми каналах.

Авторы бенчмарка ATTO не конкуренты мне. Они являются конкурентами для авторов Anvill, CDM и т.д.
Конкурентами мне являются авторы с других ресурсов, пишущие обзоры. Но я не заморачиваюсь на такое, за ссылки на обзоры того же Gavric никогда никого не банил и банить не собираюсь.

При прочих равных энергопотребление и тепловыделение контроллера NAND зависит от его сложности, от количества каналов в том числе.

Ну так определитесь с понятиями. Общепринятым является "страница".
Почему не делают? Делали. Когда-то. Потому что себестоимость. То ли на 3DNews, то ли на ФЦентре во времена выпуска Crucial M500 был довольно подробный материал на эту тему, почему размер страницы увеличивается. Как и ёмкость кристалла. Да и толку-то? На скорость записи в основном влияет не размер страницы, а скорость выполнения операции. Страницы целиком перепрограммировать при записи как таковой не нужно - страницы можно дозаписывать если есть свободное место. Перезапись страницы целиком производится только при необходимости очистки (нет свободного места).

Насчёт комментариев Олега могу уточнить: на самом деле лимит не 1 Кбайт, а ещё меньше. 1 Кбайт (2 сектора) - это размер записи в целом. Про эту тонкость мало вспоминают (точный размер не помню). Плюс обычно не вспоминают про то, что у этого файла не должно быть специальных атрибутов. По всей видимости, только так он вместе со служебными пометками помещается в место, отводимое в таблице MFT под ссылку.
Зачем? Потому что в этом случае, я так понимаю, стоит вопрос быстродействия - чтобы не выполнять лишние запросы: если данные можно поместить тут же, то нет смысла размещать ссылку на них в другое место и заставлять систему выполнять двойной объём действий (найти и считать ссылку а затем найти и считать сами данные).
Если мне не изменяет память, сама MFT имеет фиксированный размер и расположение, поэтому в неё нельзя записывать крупные файлы.
Размер сектора файловой системы действительно рекомендуется разный для разных условий эксплуатации, поэтому просто так делать выводы по приведённому графику нельзя.

I_N_J_E_C_T_O_R
Похоже, основным отличительным признаком является именно коробка. Свою статью я сейчас подправлю (изначально обратил внимание на это, но информация противоречивая была на тот момент).

950 ПРО под систему 10-ку какой должен быть размер сектора не подскажите?

WinMisha
Ставьте по умолчанию. Как правило, система ставит 4 Кбайт, всё же современные Windows умеют отличать SSD от HDD (есть дурные моменты, но они специфичны). Большая часть "бытовых" приложений работает с блоками 4 Кбайт.

Пнятно, спасибо, а то уже 4-й день определится с этим не могу.

Обычно файлы не длиннее 1500 байт размещаются непосредственно в MFT.
C учётом предлагаемой "методики" файл в одну цифру/букву стопудово будет резидентным - то есть, не займёт на накопителе ни единого отдельного кластера, а разместится в записи MFT - там-же, где его название и прочая мелочь о нём.
Как правильно узнать размер кластера уже существующего раздела с помощью нативной виндовой утилитой diskpart я написал на предыдущей странице.
Со времён WinXP не припомню случая, чтобы Установщик винды отформатировал свой системный раздел с кластерами, отличными от стандартных 4k - и это нисколько не зависит от SSD/HDD...
Это будут два разных графика: зависимость от размера блока (когда читаются/пишутся несколько кластеров в блоке) можно снять на размеченном накопителе с одним размером кластера (тем, что был задан при форматировании). Зависимость от размера кластера нужно снимать, каждый раз переформатируя носитель на иной размер кластера (таким образом, график потом нужно будет строить самостоятельно по нескольким таблицам; в едином пакете такой график не нарисует ни одна из существующих программ для тестирования быстродействия - эти программы просто не умеют сами форматировать накопитель ).

и как это ваше "должно" соотносится с пропускной способностью pciex 3.0 x4?

Позвольте ответить Вашим же ответом:

мне нужно привести ссылку на Ваш ответ? Или Вы согласны с тем, что это Ваш же ответ?
"Да" или "Нет"?



"Шо,? Опять?(С)
А тогда что Вы так разволновались???

На ФЦентре - цитата:
взято от сюда
http://fcenter.ru/online/hardarticles/hdd/35992

Позвольте напомнить мое и Ваше высказывания:


Что скажите? (Вы ведь помните, что гордыня - грех(С)...)

TomBash
У вас пунктик какой-то прямо - искать в других заболевания, проблемы и прочее.
Прочтите текст обзора и обдумайте его: словосочетание "урезанную скорость" здесь не несёт смысла "умышленно".