Acsir
Похоже на правду (я про ТЛ-4М2 (г. Тарту)).

Вот еще несколько:

http://forums.overclockers.ru/viewtopic.php?p=4585598#4585598
3 ультры (разогнанных)+ йорк(разогнанный) + большая куча всего остального
http://forums.overclockers.ru/viewtopic.php?p=4623688#4623688

Не стоит путать обратимое преобразование энергии с необратимыми потерями. Конденсатор сколько энергии при зарядке накопил в электростатическом поле, столько при разрядке и отдал. Катушка индуктивности сколько энергии запасла в магнитном поле, столько и отдала, продолжая какое-то время поддерживать ток в цепи. Емкость и катушка индуктивности - реактивные элементы, они не потребляют энергию (разве что только за счет утечек и сопротивлений в цепях заряда). Резистивные же сопротивления только потребляют энергию, преобразуя ее в тепло (необратимое преобразование) - это активный элемент.
Используя "приближённое к реальным процессам объяснение", энергия, потраченная на выстраивание электронов в определенном порядке, при снятии внешнего воздействия возвращается в цепь. Т.е. при наложении внешнего воздействия внешняя сила совершает работу против полей, удерживающих электроны на месте, зато когда воздействие снимается, работу совершают поля, которые возвращают электроны на свои места. Процесс схожий с зарядом конденсатора.
Если же описывать работу p-n перехода точнее, то при отсутствии внешнего воздействия из-за теплового движения электроны начинают проникать из n области в p, где они являются неосновными носителями заряда, а дырки проникают в n область (где дырки являются неосновными носителями заряда). При этом образуются разноименные объемные заряды (положительный в n области и отрицательный в p области). Эти заряды создают электрическое поле, которое препятствует дальнейшему проникновению электронов и дырок в противоположные области и создает потенциальный барьер. Преодолеть этот барьер могут не все носители, а только те, которые обладают бОльшей энергией, и за счет этого диффузионный ток уменьшается. Одновременно с этим часть носителей заряда возвращается назад в свою зону (величина этих токов определяется разностью концентраций одних и тех же носителей заряда в разных областях). Когда эти два тока сравняются, наступит равновесие.
Если же теперь приложить внешнее поле, направленное против барьерного, то высота потенциального барьера снизится, преодолеть его может уже бОльшее количество носителей заряда и диффузионный ток увеличивается. Преодоление барьера сродни переезду через холм - на подъеме теряешь скорость, но с другой стороны на спуске снова набираешь. Преодолев барьер, носители под действием внешнего поля удяляются от него, при этом внешнее поле совершает работу только по преодолению активного сопротивления полупроводника, вызывая его разогрев.

что-то нереально много система в максимуме кушает... у меня с автором разница в основном в процессоре... измерял стрелочным мультиметром среднеквадратичный ток, после подсчетов максимум даже до 300 не дотянул... http://people.overclockers.ru/andervol81/record6
P.S. не понял, автор чтоли вместе с монитором мощность замерял?
P.P.S. что за спор про тепло, не пойму... все что не ушло через э/м излучение превращается в тепло! или в компьютерах находятся аномальные зоны, в которых закон сохранения энергии не действует.

Забыл написать, что при разогреве полупроводника происходит увеличение потенциального барьера (именно по этому ЦПУ необходим хороший охлад), еще забыл написать, что с уменьшением потенциального барьера растет шанс лавинообразного пробоя, особенно при большом напряжении. (я конечно не так хорошо знаю эти вещи - поправь если ошибаюсь)

RoiL а вы не перепутали потенциальный барьер и ширину запрещенной зоны?
Добавлено спустя 3 часа, 5 минут, 40 секунд
Достаточно старая статья, но все же, думаю, будет полезна. Как раз о потребляемой компьютером мощности.
http://www.fcenter.ru/online.shtml?arti ... tower/6484

Нет, только системный блок.

Не понял как ты мерил, что куда подключал, какие показания снимал, что и как преобразлвывал?

1. Электрон не теряет энергии, переходя через барьер. Он либо его преодолевает, либо нет. Причем даже если энергия электрона меньше высоты барьера - все-равно он имеет вероятность его преодолеть.
2. Когда прикладывается внешнее электрическое поле, у потока (именно потока, откуда и произошло слово "ток") электронов бОльшую часть составляет дрейфовый ток, а не диффузионный))

В общем-то причин отрицательного влияния высоких температур на работу полупроводника много. Увеличение высоты потенциального барьера естественно является одной из них. Действительно, повышение температуры сопровождается повышением тепловой энергии электронов, что увеличивает их статическую подвижность и влечет за собой повышение потенциального барьера и увеличение ширины обедненной зоны. Но нельзя забывать и о таких кристаллических процессах как величина колебаний кристаллической решетки, которая растет вместе с температурой, увеличивает сопротивление материала (не всегда, но в данном случае это так) и, как следствие, его электрические характеристики. С изменением температуры за рамки заданной также изменяется емкостная составляющая p-n-переходов, подвижность носителей, и много других величин, которые приводят к неправельным переключениям МОПов и приводят к потере данных, и, в конечном счете, к потере работоспособности.
По поводу статьи - неплохо. Но разобраться с реактивно-активным характером нагрузки все-таки следует. А измерять ток можно, конечно, и клещами. Я думаю, удобнее будет)

По поводу закона сохранения энергии - ребята, не тупите. Кроме тепла и ЭМИ ничего от электричества не остается). Причем 1кВт электроэнергии = n кВт тепла + m кВт ЭМИ (причем n+m=1)

Внимательно читаем раздел статьи Краткий теоретический "фид", внимательно.
Если что-то не понятно, спрашиваем.

Обшибка

Странно... я эту уже правил...
И P.S.S на P.P.S. тоже правил...

KORESHOCHEK писал(а):

1. Электрон не теряет энергии, переходя через барьер.

Я именно это и утверждаю. Собственно говоря, ради этого и писал пост.

KORESHOCHEK писал(а):

2. Когда прикладывается внешнее электрическое поле, у потока (именно потока, откуда и произошло слово "ток") электронов бОльшую часть составляет дрейфовый ток, а не диффузионный))

В толще полупроводника, в канале под затвором МОП-транзистора или при протекании тока вдоль p-n перехода в полевом транзисторе с управляющим переходом это верно. Я же рассматривал протекание тока через p-n переход, как это происходит в диоде или биполярном транзисторе. Ток, протекающий непосредственно сквозь p-n переход определяется в первую очередь именно диффузным током. Собственно, за счет этого ВАХ диода и определяется в первую очередь функцией распределения электронов по энергиям.


Поддерживаю. Но одно плохо - в идеале нужен хороший двухканальный цифровой осциллограф. Минимум - амперметр, считающий действующее (среднеквадратичное) значение тока произвольной формы и полагаться на заявленное производителем значение PF. Что же касается измерений M-Sport и Acsir, то тут остается полагать разве что на хорошую работу Active PFC.

Как вариант- мощный УПС+токовые клещи на батарею.

Согласен, а ещё нереальнее - в простое...

В идеале достаточно советского стрелочного лабораторного ваттметра

andervol81 и Vorchun KM
23 вентилятора не меньше 50 ватт потребляют, а у меня в системнике еще квад, и... короче смотрим раздел Тестовый стенд.

M-Sport
В октябре собирал комп знакомому (Q6600 G0, Abit IP35 Pro, 8800GTS 640, 2GB MEM, БП Sirtec с индикатором потребляемой мощности), разогнал процессор до 3400МГц. При прогоне ОССТ - 160ВТ, 4 консольных клиента Folding@Home + 3DMark2006 - максимум 240ВТ... Правда моей целью не было выявление максимума... и Линпак я не запускал...

про вентиляторы как-то упустил момент... согласен.

а где гарантия, что погрешность там не +-10%? Прикрутили его туда так, лишь бы был... У меня 4 канала измерения температуры, в аерогейт(смешно, но температура отображается даже с десятыми долями градуса), разброс в 4 градуса имеют.
Это при том, что он для этого и предназначен...(измерение температуры)
P.S. в кризисе макс потребление наблюдал при максимальном fps (смотрел в небо).

M-Sport
Подскажи плз, как мне выяснить PF моего БП?

#77

а у Idea разогнанная 8800gt +
и 180 в простое и 243 в 3дмарке... - 35%


при минимальной нагрузке - 509 при максимальной - 826 - 63%

неслабо у тебя вентили кушают... при разгоне ты ведь их тоже ускорял? может попробуешь хотя бы часть отключить, чтоб посмотреть сколько система без них выдаст - хотя бы без разгона