ЙА не смог найти - где у вас обсуждают оборудование для чипов

Российские ученые совершили прорыв в области оптической печати, предложив инновационный тип литографии высочайшего разрешения — электрохимическую рентгеновскую литографию.

Исследователи факультета наук о материалах МГУ имени Ломоносова во главе с Андреем Елисеевым опубликовали в журнале Angewante Chemie работу, посвященную оптической бесконтактной печати нового поколения (метода формирования на поверхности подложки электронных схем и наноструктур), которая должна стать ответом на вызов, брошенный производителями микроэлектроники.

В своем стремительном развитии микроэлектроника сталкивается с массой технологических проблем, и одна из них — совершенствование видов литографии, необходимое для дальнейшего уменьшения размеров электроэлементов.

Электромеханическая рентгеновская литография сочетает преимущества рентгеновской фотолитографии с универсальностью электрохимической обработки. Уникальным такой способ делает совмещение воздействия рентгеновского излучения с длиной волны в единицы ангстрем (десятые доли нанометра) и электрохимического синтеза новых планарных материалов с упорядоченной структурой на границе раздела твердой подложки и раствора.

В результате испытаний ученые смогли получить структурированные слои электроосажденного металлического никеля на плоской подложке кремния с напыленным слоем золота. Применяя рентгеновское излучение через кремниевую маску, расположенную на расстоянии четырех микрометров, удалось увеличить ток при осаждении никеля из электролита на подложку. Такой эффект стал возможен благодаря фотоионизации подложки при воздействии квантов рентгеновского излучения и испусканию фотоэлектронов в объем электролита, что способствует электрохимическому восстановлению ионов никеля.

На сегодня такой метод — самый продвинутый, хотя новинки в этой области появляются с завидной регулярностью. Изобретение россиян может составить серьезную конкуренцию уже используемым продуктам фотолитографии с длиной волны 13 нм и рентгенолитографии с длиной волны излучения 0,4–5 нм, которые до последнего времени считались победителями в гонке за наноразмером.