typical user
пайкой

RU_SilaVlad

я знаю шо такое подстроечный резистор
два штуки просто сгорели при вольтмоде памяти, пришлось брать простые, наверное слабомощные были

ща вот убрал вольтмод, попробывал зашить биос от сапфир 9600, и шо вы думаете, память погналась с 460 до 530, гпу как было 430 так и есть,
типа ща определяется как 9600 ХТ

По поводу таймингов памяти.


В профиле не вижу, какие у тебя микросхемы памяти.

У меня - HYNIX HY5DU281622ET-4, то есть 4ns память. Вчера поиграл с таймингами. В целом - пока результат нулевой. Я пытался увеличить тайминги, чтобы увеличить разгон памяти по частоте, не удалось. Пытался уменьшить тайминги, чтобы на имеющейся частоте памяти ускорить ее работу - тоже нет результата. Такое ощущение, что эта память HYNIX абсолютно нечувствительна к таймингам - то есть, память либо работает, либо не работает, а производительность ее зависит только от частоты. Правда, некоторая зависимость есть: при некотором сочетании таймингов безартефактная частота памяти существенно уменьшается

И еще, интересное наблюдение: память 4ns, но зашиты тайминги, один в один соответствующие 5ns по даташиту HYNIX. Тем не менее, разгоняется она до своих номинальных 500mhz, максимум - 510. Я пытался выставлять тайминги соответствующие 4ns, 3.3ns, 2.5ns - результата нет, память по-прежнему разгоняется до 510mhz +/- 3mhz.

В работе использовал ATT (ATI Tray Tool). Он позволяет выставлять не все тайминги, указанные в даташите: tRC у него нет, зато есть tRFC, но это два разных, хотя и зависимых тайминга. CL выставляется как-то неадекватно: по даташиту, он должен безболезненно увеличиваться до 5, никаких ограничений на него в даташите нет. Но в ATT для моей памяти он изменяется только от 2 (пониженный) до 3 (стандартный по даташиту для 5ns), а это ненормально.

Есть два предположения:
1. То, что память не отзывается на изменение таймингов, и неадекватная реакция памяти на изменение тайминга CL может говорить о том, что ATT неправильно работает с таймингами.
2. Несколько сообщений об успешной работе с таймингами приходятся на память SAMSUNG, исключительно. Лично мне неизвестны примеры успешной работы с памятью от других производителей, а сам я пробовал работать с ELIXIR и HYNIX. Напрашивается вывод а) только SAMSUNG хорошо отзывается на изменение таймингов, или б) ATT умеет работать только с таймингами для SAMSUNG.

При изменении таймингов by ATT можно увидеть соответствующие изменения таймингов и в ATI Tool. Но означает ли это, что измененные тайминги задействованы? Не уверен.

Чтобы закрыть эту тему для себя, я решил a) попробовать еще менять тайминги и разгонять by ATI Tool вместо ATT (мне кажется, они копируют друг у друга алгоритмы работы с таймингами, и результат будет тот же, но чем черт не шутит), если это не удастся - б) менять тайминги непосредственно в BIOS видеокарты by Rabit 1.7, прошивать и проверять результат.

Имею Гигабайт 9550 с памятью HYNIX 4нс. Тайминги ОЧЕНЬ отчетливо влияют на производительность. При их уменьшении получил прирост производительности эквивалентный приросту частоты около 10-15MHz(не DDR)



У меня память отзывается.

Чем ты изменял тайминги, и как проверял результат?
Какие тайминги менял и на какие значения?
Расскажи, очень уж хочется разобраться!

1. ATI Tray Tool? Выставлял и сразу проверял, или сохранял их в автоматически загружаемый профиль?
2. ATI Tool?
3. Rabit 1.7? Менял и проверял на ходу, или прошивал измененный BIOS?

Добавлено спустя 11 минут, 17 секунд:

Кажется, на http://www.modlabs.net
А точно название статьи не помню.

BeeMaster
Sapphire 9550 128 mb HYNIX HY5DU281622ET-5 250@410@465(легкий вольтмод до 1.25V)gpu/400@540 mem. Заметные артефакты по памяти появляются при 580, при 600 они уже существенны, тридемарки проходят без потери производительности.

Относительно Typ datasheet до 2,6V завышены Vdd=Vddq. C таймингами через пень-колоду. Часть надергано от 4 нс (TRCDRD, TRCDRW) часть от 5 нс (CL, TRRD, TRP). Ни в какие ворота TRAS=17 ( кстати уменьшение этого параметра в предпочитаемой мною ATI Tray Tool до возможных 8-10 благотворно сказывается на скорости и даже стабильности). Других сколь-нибудь существенных положительных зависимостей не выявил.
О легендарной возможности поднимать частоту работы памяти на Samsung могу только читать, но в моем случае тоже не получилось. О причинах сложно сказать.


Нам мой взгляд это самый корректный путь. Даже если он более хлопотный. Но для этого надо очень хорошо знать стуктуру bios. Доверять только Rabit остерегся бы.
У меня даже есть мысль "закрыть" глаза на маркировку в 5 нс, выставить тайминги под, скажем, 3,6 нс в прошивке bios и отпробовать. Но при этом надо поднять Vdd и Vddq до требуемых 2,8 V.
Кстати вольтмод Vdd=Vddq=2,9V просто повалил работу памяти при штатных таймингах. Пришлось оставить символическую добавку на Vdd, что может быть немного добавило стабильности работе памяти.

CnC_General
смасибо за 9550_vmod_full.exe(1.1mb)

Ситуёвина аналогичная я уже забил на игры с таймингами
что-то на http://www.modlabs.net не нашёл я статьи про моддинг без следов
Кстати лично у меня чип, даже при 450 на стандарте+вентиль сбоку, еле тёплый, а на сколько примерно градусом подымается температура от увеличения напряжения на 0,05 или 0, 1 вольта?
typical user
привет земляк

Разгон слабый, GPU стабильно идёт примерно на 455-460. Память так себе - до 800.
Потому и подумываю как тут напругу подтянуть.
Да, может вольметр погрешность имеет, но врятли настолько - ведь GPU тоже мерился им.
Неужели сам гекуб такую напругу на память напялил? чтото неверитса...

sobatchnick** как раз повышение напруг и позволяет GeCube'у разгонять 9550 до таких значений. Хотя иногда гонят и без поднятия напруг
/ampyr разгон по памяти хорош, зря ты так Редко увидишь такую частоту на

Добавлено спустя 1 минуту, 28 секунд:
/ampyr вообще то обычно идет 1,3

Изменял ATI Tray Tools. Выставлял минимальные, которые пишутся в всплывающих подсказках на закладке Т2. На Т1 ничего не менял, на Т3 Refresh поставил на 63. После выставления нажимал [Set] и мерял в Марке03. Если лезли артефакты, то увеличивал на одно деление один из таймингов (поочереди) и опять смотрел артефакты. Так находил те, которые "артефактят".
В итоге получил:
TRCDRD - 4
TRCDWR - 2
TRP - 3
TRAS - 7
TRRD - 2
TR2W - CL+2
TWR - 2
TW2R - 1
TW2Rsb - 2
TR2R - 1

Еще пробовал понижать частоту, вместо увеличения таймингов, если артефактило немного - в итоге могу сказать, что для мое карты лучше понизить частоту памяти на 3-5MHz но при меньших таймингах и будет больше попок, чем при более высокой частоте и бОльших таймингах.

пробывал игратся тоже с таймингами, все шо понял с этого, утилиты типа АТТ и т.д. у меня покрайней мере, ни как на влияют на работу, все только хуже становится, но если изменять биос и зашить его, то тогда да...

Нашёл здесь же в статье годовой давности.
Цитирую: Основным "палевом" нарушения гарантийных обязательств при проведении вольтмоддинга являются следы пайки. Вывод прост – подключение сопротивлений без пайки. Как это сделать?
Графит отпадает – ненадёжно и невозможно добиться нужного сопротивления. Всякие "крокодильчики" – не для нынешних микросхем с тонюсенькими ножками (тут вспомнился прикол о том, что мужская половина группы программистов по достоинству оценила ножки нового процессора ). Но выход есть. Нам понадобится скотч, сам резистор, тонюсенькие проводки (не толще 0.25мм – я использовал жилку из многожильного проводка) и токопроводящий клей или лак. Догадались? Правильно. Резистор скотчем приклеиваем рядом со стабилизатором питания. Подпаянные заранее к резистору жилки подгибаем вплотную к нужным ножкам и фиксируем токопроводящим клеем или лаком. Лак или клей можно чуть подсушить для густоты. Саму фиксацию удобно выполнять заточенной спичкой или зубочисткой. При необходимости возврата карты в "гарантийное" состояние, отлепляем резистор и отрываем жилки. Остатки клея или лака можно удалить растворителем, ацетоном, жидкостью для снятия лака и так далее. Конец цитаты.
Как думаете, стоит попробовать?

Да, это оно


Лучше уж так, чем сразу паять.
Хотя, если решил видеокарту менять, то я бы, например, не стал мучать попу.


Понятно. Память точно такая же, как у меня. То есть, у нас с тобой абсолютно идентичные видеокарты. Это хорошо


Спасибо, это интересно Я: Фольгу между радиатором и чипом не удалял. Дополнительное охлаждение (обдув) не делал, не сторонник этого. Но чип у меня действительно горячий. Память греется, но не горячая. Байда, которая греется - это, скороее всего, стабилизатор напряжения, он же мосфет, горячим и должен быть, работа у него такая. (Хотя, при сильном перегреве напряжение начинает плавать, что приводит к артефактам - сталкивался с этим на полумертвой geforce4 MX440SE) В итоге, разгон у меня 405/500 против твоих 420/520. Вполне закономерно.

Теперь, с учетом идентичности наших видеокарт, что касается вот этого:


1. Эксперимент по увеличению таймингов (по даташиту с 5ns на 4ns, 3.3ns, 2.5ns) показал, что разгон памяти HY5DU281622ET-4 увеличивается несущественно - на 5-7Mhz (10-14Mhz DDR). Для изменения таймингов и проверки стабильности разгона использовался ATI Tray Tool (build 500). Использование ATI Tool 0.23 дает сопоставимый результат.

2. Непроверенным остался вариант по уменьшению таймингов с целью увеличения производительности на той же частоте памяти. С учетом сообщения BOX, можно расчитывать на успех. Но это даст не более 5% прироста производительности в лучшем случае.

3. Непроверенным остался вариант с прошивкой биоса, в котором тайминги изменены с помощью Rabit 1.7, а так же с прошивкой "неродного" биоса (например, от GeCube 9550U, на котором установлена более быстродействующая память, например SAMSUNG 3.3ns, 2.8ns, 2.5ns. Перед прошивкой должны быть выставлены безопасные частоты чипа и памяти).


О, спасибо Ценная информация, можно использовать, с учетом того, что у нас тоже одинаковые видеокарты

Вопрос: Почему такой странный выбор для MemRR = 63 (на третьей закладке таймингов)? Есть мнение (FAQ по разгону на http://radeon2.ru), что установка его в максимальное значение 255 = 0xFF повышает стабильность и разгонный потенциал памяти (а так же мысль, что побочный эффект - нагрев чипов), хотя я такого влияния не заметил...

Вопрос: tRFC (на третьей закладке таймингов) ты, видимо, не изменял? А он тоже есть в даташите на HY5DU281622ET-4, и изменяется от 14 (для 5ns) до 26 (для 2.5ns)

Ссылка на страницу, с которой можно скачать даташит по памяти HY5DU281622ET:

http://www.hynix.com/datasheet/eng/dram ... 1622ET.jsp

Ссылка для скачивания самого даташита по HY5DU281622ET-4:

http://www.hynix.com/datasheet/pdf/dram ... 2ET(Rev0.5).pdf

BeeMaster

Да я менять её буду не раньше чем через пол года. А вообще мне сам процесс разгона моддинга и прочей возни с компом просто приятен, особенно если он приносит хорошие результаты.

До кучи, копия сообщения вот из этой темы:
http://forums.overclockers.ru/viewtopic ... 56#1114056

По поводу tDAL:
из datasheet по HYNIX HY5DU281622_ET_D(Rev0.4).pdf (может быть, и еще где-то упоминается):

tRP == Row Precharge Time, измеряется в ns
tWR == Write Recovery Time, измеряется в ns
tCK == System Clock Cycle Time, измеряется в ns

tDAL == Auto Precharge Write Recovery + Precharge Time | min (tDAL) = (tWR/tCK) + (tRP/tCK) измеряется в циклах

Если tRP и tWR приведены в циклах (по-моему, в большинстве даташитов), то еще проще tDAL = tRP + tWR.

Резюме:
Если задан tRP и tDAL, то tRP выставляем как есть, а вместо tDAL выставляем tWR = tDAL - tRP.

По поводу tRC:
из datasheet по HYNIX HY5DU281622ET

tRC == Row Cycle Time (Manual Precharge)
tRC_APCG == Row Cycle Time (Auto Precharge)
tRFC == Auto Refresh Row Cycle Time

И tRFC всегда на 2-4 цикла больше, чем tRC, что видно из того же даташита:

Frequency .......CL tRC tRC_APCG tRFC tRAS tRCDRD tRCDWR tRP tDAL Unit
400MHz (2.5ns) 5 ...22 ..........24 ...26 ..16 ..6 4 6 10 tCK
375MHz (2.6ns) 5 ...21 ..........23 ...25 ..15 ..6 4 6 10 tCK
350MHz (2.8ns) 4 ...20 ..........22 ...24 ..14 ..6 4 6 10 tCK
333MHz (3.0ns) 4 ...19 ..........21 ...23 ..13 ..6 4 6 10 tCK
300MHz (3.3ns) 4 ...18 ..........20 ...22 ..12 ..6 4 6 10 tCK
275MHz (3.6ns) 4 ...16 ..........18 ...20 ..11 ..5 3 5 8 tCK
250MHz (4.0ns) 4 ...15 ..........17 ...18 ..10 ..5 3 5 8 tCK
200MHz (5.0ns) 3 ...12 ..........13 ...14 ....8 ..4 2 4 7 tCK

Эти три тайминга (tRC, tRC_APCG, tRFC) должны увеличиваться/уменьшаться одновременно, а изменение одного tRFC мало что дает, если остальные два не менять. Поэтому нужно добавить в Rabit, ATI Tray Tool, ATI Tool возможность редактирования tRC и tRC_APCG.

SergeyTN

У моей видюхи по дефолту идут частоты 445/700. Разгон по памяти (2,5ns) до 800 я не назвал бы большим. А ты?
1,3В это у 9600ХТ, а я разговариваю про 9550 Extreme Ultra overdrive.
Если не ленишся взгяни сюда:
http://www.comptest.ru/modules.php?op=modload&name=News&file=article&sid=530&mode=thread&order=0&thold=0[/quote]

/ampyr на моей карте было 1,3, но у меня не "(OD)"...

BeeMaster

Да, действительно уменьшение таймингов сильно не влияет на разгон памяти хайникс, об этом уже проходила информация на хоботе и других сайтах. Поэтому вчера начал обратную процедуру - если стабильная работа отмечается по памяти на 520Мгц, то буду уменьшать их для

В любом случае повышается производительность (надеюсь).
Cas Latency уменьшил с 3 на 2 (АТТ) пока все стабильно, буду уменьшать дальше.

Люди, а чё за хрень, я сделал вольтмод на чип, было 1.3в, делаю 1.5в начинают сыпаться артефакты даже на штатных частотах, причём на рабочем столе. На 1.4в максимальный разгон по сравнению с разгоном до вольтмода ниже. Т.е. чем выше напряжение, тем хуже разгон.

Перебор сгорает и не всегда в переносном смысле. оставь как было 1.3 и не заморачивайся, а то будет твоей видяхе