...улучшение качества питающего напряжение эквивалентно дополнительному вольтмоду на 0.02-0.05В-0.**В

Только выполняя все эти пункты можно будет выработать единый универсальный подход в доработке системы питания. Еще один важный момент: приводите хоть какие-нибудь теоретические обоснования, на основании чего устанавливаются именно такие номиналы элементов, а не какие-либо иные. И не надо фраз типа "поставил это потому что другого под рукой не было"! Не надо этого случайного баловства! Надо осмысленно и направленно проводить модернизации.

Почему именно 2 и почему именно по 1500мкФ? Почему скажем не 3300мкФ или 6800мкФ? Какие электролиты стояли изначально?

Большинство гуру, которые любят вешать радиаторы буквально на все, не учитывают, что они дают хороший эффект только при контакте металл-металл, либо металл-термопаста-металл, но никак не металл-толстый пластик-термопаста-металл. Сразу видно, что эти люди никогда не паяли BGA-микросхемы, иначе бы заметили, что быстрее всего чип отпаивается, когда греешь не сам пластик, а плату вокруг чипа!!! Страшна не та температура, которая держится на пластике, а ту, которую имеет кристалл и как следствие шары под корпусом. С мосфетами аналогично. Когда он припаян к плате, теплоотводом служит плата, причем имеет место непосредственный контакт металл-металл, обеспечивающий наилучший теплоотвод. Когда же все, что можно залипляют радиаторами, уменьшается лишь температура поверхности пластика, температура же самого кристалла - очень незначительно, а благодаря тому, что нарушается конвекция воздуха по плате, возникают места локального перегрева и где бы вы думали - под мосфетами! В результате, успокоившись, что радиатор вроде чего-то рассеивает, начинают гнать видео дальше. Подошва мосфета нагревается все сильнее, а она имеет непосредственный контакт с кристаллом, прогревается плата и в результате, когда температура канала достигает 125-150*С, происходит тепловой пробой. И казалось бы хорошо охлаждаемый мосфет просто сгорает! Я бы нисколько не удивился, если бы в ходе поиска причины из-за чего сгорел X1600 у DarthEx виновниками оказались бы сгоревшие мосфеты!

Для эффективного охлаждения силовых полупроводниковых приборов, в часности полевых транзисторов есть соответствующие нормативы, в которых отвод тепла от пластмассовых корпусов приборов никак не фигурирует. Поэтому для интенсификации теплоотвода от п/п структур радиаторы должны контактировать непосредственно с металическими либо изолированными зонами обозначенными производителем. Я, например, припаиваю медные теплоотводы

Поделись опытом о правильном охлаждении мосфетов, куда что припаивал?

Полевики конечно же лучше охлаждать непосредственно прамым контактом с металической подложкой так как кристал припаян к ней потом отводами к ножкам .... ноесли нет другого выхода то можно и через пластик он не особо толстый и имеет состав который неплохо проводит тепло (как для пластика) есть транзисторы с изолированым корпусом и они охлаждаюца через пластик - правда максимальная рассееваимая мощность значительно меньше чем у такихже только с металической пластиной.

Он самый нагруженный и выносит его чаще при вольтмоде и т.д.

Полевики конечно же лучше охлаждать непосредственно прамым контактом с металической подложкой так как кристал припаян к ней потом отводами к ножкам

Как раз с точностью до наоборот, чаще летит "нижний" ключ, т.к. ток через него протекает бОльший.

Зато нижний ключ и открывается реже верхнего.

Зато нижний ключ и открывается реже верхнего.

Откуда данные, что нижний ключ выносит чаще?

В двух словах принцип работы выглядит так:"Верхний" транзистор открываясь передаёт в дроссель и на нагрузку некоторую мощьность S=I1*U1, где U1 - напряжение питания до преобразователя.После того как "верхний" транзистор закрылся открывается "нижний" и "разряжает" дроссель на нарузку при этом отдавая всё ту же (если не учитывать потери) мощьность S=U2*I2, где U2 - напряжение на нагрузке, то есть много меньше U1. Соответственно по закону сохранения энергии ток I2 будет много больше. Поэтому "нижний" ключ и более нагружен.

Я ремонтом занимаюсь

Греется больше нижний

Нет...не правильно I2 не может быть больше ну никак!

Греется больше нижний, а импульсная мощность больше на верхнем.

Но внешний диод должен часть рассеиваемой мощности на себя принимать.

Сопротивление p-n перехода диода много больше сопротивления открытого мосфита! А ток течёт по наименьшему сопротивлению

И лампочка в цепи постоянного тока с параллельным дросселем при выключении не перегорает...Именно поэтому надо крайне внимательно подбирать индуктивность дросселей.

Я так понял ты говоришь к нижнему ключу параллелить или как?