Member
Статус: Не в сети Регистрация: 23.07.2006 Откуда: Krasnoyarsk
LAV48 Просто, что удобно дак то, что свободное посадочное место есть под дополнительный верхний мосфет....чо мне даст это я щас обдумываю. Всё взвешиваю сижу и это правильно Подожду ещё мнений, а именно:
deep_zz storm85 Своеобразное голосование мнение большенства не поддаётся критике Добавлено спустя 1 минуту, 59 секунд
serj писал(а):
Для MOSFET с особо маленьким сопротивлением - два параллельных имеют заведомо лучшие характеристики, чем один 'мощный'.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 08.11.2005 Откуда: Kirovograd UA
LAV48RUMPELSHTICTIK Если стоят два одинаковых ключа и управление ими одинаковое ( по амплитуде, фронту и спаду) то грееца больше верхний.... а нижние ставят по несколько штук чтобы уменьшить сопротивление на переходе (тем самым увеличить КПД) хотя при этом они стоят слабее по току .... ведь эта схема (синхронный випрямитель) и была сделана для увеличения КПД випрямителя , тоесть диода который разряжал индуктивность на нагрузку в обычном импульсном стабилизаторе при этом в лучшем случае на нем падало 0,5В а если в этот момент закоротить его полевиком то падение напряжения будет намного меньше... Добавлено спустя 4 минуты, 37 секунд
RUMPELSHTICTIK писал(а):
А ваше мнение какое? Какой параллелить
Паралелить тот который больше грееца ... или менять его на другой .... только при этом надо посмотреть на наформу и амлитуду напряжения на них ато они могут греца от заваленых фронтов или недостаточной амлитуды что недает зайти ключу в насыщение и его сопротивление больше чем должно быть.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 23.07.2006 Откуда: Krasnoyarsk
Ну я прям как чуял . У меня БП шлак...там по всем шинам падение напряжения конское (по 12V шине 11,3V в 3D....по 5Vшине 4,55) вот ключи и жарят (палец держат правда), но при вольтмоде точно взорвутся . Если я всё правильно понял, то из-за стрёмного БП вполне могут качегарить ключи. Ибо провал напряжения не даёт ключам зайти в насыщение и потери на них конские . Ну уже понятней стало .
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 23.07.2006 Откуда: Krasnoyarsk
storm85 писал(а):
Я глубоко убежден, что лучше подобрать элементы и их режим так, чтобы они незначительно нагревались, чем лепить на них радиаторы и сидеть на палеве, испытывая судьбу и мосфеты на прочность!
Ну да....я лепил на пластик...это полный гон. Снял их через 40 мин. примерно. Мысль была, что бы при налепливание охлождения кулер (не родной) видюхи из-за увеличевшейся площади (т.е площади радиатора самопального) лучше охлаждал мосфеты. Но потом я понял пусть лучше..эти потоки воздуха охлаждают плату непосредственно вблизи мосфетов (так она прикрыта самопальными радиаторами была). А ещё лучше рассмотренный сдесь уже давно вариант . Я поглядел щас. Это я про-то, что кулер на видюхе не радной, а здоровый и от него во все стороны по плате воздух гонит
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 27.08.2004 Откуда: From Desert
storm85 писал(а):
1) Надо отпаять мосфет, под него засунуть медную пластину толщиной 0.5-1мм, припаять ее к контактной площадке, поверх нее припаять мосфет. Пластина должна быть узкой и длинной, либо в форме буквы T. Выступающие края пластины подгибаются к мосфету и разрезаются повдоль на сесколько полосок. Далее лепестки немного раздвигаются друг относительно друга.
Я так понимаю, что под мосфетом никаких дорожек нет и ничего мы не замкнем?
storm85 писал(а):
Если при вольтмоде и разгоне больше греется верхний одиночный мосфет и при этом ШИМ холодный или чуть тепленький, то можно впиндюрить к верхнему в параллель еще такой же.Если два нижних все равно греются больше, чем верхний, а ШИМ чуть тепленький - менять нижние мосфеты на более мощные (с меньшим Ron).Если и ШИМ горячий, и мосфеты не лучше, то дело плохо - надо менять все мосфеты на более быстродействующие (с меньшими емкостями переходов) и при этом более мощные (с меньшим Ron).
Я запутался в конец, объяните как выглядят эти верхние и нижние мосфеты. В моем понимании мосфет - линейный стабизатор питания на видюхе(в основном стояли на старых видюхах), имеет под корпусом массивныую металическу пластину и 3-5 ног. ШИМ - импульсный стабилизатор, дальнейшее развитие линейного стабилизатора, ИМХО. Нобльшая микросхема с числом ног на порядок большим нежели чем у мосфета. Так?
_________________ -Ну фраер, и раздолбал же ты свою Ferrari!
-А она не моя... (с) Rock
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 08.11.2005 Откуда: Kirovograd UA
sphinks В твоем случае с Х800 если дизайн референсный то у тебя стоят шеть ключей в корпусе TSOP-8 smd-микруха с 8-выводами у которой 4 с одной стороны запаралелены и это Сток с другой стороны 1-нога затвор а остальные 3- исток и у них нет металической пластины .... тебе можно и на пластик цеплять радиаторы .... а с обратной стороны платы напротив стоят два дроселя (обычно квадратные) они еще сильнее нагревают этоту часть платы, такчто их тоже желательно охлаждать чтобы они плату не так грели.
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 26.08.2005 Откуда: 34
storm85 Откуда берётся ток в десятки и сотни Ампер? неужели с конденсаторов с учётом того, что на нагрузке он постоянный... наверное он с блока питания такой...
Рассматриваемый сдесь преобразователь напряжения работает по принципу автотрансформатора. Да, действительно - часть энергии передаётся на нагрузку непосредственно с БП через "верхний" ключ, основная же мощность берётся из запасённой (в первый момент времени) в дросселе энергии магнитного поля, вся переданная энергия накапливается в емкости фильтра и используется нагрузкой. Замечу также что емкость фильтра перед нагрузкой в данном случае выполняет две важных функции: обеспечивает большой ток через дроссель при открытии "верхнего" ключа и ограничевает рост напряжения при разряде дросселя при открытии "нижнего". Если взглянуть на общую картину то в течении такта в два момента времени оба мосфита остаются закрытыми (это сделано для предотвращения сквозного тока), в эти моменты питание нагрузки осуществляется из запасённой энергии в ёмкости, т.е. коненсатор работает как бы с удвоенной частотой ШИМ, - за один такт проходит заряд ("верхний" ключ - БП), разряд (пауза), заряд ("нижний" ключ - дроссель), разряд (пауза). Проверте мои рассуждения - достаточно померить осцилографом ток протекающий через кондесатор допаяный паралельно нагрузке через шунт.
storm85 писал(а):
Т.к. из пункта 1 следует, что I1~=I2
Ну не так это! Токи и напряжения различаются на порядок, а время t1 и t2 - максимум в разы (у Вас же осцилограф! Кстати, он не двухлучевой, а то может уточните в какой именно момент (откыт "верхний" или "нижний")
storm85 писал(а):
с момента открывания нижнего мосфета напряжение на GPU начинает даже немного снижаться!
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 10.04.2003 Откуда: Москва
LAV48, довольно.
В неразрывном режиме ток через дроссель величина постоянная. Это означает, что ток через верхний и нижний ключи _одинаков_. Количество тепла, рассеиваемое на ключе = Q*(I^2)/R
Q - скважность. Верхний ключ открыт с Q=Vout/Vin; нижний 1-Q
Vin - входное напряжение (5/12V), Vout - выходное напряжение (с учетом оммических потерь в проводах и дросселе несколько больше выходного).
Энергия накапливается и в дросселе (I^2)/L и в буферных конденсаторах C*(U^2)/2
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 26.08.2005 Откуда: 34
serj писал(а):
довольно.
ОК! Будет время обсудим в ЛС. По поводу выбора дросселя: копал даташиты и в первом же попавшемся (на RC5051): #77 Где: Vin = Input Power Supply Vout = Output Voltage f = DC/DC converter switching frequency ESR = Equivalent series resistance of all output capacitors in parallel Vripple = Maximum peak to peak output ripple voltage budget. Co = The total output capacitance Ipp = Maximum to minimum load transient current Vtb = The output voltage tolerance budget allocated to load transient Dm = Maximum duty cycle for the DC/DC converter (usually 95%). Может кому и поможет определится с индуктивностью...
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 23.07.2006 Откуда: Krasnoyarsk
P=Q*(U^2)\R - когда ключ закрыт и т.д...
LAV48 писал(а):
емкость фильтра перед нагрузкой в данном случае выполняет две важных функции: обеспечивает большой ток через дроссель при открытии "верхнего" ключа и ограничевает рост напряжения при разряде дросселя при открытии "нижнего"
Я и не знал, что электролиты так влияют на КПД мне казалось эти вопросы уже давно сдесь рассмотрены....ну зачем этот спор...это нетак.
storm85 писал(а):
Никакой зарядки через нижний мосфет не идет и идти не может!!! Через него замыкается цепь разрядки!
Ну 100 лет назад уже перетёрли это и впрямь. Там один и тотже ток, вообще очём спор не пойму...нет там I2 никакого. Добавлено спустя 2 минуты, 52 секунды И всё надо исследовать во временной области (стабель-то импульсный)....
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 26.08.2005 Откуда: 34
Пол ночи копал даташиты, в одном (на HIP6302) ток верхнего мосфита расчитывается, во многих в формулах расчёта мощности выделяемой на ключах в качестве расчётного тока используют максимальный импульсный ток через дроссель, а в некоторых вообще фигурирует какой-то базовый ток для всех расчётов... ...и как я просмотрел, что ток самоинукции течёт в направлении обратном открытому мосфиту... RUMPELSHTICTIKstorm85serj Примите извинения, я во многом заблуждался. Зато вот такие коментарии встречаются практически в каждом описании
Код:
The power dissipation includes two loss components; conduction loss and switching loss. These losses are distributed between the upper and lower MOSFETs according to duty factor (see the following equations). The conduction losses are the main component of power dissipation for the lower MOSFETs, Q2 and Q4 of Figure 1. Only the upper MOSFETs, Q1 and Q3 have significant switching losses, since the lower device turns on and off into near zero voltage.
В переводе приблизительно следующее: Мощность потерь выделяемая на транзисторах состоит из мощности потерь на сопротивлении открытого канала и мощности потерь переключения (зависит от быстродействия мосфита и частоты). Причём для нижних мосфитов более характерна мощность потерь на сопротивлении открытого канала, а для верхних - потери мощности при переключении, всё это обуславливается тем что верхний работает при значительных напряжениях, а нижний при малых. Так, а вот практические визуально тестерные исследования кучи импульсных стабилизаторов показали: 1) при малых мощностях нагрузки, а иногда в целях унификации в качестве верхних и нижних используют одинаковые мосфиты 2) подовляющее большинство преобразователей напряжения оснащено мосфитами с разными номинальными токами для верхнего и нижнего ключей. Примеры: МВ Shattle AK32A (Сокет А, КТ266А): Верхний ключ - 90N03, нижний - 140N03 MB GA-8P848P (Сокет 478): Верхний ключ - 30N03, нижний - 55N03 MB DFI LP NF2 Верхний ключ - 06N03, нижний - 09N03 3) Для умощнения нижнего ключа часто применяют паралельное включение мосфитов, например MB ASUS A8N-SLI Верхний ключ - 70T03, нижний - 2*70T03. RUMPELSHTICTIK На моей видеокарте есть свободное место для запаралеливания нижнего ключа.
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 10.04.2003 Откуда: Москва
LAV48 писал(а):
Причём для нижних мосфитов более характерна мощность потерь на сопротивлении открытого канала, а для верхних - потери мощности при переключении, всё это обуславливается тем что верхний работает при значительных напряжениях, а нижний при малых.
Прости, но это также 'мимо'. При работе современного конвертера (высокие частоты) практически нет паузы между закрыванием одного ключа и открыванием двугого. Причина - НЕЛЬЗЯ допускать открывания паразитного диода, он медленный. С большой 'динамикой' (сквозным током) мерятся и борятся по мере возможности.
БОльшие потери по динамике в верхнем ключе просто потому, что у него бОльше сопротивление (экономят, заразы) и при динамике основная мощность выкатывает на него (нижние ключи имеют меньшее сопротивление).
Напряжения на обоих ключах одинаково - напряжение питания.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 23.07.2006 Откуда: Krasnoyarsk
Диод там не паразитный, а технологический т.е паразитным он может быть в некоторых случаях при определенных условиях. Иногда внешнего диода может и не быть и получается, что его функцию выполняет именно технологический диод. А вот в случае с верхним ключом он скорее паразитный хотя не знаю честно скажу. ШИМ выдерживает паузу "dead time" после закрытия одного транзюля и перед откратием другого для того, что бы они оба не открылись ....страхуется вобщем, но ток не должен прирываться и по этому установлен диод внешний. Дак вот в том случае, если его нет и его функцию выполняет технологический диод нижнего мосфета я сильно сомниваюсь, что еслибы он был паразитный, тормазной и убогий, то это давало бы толк....там всеже на быстродействие расчёт...хотя ИМХО Добавлено спустя 8 минут, 19 секунд LAV48 Нормально мы все во многом заблуждаться можем именно в этом и заключается процесс познания процессов для этого мы тут и собрались...перетереть...обсосать информацию Добавлено спустя 5 минут, 7 секунд Не знаю сколько именно эта пауза в целом, но мизирная это точно. Хорошо бы узнать про неё по подробней, но как...?... Добавлено спустя 30 минут, 44 секунды
RUMPELSHTICTIK писал(а):
т.е паразитным он может быть в некоторых случаях при определенных условиях
Но вот опять интересный вопрос меня терзает, а если внешний диод присутствует, будит ли технологический диод являться поразитным и почему...или как...пока я в грузе прибываю...ответа нет на этот вопрос Т.е получается 2 запараллеленых диода. Вообще звучит не плохо вроде....ток больший надо для открытия..ну млин незнаю пока полез в книги опять .
Сейчас этот форум просматривают: Ktaganov, Lexx_l и гости: 69
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения