Это взято не с моей головы, а с даташита на вполне современный конвертор HIP6302.

Для недопускания открытия паразитного диода и ставят быстрый диод Шотки.

Это как, один стоит между 12В шиной и дросселем сидящем на напряжении нагрузки - 1,5В, а другой между этими же 1,5В и землёй... непонятка получается.

Нет, просто время переключения транзистора отлично от нуля, и при токе скажем в 5А и напяжении (12-2)/2 выделяется мгновенная мощность - 50Вт, другое дело, что время переключение очень мало и средняя мощность на ключе получается в пару, другую ватт.
storm85
Из даташита на CS51313
Вот как считается ток на верхнем ключе:
#77
IL(PEAK) = IOUT+ VOUT*TOFF/2L
Добавлено спустя 4 минуты, 14 секунд

Смотри даташиты, там оно строго нормированно, а на осцилограммах прямо красота

2 A11 Это диод образует сам канал полевика его отдельно туда никто не ставил и скоросные характеристи у него такиеже как и у самого полевика, другое дело что он не шотке, падение напряжения на нем при обратном смещении как на нехорошем кремневом диоде.

Приветствую хардмоддеров

Сразу скажу, что мои познания в сабже чрезвычайно скромны

Итак, собсно вопрос: если при вм гпу напряжение памяти проседает,
то увеличение емкости конденсаторов стоящих на питании памяти способно этому помешать?

Несколько сопутствующих вопросов:
1. Как определить, что кондер стоит на питании памяти. Напряжение на его ноге = напряжению памяти?
2. Насколько можно увеличить емкость? 1500mF=>? 3300mF нормально? Влезти-то - влезут
Если поставить кондеры в параллель, то будет лучше? (Вместо 3300mF - 2*1500mF)
3. Как определить, какой кондер можно поставить на пустующее контактное место?

storm85
Я чую он прав походу .... щас дочитаю....только это настоящий лес с этим диодом, но то..что это паразит я уже не сомневаюсь

storm85

Ууу... Одно я знаю У гпу свой контроллер, у памяти свой.
Это 7600GS DDR2 reference.

Так 3300mF как замена 1500mF пойдет? Вроде как в более чем в 2 раза ёмкость отличается.
Ну или поставить вместо одного 1500mF, сразу два в параллель (по 1500mF каждый)
Замена 1500mF на 2200mF дала 6Mhz прибавки к частоте памяти

Вот с этим засада. Нуб я дремучий видать, ибо то место звонится абсолютно на все кондеры на плате
Объясни плиз, как "звонить"

storm85 писал(а):

Дак ты не чуй, а выкладывай свои мысли!

Чубайс меня света лешил на 30 мин жди! А то кашу получишь, уж лучше я скручу всё по полочкам
Добавлено спустя 1 час, 16 минут, 3 секунды
storm85
Ну если это не доказывает паразитность диода....дай мне по шеи
http://images.people.overclockers.ru/93897.jpg
Тот внешний диод вероятнее всего диод Шотки, но опять же я думал он большевастый и на видюхи заметил бы его, выходит его не ставят на видюхи. Фича заключается в том, что этот технологический диод является технологическим...только когда нет внешнего диода (функции выполняет, но использывать его, это настоящий изврат!), но вто же время, он и паразит, характеристики ужасны, как у любого паразита . Мало того у двух одинаковых мосфет они вообще плывут, как хотят (эти "диоды паразитные" . Задача вообще состоит в том, что бы этот диод не открывал свою пасть! И для этого внешний и ставят (на катором кстате часть мощности и рассеивается, как я и думал ). Сейчас производители намутили мосфеты по технологии SyncFET... Это в структуру мосфет интегрируют диод Шотки! Что бы он недавал открывать рта паразитному диоду вообще. А так как он внутри интегрирован, то это позволяет его так подогнать, что бы паразитный не открылся со 99% гарантией! И место экономят и всё. Ну вобщем пока так всё разложилось по полочкам ИМХО Я сделал вывод, что он закрыт вообще, благодаря внешнему диоду. И диод паразитный верхнего ключа, тоже пасти не открывает вот собственно и всё пока Можете мочить меня! Я морально готов.
Добавлено спустя 39 минут, 54 секунды
Xupyp1
А если 3 по 1500mF запараллелить ещё круче будет. Чем больше параллелишь тем круче и т.д 4000mF параллель...если до 8000mF, то надо номиналы кондёра менять подключённого к лапе "SS" (soft_start) ШИМа в большую сторону, но это гемор.

Мультиметр на пищалку ставишь... Далее смотришь, ага вот стабель питающий GPU, находишь выходные кондёры этого стабеля и звонишь их на свободное посадочное место, т.е КЗ должно быть....это будет означать, что данное пустующее посадочное место запараллелено тем посадочным местам в которых уже сидят выходные кондёры стабеля GPU. Аналогично и для стабеля памяти. Земля там общая (минусовые лапы кондёров, как для стабеля памяти...так и для стабеля GPU будут звонится вместе). Это общий случай...ИМХО... как конкретно у тебя питание замучено.

Ещё бы он её открыл, он же смещён в обратном направлении на добрых 5-10В
А вот паразитный диод нижнего ключа в случае отсутствия диода Шотки легко открывается благодаря ЕДС самоиндукции, и в случае очень высоких частот может не успеть закрытся до момента открытия верхнего ключа, результат - сквозной ток, греющий оба мосфита, данная картина (предположительно) пожгла добрую половину всех 5600/5700 от Спаркл
Добавлено спустя 1 час, 24 минуты, 53 секунды

TOFF - время выключения транзистора, дело в том что при включении, благодаря индуктивности ток растёт медленно, по сравнению с временем включения, и мощность потерь при этом можно смело не учитывать. А вот выключение мосфита (да ещё работающего на индуктивную нагрузку) происходит за более длительный промежуток времени, и ток при этом (в момент выключения) максимальный (не забываем что и напряжение значительно, а скорость включения/выключения иногда измеряют в В/с). Вот эти динамические потери и образуют значительную часть мощности греющую верхний ключ, поэтому смысла параллелить верхний ключ нет никакого (точнее это принесёт огромный вред), а вот с нижним ключём совсем другая история
#77
Нижний ключ мало того что работает с напряжением близким к напряжению нагрузки, так он ещё и включается/выключается в мягких условиях, поэтому выделяемая на нём мощность зависит лишь от времени открытого состояния, тока и сопротивления в открытом состоянии, последнее можно уменьшать наращивая колличество паралельно включенных ключей.
Забыл упомянуть:
IL(valley) = IOUT- VOUT*TOFF/2L

Именно это и используеца в обычном импульсном стабилизаторе ....

Для синхронного випрямителя он не имеет особого значения так как если он и окроеца в момент закрывания верхнего ключа за щет обратного смещения ЕДС самоиндукции падение напряжения на нем будет около 0,5В ато и больше но через время мертвой зоны которое относительно периода очень мало, пойдет напряжение на затвор и канал откроеца в прямом направлении при этом падение напряжение уже будет зависить от сопротивления канала в открытом состоянии и будет на порядок ниже (когда полевик открыт ему не важна полярность тока Сток-Исток главное чтобы смещение по полю Заствор-Исток было нужной полярности) а когда он закрываеца то ЕДС самоиндукции уже ушла в нагрузку .... и если полевики быстрые то дополнительный диод шотке не используют совсем.

LAV48, настырный ты наш ...
Т.е. нижний ключ включается при 'индуктивном' уменьшении напряжения до 0? Значит должен быть характерная форма сигнала в это время.
Тут уже снимались осциллограммы, посмотри на них.
#77

Рекомендация - пожалуйста, поменьше читай и побольше думай. Не наезд, искренне.
Книжки пишут 'как оно им думается, что оно работает'.

А под очень высокими сколько подразумивается? У нас ШИМ, а не ЧИМ.... или ты имел ввиду, что я например сдуру супер-тормазные полевики воткнуть могу сам, заместо более быстрых.

Скорее уж дыра в корпусе, чем просто нагрев.

А про паузу не забыл "dead_time". Хотя в некоторых даташитах её, как бы и нет. Есть походу стрёмные ШИМ которые эту пвузу не выдерживают вообще.
А ктонить знает маркеровку диода Шотки для внедрения на видюху. Ну естественно маленький и мощный и быстрый, а то надо воткнуть будит...если нет его. Просто крики такие ООО! Диод Шотки! Шоколад ! А реально какой втыкать, конкретная маркеровка нужна...иначе это всё бесполезно перетерать. Колитесь, кто видел диод Шотки на видюхе! Китайцы какой именно ставят?

А вот здесь поподробнее, я не в теме оказался (особенно если меньше читать), что за индуктивное уменьшение напряжения? Рекомендации учту - буду меньше писать.

Думаю здесь больше качество электролитов повлияло, хотя два параллельно по 2200 попробуйте, а больше смысла не имеет.., ещё керамикой их зашунтировать и посмотреть на результат.
Добавлено спустя 4 минуты, 49 секунд

Ну платы насквозь прогорали/ют, а половики вклочья
По поводу диодов Шотки надо посмотреть какие ставят на МВ/видео и сравнить по номиналам, лучшее - враг хорошего
Добавлено спустя 6 минут, 56 секунд
RUMPELSHTICTIK
Вот первый попавшийся, увидел на GF2MX от Лиадтек http://download.siliconexpert.com/pdfs/ ... 006_r8.pdf SK32 Хотя стабилизатор там походу линейный....

Я _не_это_ имел в виду.

#77

Зеленая = 0V (уровень земли)
Точка А - верхний ключ закрылся (точнее - существенно уменьшил свой ток). При этом ток в дросселе потащил напряжение в низ и открылся диод. Уровень напряжения в точке А = -0.5...-0.8V, в зав-ти от диода.
Состояние В - открылся нижний ключ и замкнул диод. Падение напряжения (минусовое!) уменьшилось.
Состояние С - выключился нижний ключ, дроссель замыкается только через диод. Напряжение увеличилось - см. точку А
Логично?

Если точки А и С нет, то это означает, что нижний ключ открывается/закрывается без пауз (одновременно с верхним). Т.е. ОБА ключа коммутируют ОДИНАКОВОЕ напряжение = напряжению питания.


Не согласен?

serj

Как транзистор может открытся если к нему приложенно обратное напряжение?
По Вашему ток самоиндукции протекает всё время в которое не открыт верхний ключ ?
Пока мне представляется следующая картина:
открыт верхний ключ, ток протекает через мосфит-дроссель-нагрузку и заряжает емкость параллельную нагрузке закрвыается верхний ключ, и уже в начальный момент закрытия возникает ток самоиндукции, который пытается препядствовать закрытию мосфита увеличением напряжения на сток-исток при этом напряжение на дросселе меняет полярность
далее верхний ключ всётаки разрывает цепь и дроссель остаётся висеть лишь на паразитном или внешнем диоде через который и уходит остаток запасённой им энергии.
Так? Кто с чем несогласен?
Жду Ваших мнений и продолжу ход мысли.

Я в принцыпе согласен с serj я понял про чо он говорит.
LAV48
Выходная характеристика MOSFET 3-й квадрант.

Реактивные элементы шалят, запасаютс так сказать
Добавлено спустя 55 минут, 20 секунд
Я вообще с трудом вкупаюсь ты какбудь-то говоришь, что нижний ключ вообще не открывается из-за диода...это дикое предположение.

RUMPELSHTICTIK
Просто, исходя из поста serj выходит что нижний "половик" нужен лишь, для того чтобы снизить потери на диоде при протекании тока самоиндукции

Это либо подтверждает мои "ошибочные" предположения, либо где-то здесь ошибка.
В доказательство ошибки приведу следующие рассуждения:
Всем известно, что время включения нижнего мосфита больше времени открытого состояния верхнего
Тогда если нижний мосфит работает в зоне отрицательного напряжения
#77
получается, что мультиметр бы показывал отрицательный потенциал относительно земли ведь

Хотя на рисунке serj отчётливо изобразил их колоссальную разницу