Что-то около 1,5
Добавлено спустя 7 минут, 34 секунды


Почему когда я меняю тайминг с 4 на 6 TRCDRD у меня частота памяти не повышается, а у тебя повышается. Карты же одинаковые.С чем это может быть связано?

-@vercl@cked-

если учесть что память изначально 400-ка, а работает на 200 и так сказать "гонится" не более 300 , хр"нь какая-то.... полтергейст.

Жаль уже разобрал карточку, надо было замерить напругу на память. Вот в этом я думаю может быть зарыта собака.

Сделал скромный вольтмод по ядру - до 1.395В (дальше что-то не рисовалось). Кстати, карандашом какой твердости вы по резисторам рисуете?
В итоге ядро - до 540 МГц, что занятно, разгон памяти также вырос: с 275 (при 1.25 на ядре) до 288 МГц. Тайминги: tRCDRD=5 (было 4, как для 5нс памяти, при tRCDRD=4 максимум 265), остальные не менялись (как для HY5DU281622ET 5-нс).
Итого: @ 540/288, vcore=1.39, охлаждение: ядро - штатное, память - половинки первопневых радиаторов, снизу 80 мм вентиль.
Едем дальше...
Вольтмод памяти методом переменных резисторов провалился. При точно тех же напряжениях лезут артефакты. Видимо подпаянные хвосты дают достаточные наводки, чтобы упрощенный дизайн их не переварил. Попробую позже порисовать карандашом.
Пока по ядру: какое для R9550 заведомо безопасное максимальное напряжение?
Вдобавок под нагрузкой шумит дроссель цепи ядра. Может его просто эпоксидкой залить?
Добавлено спустя 1 час, 14 минут, 6 секунд
Видимо, моей ошибкой была подпайка измерительных проводов непосредственно на VDD и VDDQ...

Ты как напряжене на память поднял?

Разными пробовал, помоему лучше ТМ(HB), потомучто мягкий сыпется.

R#ob
из той же серии почему моя память такие фертеля творит ... неповезло просто

Что это тогда за фирма такая память по маркировке одинаковая, а разгонный потенциал разный. Хачем так делать...

R#ob
А тебе и никто не обещал, что память погонится хотя бы на 1 мегагерц... Тут уж как повезёт. У меня например, самсунг 5ns погнался с 200 до 343 без вольтмода и доп. охлаждения, так что на производителя памяти жаловаться не нужно

Действительно, ТМ карандашом все рисуется. Видимо просто рука еще не набита.
На ядре 1.532В => 576/288 core/mem.
C дросселем надо что-то делать. Ибо не только шумит, но и нездoрово греется.


на моей Gigabyte GV-R955128D память питается в точности как в статье meina "Непокорный ASUS9550GE" в личных страницах.

Поднимай смело до 1,65 (я поднимал смело )

Это ты прямо к ногам микросхемы памяти паялся? . По идее если к кондёрам подпаятся, то ничего страшного не должно быть.

Подпаивал к мосфетам (если к кондерам - думаю один хрен, тем более не ко всякому кондеру подпаяешься) тестовые хвосты, хвосты резисторов к микрухе и пустой площадке от кондера. Ничего нигде не коротило. Виноваты были каким-то образом именно подпаянные провода, поскольку лажа лезла даже на штатных напряжениях (с точностью до последнего знака). Убрал подпайку - все вернулось обратно.

Altair
Так это из-за тестовых хвостов получается? Если так, то нафиг они нужны . Я без них обходился(хотя тоже подумывал вытянуть пару соплей).

это не 5нс однозначно! 343 это 686Mhz эффективных - что-то уж очень много. У меня на 560 жестокие артефакты появлялись (охлаждаю доп вентилятором который нихрена не дает). А ты сверх этого еще сотенку накинул.

C висящим в воздухе переменником без соплей для тестера никак не получается, просто рук не хватает. А постоянный контроль по ходу подкручивания необходим. Увы, не замерял, но по ощущениям дельта сопротивления на которую реагирует делитель для памяти порядка десятков Ом, и крутить 10КОм переменик приходилось очень бережно, непрерывно глядя на тестер, щуп которого втыкался (буквально) в соплю.
Рисовать карандашом по памяти с необходимой точностью +/- 10 Ом я не возьмусь. Так что надо разбираться с соплями.
Теперь вопрос: какую примерно наводку может ловить припаянная одним концом свободно висящая сопля?

Я тоже до 1.6 хочу поднять, только что то не рисуется пока.

ЧИП греется и сильно, может стоит маленький радиатор с на оборотной стороны видюхи поставить(ну где чип)

У меня полусилось ТМ карандашом, довольно сильное нажатие и возня повдоль резистора.
С непрерывным конторолем сопротивления, как ориентир брал табличку из статьи Sarda.

Думаю на оборотную сторону что-то лепить бессмысленно. Площадь свободного места над чипом ничтожна, между поверхностным монтажем не развернешься. больше, чем просто обдув чистой спины все равно не получить.
Кстати, какая у тебя температура со спины (хотя бы по пальцу) и собственно кулера/ядра?

При памяти=288 довел тайминги до минимальных [в ATItool попорядку] 5, 1, 4, 8, 2, 2, CL+1, 0, TWR, 1, 1.0, 2, 0, WR+1/2, 0x24, 13. Refresh rate пока не трогал.
Дало около +30 марков в 2005 (на фоне ~1500 в 1024х768; туалатин @1600 , винда не настроена совершенно, в трее куча всего вплоть до антивиря)

Какой из подтестов в 3dmarkах наиболее чувствителен к скорости памяти? (ибо слишком долго при поиске оптимальных таймингов весь пакет раз за разом гонять, хочется ограничиться экспресс-тестированием)

Так до скольки догнал?

Сейчас 594/288, ядро 1.585 В под нагрузкой, 1.615 без. Критерий этих частот - отсутствие "тараканов" в ATITool.

А как память разогнал?

Ошибочка вышла. Неспроста тараканы по кубику лезли. На 600/297 полканьона в артефактах. Так что пока только 594 по ядру и те же самые 288 по памяти.
На повышение таймингов памяти фиолетово. Выше 288 - ни в какую.