Вот, я же говорил (т.е. предполагал ) что существует этот другой индекс напруги в 3Д! Остается выяснить работает ето или нет
Вот прямая ссылка на DataSheet для ISL6522: : http://www.intersil.сom/data/fn/fn9030.pdf
Размер: 405 KБ (413 991 байт)

1.5V
VID0 - hardwired 0
VID1 - hardwired 1

Unwinder
Тем более! То есть драйвер может только ниже 1.5В включить.

Ну, если ты так крут - то надо полно отвечать: так, мол, и так, софтмодневозможен, т.к. спецификация ISL6522 такая, что в зависимости от в каком состоянии находятся две управляющие цепи обратной связи, возможно только ТРИ пороговых напряжения.
А ничего, что когда только включаешь компьютер и не загружается Винда, то присутствует напряжение 1,13В? Прокомментируй, знаток спецификации.

Да, и еще. На памяти-то одна обратная цепь, которая задается меняемым сопротивлением. К сожалению, я уже не могу посмотреть названия микрух, т.к. наклеил радиаторы.

Paul2 На памяти там тоже стоит ISL6522

Вообще, я думаю возможны 4 ситуации.
Обратная связь включена всегда, без нее не может работать микруха.
С помощью ключей просто подключаются дополнительные резисторы в параллель ОС.
В-первом случае (БИОС) оба ключа выключены. Работает дефолтная ОС. Напруга 1.13 В.
Во-втором (2D): включен ключ, отвечающий за 2D режим.
Третий (3D): включен ключ, отвечающий за 3D режим.
Возможный четвертый, по крайней мере как здесь упоминалось в версии БИОС F2 когда включены оба ключа. Результирующее сопротивление в данном случае становится еще меньше, напруга больше.
Кстати, здесь возникает вопрос, а меняется ли напряжение в 2D режиме после прошивки БИОС F3 на F2. Если оно не меняется, значит и правда в F2 открыты оба ключа в 3D режиме.
Для питания памяти используется такая же микруха, только в типовой схеме включения. ОС используется без разделения режимов работы.
PS.
Paul2Без обид. Может в чем-то грубо ответил до этого, просто взбесило слово вякнуть.

_Shadow_
Я думаю так:
1. Режим - голый ДОс - 1.10 v. оба ключа выключены ( управл. бинарная последовательность 0х00 )
2. Режим 2D. 1.20 v. Один из ключей включен. ( управл. бинарная последовательность 0х01 )
3. Промежуточный режим - throttling (он знаком всем по частоте чипа 375-376 Мгц ) . 1.3 v. Первый ключ выключен, зато включен второй ( 0х10 )
4. Режим 3D. 1.40 v. Оба ключа включены. ( 0х11 )
Режим 2D в обоих версиях биоса одинаков. Да и зачем там чего-то изменять ?

Networker _Shadow_

Может я чего-то не понимаю, но все обсуждают только софтомод напряжения чипа. А как насчет памяти? Есть там 2,5 V в биосе?

Nick Rimer
Я напругу не мерял. Пусть те кто проводил замеры выскажутся.
Вообще в обвязке микрухи питания памяти стоит один ключ. Теоретически он тоже может использоваться для регулирования коэффициента ОС. Возможно его включение зависит от типа установленной памяти (Samsung или Hynix).

_Shadow_ ключ какая маркировка ключа ????

На корпусе стоит маркировка 600V (если правильно прочитал, неудобно было смотреть). Скорее всего это обычный биполярный или полевой транзистор. Типоразмер корпуса ориентировочно SOT-323. Пытался спрашивать по форумам расшифровку, пока не удалось найти.

Nick Rimer
Меня тоже как владельца Палита больше интересует как повысить производительность памяти. Насчет биоса не знаю - чтобы сказать , нужно иметь два биоса от одного вендора, один для памяти от Hynix, а второй - от Samsung.
Что касается напряжения, то вроде как вся линейка памяти Hynix, используемой на этих картах, работает на 2.8 v. Вот у Самсунга вроде есть варианты - для 2.8 ns памяти - 2.5 v, а для 2.5 ns - 2.8 v. Нужно уточнять по datasheet, зная точную маркировку памяти.
У меня Hynix , поэтому на варианты с изменением напряжения памяти забил. Вот размышляю - есть смысл пробовать разбираться с таймингами или нет ...

Networker



Насколько я понял после изучения форума на Guru3D, так оно и есть. Т.е. для Hynix похоже только аппаратный вольтмод...



Сугубо моё ИМХО, построенное на результатах разгона памяти с биосами от других карт:

- 1 Гигарерц по памяти - это реально
- relaxed timings сильно снижают производительность памяти, причем у меня так и не получилось повысить производительность всей карты с помощью другого биоса. Более высокая частота памяти нифига не перекрывает по производительности высокие задержки на памяти Может у других получилось лучше.
- тайминги в родном биосе лучше всего подходят для данной карты. Слишком большие или слишком маленькие задержки не позволяют добиться более высокой производительности, в первом случае из-за слишком сильного падения производительности памяти, во втором - из-за слишком низкой стабильной частоты ее работы.

Nick Rimer
Вот и хочется это проверить

Nick Rimer

Реально, причем реально и выше, но при щедром напряжении и изначально удачной карте. На драйверах 53.03 при 3.43В на Vmem мой спаркл работал на 1060МГц (1080 с тяжелыми артефактами) с родным биосом, без всяких relaxed timings.

Не катит. Уменьшение значения одного сопротивления (одного из каналов) влечет за собой ТОЛЬКО увеличение напряжения 3D режима.
Если бы было так, то изменялось бы еще какое-то напряжение.

Добавлено спустя 1 минуту, 13 секунд:

Тоже не катит, т.к. максимальное значение напряжения для 3D режима.

Извините что вмешиваюсь

В этой ветка кто-то говорил что сделал хард-вольтмоддинг на Палите с сиреневым текстолитом. Фото показывал куда припаивать надо. Только вот ничего там не разобрать Поэтому прошу этого "кто-то" еще раз объяснить сущеглупому: что, куда и как припаивать Выложил хорошее фото Палитовской задницы (я так понимаю что паять надо 706 (или 70b) резюк). Что к нему надо припаивать (маркировку), какой стороной...В общем подробно если не затруднит.
http://offroad.to.kg/palit_voltmodding.jpg

А вот фото моей карты с переделанной системой охлаждения. Неказисто, но эффективно
http://offroad.to.kg/IMG_0648.jpg
http://offroad.to.kg/IMG_0650.jpg
http://offroad.to.kg/IMG_0651.jpg
http://offroad.to.kg/IMG_0652.jpg

Большая Белая Масса
А кулер это от какого Интела? А то я давненько ничего от Интела в руках не крутил...

Paul2
Ну хорошо, допустим эти биты инвертируют. Легче от этого ? Все равно 2 бита и четыре варианта, которые всем известны.

Paul2

Если не трудно, объясни, не совсем понятно что ты хотел сказать.

Я рассуждаю так: Эти ключи просто подключают какое-то сопротивление в параллель к уже имеющемуся в дефолтной ОС, тем самым изменяя глубину ОС и напряжение питания чипа.
Сопротивления, которые они подключают разные в 2D и 3D режимах.
Теперь если допустить, что можно подключить сразу оба сопротивления параллельно имеющемуся дефолтному, тогда результирующее напряжение в 3D режиме будет еще больше. Это и происходит в версии БИОС F2.
Другого объяснения увеличению напряжения придумать не могу, т.к. от самой микросхемы ничего не зависит. Влияние на выходное напряжение может оказывать только ОС.