Samsung Electronics официально запустила массовое производство своих первых микросхем памяти GDDR7 нового поколения. Первая версия объёмом 24 гигабита (3 гигабайта) и пропускной способностью 28 гигабит в секунду уже появилась в открытых реестрах под маркировкой K4VCF325ZC‑SC28. Эта память будет использоваться в видеокартах семейства NVIDIA GeForce RTX 50, включая модели RTX 5070 Super и RTX 5090 Founder's Edition.

На сайте производителя также указаны два более быстрых чипа: K4VCF325ZC‑SC32 с частотой 32 гигабита в секунду и K4VCF325ZC‑SC36 с пиковой скоростью 36 гигабит в секунду. Оба находятся в стадии выборочного тестирования, но подтверждают планы Samsung по агрессивному расширению линейки GDDR7. Все микросхемы производятся в форм‑факторе 266 FBGA, с 768 мегабит на 32 бита.

Переход к GDDR7 сопровождается сменой сигнального кодирования с NRZ на PAM3, что позволило Samsung добиться 30% прироста скорости при той же энергоэффективности. Это делает GDDR7 ключевым компонентом будущих графических ускорителей, как в потребительском, так и в профессиональном сегменте. Особенно на фоне роста цен на память, новые модули будут критически важны для выхода Super‑серии RTX 50, который теперь ожидается в третьем квартале 2026 года.